【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】高い保持力および比較的小さな磁性粒度をともなう磁性材料を提供する。
【解決手段】硬質磁石１６００は、Ｐｔ族金属、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、およびＣｏの少なくとも１つを含む第１の成分を含むシード層１６０２、第１の成分を含むキャップ層１６１２、ならびにシード層１６０２とキャップ層１６１２との間の多層積層体１６０４を含む。多層積層体１６０４は、第１の成分と、Ｐｔ族金属、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、およびＣｏの少なくとも１つを含む第２の成分とを含む第１の層１６０６を含む。第２の成分は第１の成分と異なる。多層積層体１６０４はさらに、第１の層１６０６上に形成され第２の成分を含む第２の層１６０８と、第２の層１６０８上に形成され第１の成分および第２の成分を含む第３の層１６１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上とＳＮＲの向上の両立を図り、ＴＰＩを高めて高記録密度化を可能とした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、基板１１０上に少なくとも、ｆｃｃ結晶構造を有する合金を主成分とする前下地層１４０と、Ｒｕ合金からなる第１下地層１５２と、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金からなる第２下地層１５４と、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に金属酸化物を主成分とする非磁性の粒界部が偏析して形成されるグラニュラ磁性層１６０と、をこの順に備え、磁性粒子の粒径は７ｎｍ以下であり、第１下地層１５２は、ｈｃｐ結晶構造を有し、かつ融点がＲｕの融点未満の元素を少なくとも１種類含有するＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】保磁力[Ｈｃ]とＳＮＲを両立して向上させることにより、さらなる高記録密度化を実現可能にした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の代表的な構成は、基板１１０上に少なくとも、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、下地層１５０の上に積層され、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備え、グラニュラ磁性層１６０は少なくとも、下記録層１６１と、該下記録層１６１の上に積層され該下記録層１６１よりも膜厚が厚い主記録層１６２とを有し、該主記録層１６２の磁性粒子にのみＲｕが５原子％以下含有され、かつ、磁性粒子のＰｔの含有率は、下記録層１６１の方が主記録層１６２よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。第１磁性層３は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、ｃ軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。第１磁性層３の磁化方向は、第１磁性層３、第１非磁性層４及び第２磁性層２を貫く双方向電流により変化する。 （もっと読む）

【課題】磁性半導体膜における現象を究明し、またその現象を有効に利用できるルミネッセンス型光磁気センサを提供する。
【解決手段】光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子１と、この光磁気素子１のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサ。また、光源と光磁気素子１との間に偏光子２を配置し、光磁気素子１と受光器の間に検光子３を、その光軸の向きが偏光子２の光軸の向きとおよそ９０度異なるように配置した光磁気センサ。このようにファラデー効果よりもフォトルミネッセンス効果を現出する磁性半導体膜を利用することにより、高周波磁界測定のできるＳ／Ｎ（信号雑音比）に優れた光磁気センサが構成できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡが1.0Ωμm²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないＴＭＲヘッドを得る。
【解決手段】第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。アモルファスCo-Fe-B合金層上に結晶性の良いＭｇＯを形成することができる。また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。得られたＴＭＲセンサ膜は低濃度のＢを含むアモルファス状のCo-Fe-B合金膜を含むために、比較的低温(200℃)の熱処理でも大きなＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り／書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第１面に備えられた第１非磁性層と、前記磁性層の第２面に前記第１非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が１４以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第２非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数（β）を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子（メモリ）である。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）