相変化記憶材料およびより詳しくは、相変化記憶用途、例えば、光学データおよび電子データの記憶のために有用なテルル化ＧｅＡｓ材料が記載されている。
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【課題】 高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 結晶状態を未記録状態とし、非晶質状態を記録状態とする情報記録媒体に用いる相変化記録材料であって、所定のＳｂＳｎＧｅＴｅＭ１組成（Ｍ１はＩｎ等）を主成分とすることを特徴とする相変化記録材料。 （もっと読む）

【課題】近接場光を利用することで高密度な記録情報の再生を可能とする新規な信号検出装置及び信号検出方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３と、半導体基板３上に設けられ、半導体基板３との界面近傍に近接場光を発生させる近接場光発生部１とを有する。また半導体基板３の材料のバンドギャップ・エネルギーに対し、略１／２の光子エネルギーに対応する波長の光を出力する光源９と、近接場光が発生する際に半導体基板３に生ずる光電流を検出する電流検出部４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】繰り返し記録消去回数及びスイッチング動作速度を向上することが可能な相変化固体メモリの記録材料を提供する。
【解決手段】テルル原子を含むアルカリ金属ヨウ化物相又はテルル原子を含む銀ヨウ化物相と、テルルとアンチモンとからなる合金相との均一混合相から構成されることを特徴とする相変化固体メモリの記録材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、戻り光の光量を増大することができる。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体１００は、記録層１０１において直径が１００［ｎｍ］以下でなるナノ微粒子２が、光としての記録光ビームＬＷに基づく近接場光ＬＷｎの照射に応じて複素誘電率を変化させる媒質３に包囲された状態で配置されている。また光情報記録媒体１００は、記録層１０１において、媒質３の複素誘電率ε_２の変化に応じてナノ微粒子２が生じる局所プラズモン共鳴の度合いを変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

本発明は、ナノ技術に関し、非線形光学、情報工学、光学メモリ手段等の設計のために用いることが可能な、効果的に制御可能な光学的性質を有するナノコンポジット物質に向けられている。本発明のナノコンポジット物質は、ナノ粒子と、外部の光作用に晒される際に空間構造を修正する中間結合分子粒子と、ナノ粒子近傍の光学的性質を示す結合可能な分子粒子とを含み、前記ナノ粒子、中間結合粒子及び結合可能分子が、連続的に結合して3次元のクラスタ構造を形成する。さらに、外部の光作用に晒される際に空間構造を修正する中間結合分子粒子は、その結合性を強化する官能性置換基の形で追加の含有物を含むことが可能である。 （もっと読む）

【課題】青色レーザ波長領域で良好な記録特性を示し、記録感度が良く、かつ再生光安定性に優れた追記型光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）レーザ光の照射側から順に、ビスマス酸化物系の材料で構成される記録層と、上部中間層と、硫化物を含む上部保護層とを備えた追記型光記録媒体。
（２）レーザ光の照射側から順に、硫化物を含む上部保護層と、上部中間層と、ビスマス酸化物系の材料で構成される記録層とを備えた追記型光記録媒体。
（３）前記上部中間層及び／又は下部中間層は、酸化物、窒化物、炭化物のいずれか１種類又は２種類以上の複合物からなる（１）又は（２）記載の追記型光記録媒体。
（４）前記上部保護層及び／又は下部保護層がＺｎＳ−ＳｉＯ_２を主成分とする（１）〜３）のいずれかに記載の追記型光記録媒体 （もっと読む）

【課題】半透過情報記録層において記録材料部や金属部の厚みを極端に薄くしなくとも多層ディスクに求められる透過率を実現できるようにする。
【解決手段】半透過情報記録層は、レーザ光の入射側からみて順に、上記記録再生レーザ光の波長に対する屈折率が２．４以上の第１誘電体部と、少なくとも５．２ｎｍ以上の厚みの記録材料部と、第２誘電体部と、少なくとも７ｎｍ以上の厚みの金属部と、第３誘電体部とを有する構造とする。また第３誘電体部も屈折率が２．４以上の材料を用いる。また第３誘電体部は、第１誘電体部が２．４以上の或る屈折率とされた場合において、当該半透過情報記録層の透過率がその最大透過率から透過率低下が１％以内の範囲となる屈折率範囲の屈折率とされるようにする。 （もっと読む）

【課題】再生光安定性を確保するために上部保護層を酸化物等で構成した場合にも記録感度が良好であり、青色レーザ波長領域で良好な記録特性を示し、繰り返し再生特性に優れた追記型光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）レーザ光の照射側から順に、硫化物を含む下部保護層と、ビスマス酸化物系の材料で構成される記録層と、酸化物、窒化物及び炭化物の少なくとも１つで構成される膜厚が１０〜３０ｎｍの上部保護層と、Ａｌ_２Ｏ_３で構成される膜厚が１０ｎｍ以下の界面層と、反射層と、を備えた追記型光記録媒体。
（２）上部保護層は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３の混合物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ｎｂ_２Ｏ_５の少なくとも１つからなる（１）記載の追記型光記録媒体。 （もっと読む）