【課題】小型かつ薄型でありながら、磁気特性の変化量が大きく、その調整及び調整後の値の保持が容易な磁性薄膜と、その製造方法及び磁気特性制御方法，薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。パルス電流の印加は、磁化を変化させる時にのみ行う。また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶配向中間層と、中間層上に配設される磁気ゼロ層と、磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層とを含む積層体を提供する。
【解決手段】磁気ゼロ層（１４０，２４０）は非磁性であるか、または飽和磁束密度（Ｂ_S）が約１００ｅｍｕ／ｃｃ未満である。磁気ゼロ層（１４０，２４０）および磁性層（１５０，２４２）は、非磁性分離体によって囲まれる粒子を含む。磁気ゼロ層（１４０，２４０）は、格子不整合が約４％未満である、中間層（１３０，２３８）と磁性層（１５０，２４２）との間のコヒーレントな界面を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ＧＭＲ素子では、十分大きなＭＲ比を得ることが困難である。大きなＭＲ比を実現することが可能なＭＴＪ素子において、反転電流を低減させることが望まれている。
【解決手段】 下部電極の上に、磁化容易方向が厚さ方向を向く垂直磁気異方性膜が形成されている。垂直磁気異方性膜の上に、非磁性材料で形成されたスペーサ層が配置されている。スペーサ層の上に、アモルファスの導電材料からなる下地層が配置されている。下地層の上に、磁化容易方向が面内方向を向く磁化自由層が配置されている。磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が面内方向に固定された磁化固定層が配置されている。スペーサ層は、垂直磁気異方性膜と磁化自由層との間に交換相互作用が働かない厚さであり、かつスピン緩和長よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】量産プロセスで形成可能な３ｎｍ以下の膜厚のＭｇＯ下地層を用いながらも、優れた磁気特性を有するＬ１_０型ＦｅＰｔ規則合金を磁気記録層に用いた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ下地層の下部に設ける下地層の材料として、立方晶系に属する結晶構造を有する導電性化合物を用いる。ＭｇＯ層の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子３は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、記憶層、絶縁層、磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、０．６５以上のスピン偏極率を持つＣｏ_２Ｆｅ基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金は０．２５＜Ｘ＜０．６０の領域でＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率は０．６５以上の高い値を示す。また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供、及び記憶層の微細加工時の抵抗上昇の防止。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。これにより書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる。また記憶層１７を構成する強磁性層は、ＣｏＦｅＢを母材とし且つ当該母材に耐食性元素が添加されている。これにより記憶層の微細加工時の抵抗上昇の防止が図られる。 （もっと読む）

【課題】 良好な信号対ノイズ比（ＳＮＲ）特性と良好な熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を用いて、高密度記録を行う。
【解決手段】 基板と、軟磁性層と、軟磁性層上に形成された多層下地層と、多層下地層上に形成された連続膜型磁気記録層とを含む磁気記録媒体。多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。連続膜型磁気記録層は、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくとも一種の元素、及びＰｔ及びＰｄのうち少なくとも一種の元素を含有し、Ｌ１_０構造を持ち、主として（００１）配向した磁性結晶粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】 分離制御および傾斜異方性を有する垂直磁気記録媒体のシステム、方法および装置を提供する。
【解決手段】 高性能な垂直磁気記録媒体の構造は、接着層、第１の軟磁性下地層（ＳＵＬ）、結合層、第２のＳＵＬ、シード層、Ｒｕ層および、オンセット層を含む複数の順次層を有する基板と、当該オンセット層上にあり且つ媒体の上書き性能を向上させる傾斜異方性を示す組成を有する少なくとも１つの酸化物層と、少なくとも１つの酸化物層上の交換結合層（ＥＣＬ）と、キャップ層と、ＥＣＬ上でキャップ層内の横方向の交換結合を減らすためにＥＣＬとキャップ層との間に設けられた分離制御層と、キャップ層上の炭素保護膜とを含んでいる。 （もっと読む）