【課題】Ｃｏを含有するグラニュラ構造の磁気記録層と、補助記録層とを備えた構成において、電磁変換特性におけるノイズを低減できる垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくともＣｏを含有する柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の第1磁気記録層２０ａと、前記第１磁気記録層２０ａ上に設けられた非磁性層２２と、前記非磁性層２２上に設けられたＣｏを含有する柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の第２磁気記録層２０ｂと、前記第２磁気記録層２０ｂ上に設けられた補助記録層２４と、を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ）素子を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子は、ホイスラー合金薄膜４，６間にスペーサ層５を配した構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲ素子であって、前記ホイスラー合金薄膜４，６が、Ｂ２規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層５がＢ２規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、ＣｏＦｅＡｌＳｉホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物である。 （もっと読む）

【課題】記録された磁気信号の安定性に優れ、かつ、熱アシスト磁気記録方式による磁気信号記録の可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｐｔ含有量が４４ａｔ％以上５５ａｔ％以下であり、かつ、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子含有量比が０．６４以上０．８以下であるＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金の強磁性結晶粒子を含む磁気記録層５０を磁気記録媒体１に適用する。この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が常温では非常に高い異方性磁界を有するため、記録された磁気信号の安定性に極めて優れている。また、この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が適切な温度範囲のキュリー点をもつため、熱アシスト磁気記録方式での信号記録が可能である。 （もっと読む）

【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

【課題】 特に外乱磁場に強く且つ安定した検出精度を得ることができるとともに、外部磁場環境下においても出力の変化を抑制できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子部１２と永久磁石層６０，６５とで素子連設体６１が構成され、感度軸方向が素子幅方向（Ｙ方向）である。複数の素子連設体６１が素子幅方向に間隔を空けて並設され、隣接する素子連設体同士が接続されてミアンダ状を成している。各素子連設体６１の間、及び素子幅方向の両側に位置する素子連設体６１の外側には、素子連設体６１と非接触の軟磁性体１８が設けられている。素子連設体６１の素子長さ寸法はＬ１で、軟磁性体１８の素子連設体６１の素子長さ方向と同方向の長さ寸法はＬ２であり、長さ寸法Ｌ２は、素子長さ寸法Ｌ１の１倍〜１．５倍に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】スピン消極を引き起こすことなく、また、加熱処理を必要とせずに、［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層構造の十分な垂直磁気異方性を確保する。
【解決手段】このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。その結果、薄いシード層を用いることが可能となる。垂直磁気異方性は２２０℃の温度で１０時間にわたって熱処理を行った後であっても維持される。この構造は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＣＰＰ−ＴＭＲ素子に適用できるほか、スピントランスファー発振器やスピントランスファーＭＲＡＭにも適用できる。 （もっと読む）

【課題】 スピントルク・ベースの磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）を含む、スピントルク磁気抵抗構造体及びデバイスを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成する方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、強磁性層と、強磁性層に結合されたフェリ磁性層と、固定層と、非磁性スペーサ層とを含む。磁気抵抗構造体のフリー側は、強磁性層及びフェリ磁性層を含む。非磁性スペーサ層は、少なくとも部分的にフリー側と固定層の間にある。強磁性層の飽和磁化は、フェリ磁性層の飽和磁化と対向する。非磁性スペーサ層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるもののようなトンネル障壁層又は非磁性金属層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比が改善された高密度で記録可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくともグラニュラ磁気記録層１２２と、グラニュラ記録層１２２中の磁性結晶粒子と交換結合をする垂直磁気異方性を示す磁性粒子を有する補助記録層１２４とを含む垂直磁気記録媒体１００である。補助記録層１２４には補助記録層１２４を構成する磁性粒子とは非固溶である非固溶物質が含まれる。この補助記録層には、例えば、コバルト（Ｃｏ）に対して非固溶である銀（Ａｇ）を非固溶物質として含むＣｏ系合金が磁性粒子の主体として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）