【課題】処理対象基板を静電的に固定する機構を設けることなく耐圧処理できる構成を提供する。
【解決手段】電源５２ａ，５２ｂをそれぞれ処理電極３４と電圧規定用電極６４とに電気的に接続し、各々所定の電位に規定する。処理電極３４には負の高電圧を印加する。また、電圧規定用電極６４には正の高電圧を印加し、前面基板１１は電気的に接続せず、浮遊電位（フローティング電位）とする。 （もっと読む）

【課題】平面型表示装置の製造完了後、工場出荷前において、電子放出領域の電子放出状態の差異を所望の状態に近づけることを可能とする平面型表示装置の処理方法を提供する。
【解決手段】電子放出領域を備えたカソードパネルと、蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが外周部で接合された平面型表示装置の処理方法であって、各電子放出領域に一定の電圧を印加して各電子放出領域から電子を放出させて、所定の行において、電子放出領域における初期電子放出状態を測定した後、高い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域に、低い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域よりも高い電圧を、所定の時間、印加するエージング処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】処理電極への異物の付着・堆積を正確に検出し、正常な耐圧処理の実施を可能とする技術を提供する。
【解決手段】処理電極を処理対象基板に対向させた状態で、前記処理電極と前記処理対象基板との間に電圧を印加することによって、前記処理対象基板上の異物を除去する基板処理を行う基板処理装置において、基準電極と、前記処理電極と前記基準電極の少なくとも一方を移動させることによって、前記処理電極を前記基準電極に対向させる移動機構と、前記処理電極を前記基準電極に対向させた状態で、前記処理電極と前記基準電極との間に電圧を印加することによって、前記処理電極表面の異物付着状態を検査する検査手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板と処理電極との間の電位差を高めて処理対象基板を耐圧処理することにより、耐圧特性の高い画像表示装置を製造することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】高電圧を印加することにより、処理対象基板２と処理電極部２２との間に電界を形成し、処理電極部２２と対向している処理対象基板２の表面を耐圧処理する基板処理装置において、処理電極部２２は、高電圧が印加される処理電極２２１と、処理電極２２１の表面を覆う表面被覆部２２２ａと当該表面被覆部２２２ａの端部から延在される側壁部２２２ｂとを含む誘電体２２２と、誘電体２２２を固定する固定ベース２２３と、固定ベース２２３と誘電体２２２の側壁部２２２ｂとの間に介在すると共に接地電位に保持される外側電極２２４と、誘電体２２２の内側表面における処理電極２２１との非接触領域に配置される高抵抗膜２２５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）

電界放出陰極アセンブリと陽極との間の真空の間隙に保護蒸気が存在している電界放出デバイス。保護蒸気は、Ｍ−Ｈ結合（式中、ＭはＣ、Ｓｉ、Ｂ、ＡｌまたはＰであり得る）を含有するガスなどの１種または複数種の水素含有ガスであり得る。保護蒸気は、真空の間隙中において、２０℃で約１０^−８Ｔｏｒｒ（１，３３×１０^−６Ｐｅ）超の分圧を有する。
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【課題】１つの室内に充填気体を有し、他方の室内に真空圧を有する、二重室システムは、環境中の気体による汚染を回避しつつ、１つ又はより多くの真空管をバーンインする手段を提供する。
【解決手段】真空管１０１は、密封する前に真空管をバーンインする。バーンイン過程は、数日掛かり、環境中の気体が真空管を汚染するのに十分な機会を与えてしまう。真空管の充填管１０３は、真空室を通って充填気体室内に入る。充填管を通過して真空室内部に漏洩する環境中の気体は、真空圧により排気される。同様に、充填管を通過して充填気体室から真空室へと漏洩する充填気体もまた、真空圧により排気される。このように、環境中の気体は、真空管を汚染させる前に、吸引して除去される。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を維持しながら、駆動の長短にかかわりなく安定した表示性能を維持し、かつパネルのエージング時間の短いＰＤＰおよびＰＤＰ装置を提供する。
【解決手段】ＰＤＰ装置のパネル部においては、放電空間にＸｅ−Ｎｅ放電ガスを含み、少なくとも、放電ガスの全圧が、２×１０^４Ｐａ以上６×１０^４Ｐａ以下で、Ｎｅの分圧が０．３×１０^４Ｐａ以上１×１０^４Ｐａ以下で、かつ、キセノン（Ｘｅ）ガスの濃度が５０％〜８５％である範囲内で充填されている。即ち、本発明に係るＰＤＰ装置では、放電ガスを高Ｘｅ（５０％〜８５％）として高い発光効率を得るとともに、全圧に対するＮｅガスの分圧を０．３×１０^４Ｐａ以上１×１０^４Ｐａ以下に規定することで、駆動時における放電を原因とする保護層のスパッタリングによる削れの発生が抑制とパネルのエージング時間の短縮が実現される。 （もっと読む）

【課題】ランプ製造に際して各種工程における各加工装置が精度よく同期動作できるようにするとともに、コストの増大を抑制することができるランプ製造装置を提供する。
【解決手段】ランプ製造装置１００は、封止装置４１等の加工装置、マスター３１、伝送路３３を備える。マスター３１は、基準位相角度生成手段５１、パルス信号生成手段５２を備え、基準位相角度を生成し、基準位相角度に対応するパルス信号をスレーブ３２に出力する。パルス信号は、予め定められた特定パルス列に当てはめて出力される。スレーブ３２は、基準位相角度復元手段５３、加減速信号出力手段５４、インバータ５５を備え、基準位相角度復元手段５３は、入力されたパルス信号からなる参照パルス列から基準位相角度を復元する。復元された基準位相角度とモータ５６の機械軸の位相角度等とに基づいて、インバータ５５に加減速信号を出力し、モータ５６の機械軸を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は改良された安定性を備える冷電界電子エミッタを提供することである。
【解決手段】安定した冷電界電子エミッタは、エミッタ・ベース材料上にコーティングを形成することによって製造される。コーティングは残留気体の吸着およびイオンの衝撃からエミッタを保護するため、冷電界エミッタは、比較的高い圧力における短期および長期の安定性ならびに適度の角電子放出を示すことができる。 （もっと読む）