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国際特許分類[H01F41/26]の内容

国際特許分類[H01F41/26]に分類される特許

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【課題】低保磁力をもつ軟磁性薄膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1に設けられたホール素子2と、ホール素子1上に設けられた軟磁性薄膜6が、少なくともホウ素を含有している。また、半導体基板1上で、かつホール素子2上に設けられた有機絶縁膜4と、有機絶縁膜4と軟磁性薄膜6との間に設けられた金属導電層5とを備え、軟磁性薄膜6が、金属導電層5上で少なくとも1個以上のホール素子2の感磁部を覆うように配置されている。形成された軟磁性薄膜6の総重量を100重量%としたときの鉄含有量が15〜30重量%、ホウ素含有量が0.15〜0.35量%、電解めっき液を安定化するpH緩衝剤に起因する炭素を0.4〜0.8重量%、残部がニッケルである。 (もっと読む)


【課題】 フェライトめっき法によるフェライト薄膜の製造方法において、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、薄型基体にも均質なフェライト薄膜が成膜できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 フェライト薄膜の製造方法であって、成膜基体2と補強基体3が一体となった基体1にフェライト薄膜を成膜することを特徴とするフェライト薄膜の製造方法で、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を前記基体1に接触させる工程と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を前記基体1に接触させる工程と、前記反応液、酸化溶液の内フェライト薄膜生成に寄与しない残分を前記基体1から除去する工程を備えるフェライト薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】優れた磁気特性を有する複合磁性薄膜を効率的に作製することができる複合磁性薄膜の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】金属塩または希土類塩のいずれかと少なくとも錯化剤を含む水溶液からなるめっき浴5を準備する第一の工程と、前記めっき浴5の中に軟磁性金属粒子を分散させる第二の工程と、軟磁性金属粒子を分散させためっき浴5の中に基材6を浸漬し、この基材6の表面にめっきを行う第三の工程を少なくとも含み、前記軟磁性金属粒子を分散させながら前記基材6の表面に金属または希土類からなる酸化物薄膜をめっきする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 (もっと読む)


【課題】飽和保磁力Hc、異方性磁界Hkが低く、かつ飽和磁束密度Bsの高い軟磁性層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板9上に、軟磁性材料を用いた電気めっきにより、互いに交差する第1軸磁化方向および第2軸磁化方向を有する磁性層を形成する。そののち、第1軸磁化方向に第1磁界を印加しつつ軟磁性層を加熱し(第1アニール工程)、次いで、第2軸磁化方向に第2磁界を印加しつつ軟磁性層を加熱する(第2アニール工程)。2段階アニール処理により、磁性層の磁化容易軸飽和保磁力Hce,磁化困難軸飽和保磁力Hchおよび異方性磁界Hkが低減される。 (もっと読む)


【課題】電気めっき法による磁性膜を製造する際に、磁性膜の成長が早く、かつ、異常析出の形成を防止する磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被めっき体1の基板11上に磁性膜13をめっき法で形成する磁気記録装置の製造方法において、前記磁気記録装置の製造方法は、磁性膜13を析出させる析出工程と、磁性膜13に発生する異常析出14を除去する溶解工程とを有する。生産性の高いDCめっき法を用いて磁性膜13を析出、成長させて、このときに、生ずることがある異常析出14を除去する。これによって、高生産性と磁性膜の安定した特性の両方を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】レジストの残存溶剤の濃度分布に起因する金属薄膜の寸法精度の悪化を防止する。
【解決手段】基層の上にシード層を形成し(S4)、シード層の上に、上部の残存溶媒濃度が低く下部の残存溶媒濃度が高い第1のフォトレジスト層を形成し(S6)、第1のフォトレジスト層の上に、第1のフォトレジスト層まで到達する第1の開口を有するマスクパターン層を形成し(S7〜10)、マスクパターン層をマスクとして第1のフォトレジスト層をエッチングし、第1のフォトレジスト層に、第1の開口と連通し、かつシード層まで達する第2の開口を形成し(S11)、第1のフォトレジスト層をフォトレジストフレームとして、かつシード層を電極として、電気めっき法により、第2の開口内に金属層を形成し(S12)、第2の開口内に金属層を形成した後に第1のフォトレジスト層およびマスクパターン層を除去する(S13)。 (もっと読む)


【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Co、Pt及びNiを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 (もっと読む)


【課題】 フェライト薄膜は膜を構成する個々の結晶粒が柱状結晶から生成されると均一な薄膜が得られるが、成膜温度を一定条件下に保たないと結晶の柱状が崩れ、粒状の結晶に成膜されやすく、均一なフェライト薄膜の製造は困難であった。そこで、全体にわたって均質で、かつ優れた軟磁気特性を有するフェライト薄膜の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 側面ヒーター5が基体7の側面に配置され、側面の斜め上方向から基体表面が加熱される。基体上にフェライト結晶が成膜されるが、基体表面に充分に熱が照射されることにより、フェライト結晶の上面は常に初期の基体上面の温度と同程度の温度に保つことができるため、均一な柱状結晶を得ることが可能である。 (もっと読む)


【課題】軟磁気特性を向上させながら、パルスめっきによるピンホールの発生を抑制することができる磁性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属及び卑金属を含有する下地層2にパルスめっきを施して、下地層2上に、磁性材料からなるめっき層3を析出させる。貴金属としては、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Ir、Pt、Auから選択された少なくとも一つを採用することができる。また、卑金属としては、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Moから選択された少なくとも一つを採用することができる。 (もっと読む)


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