【課題】フラットパネルディスプレイ及び／又は電子デバイス製造に関し、小型化の電子デバイス製造チャンバを提供する。
【解決手段】第１の態様において、第１のマルチピースチャンバが提供される。該第１のマルチピースチャンバは、（１）第１の側部及び第２の側部を有する中央ピースと、（２）該中央ピースの該第１の側部と結合するように適合された第１の側部ピース１０９と、（３）該中央ピースの該第２の側部と結合するように適合された第２の側部とを含む。該中央ピース、第１のピース及び第２の側部ピース１１１は、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速、且つ低コストでウェハ表面及び内部の電荷を除去する電荷消去装置及びこの電荷消去装置を用いた電荷消去方法を提供する。
【解決手段】 電荷消去装置は、ウェハ４にウェハ上側に設置された第１のイオナイザ１０１と、ウェハ下側に設置された第２のイオナイザ１０２と、イオン吹きつけ範囲１０２ｄに干渉しないヒートプレート１０５と、ヒートプレート１０５にウェハ４を設置するための絶縁支持ピン１０３とを含んでいる。ウエハ上部のパッシベーション膜３がマイナス電荷を有する場合、ウエハを加熱し、第２のイオナイザでウエハ下面にマイナスの電荷を印加し帯電させた後、第１のイオナイザでウエハ上面にプラス電荷を吹き付けてパッシベーション膜内部のマイナス電荷をウエハ上面に引き寄せて電荷を消去し、第２のイオナイザでウエハ下面にプラス電荷を吹き付けて電荷を消去する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を低減し、且つ大面積の単結晶半導体膜を形成することを可能とするＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】複数の第１の単結晶半導体膜が形成された第１の基板上に、接合層として機能する第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を平坦化した後、第１の絶縁膜上に単結晶半導体基板を貼り合わせて熱処理を行い、第２の単結晶半導体膜を形成する。次いで、第１及び第２の単結晶半導体膜をシード層として第３の単結晶半導体膜を形成し、第３の単結晶半導体膜にイオンを導入して脆化層を形成した後、第３の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、第２の基板を第２の絶縁膜上に重ね合わせて熱処理を行い、第２の絶縁膜を介して第２の基板上に、第３の単結晶半導体膜の一部を固定されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

本明細書においては、デバイスを作成するための、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なプロセスと、伸張、圧縮、撓曲、又は他の態様で変形される場合に良好な性能を示すことが可能な、半導体、電子回路、及びそれらの構成要素などの、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なデバイスとが、開示される。歪み隔離層は、機能デバイス層に対して良好な歪み隔離をもたらす。多重層デバイスは、歪み誘起破損を受けやすい材料を含む機能層に対してコインシデントである又は近位に位置するようにニュートラル機械表面を位置決めするように、構築される。ニュートラル機械表面は、多重層デバイスの層のいずれかをパターニングすることなどにより、空間的に不均一である特性を有する１つ又は複数の層によって位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが正常動作するか否かにかかわらず、従来のように画質低下を招かず、チップ面積を増大させることもなく、チップ内に生産情報などの各種の情報を外部から視認可能に記録する。
【解決手段】基準パターンとしての例えば十字ターゲット模様に対して、製造情報およびその他情報内容と一対一に対応した所定のオフセット量を持たせたオフセットパターンとしての例えばドット模様を、外部から視認可能な情報書込位置Ｐであって周辺回路部５２のさらに周辺の情報書込位置Ｐに設けられる。 （もっと読む）

【課題】 恒温空気に対する風量分布及び温度分布の均一化を図るとともに、低コスト性を高める。温度分布等の均一化を維持する上での安定性及び信頼性、更には適応性及び汎用性を高める。
【解決手段】 送風部３ｐ…の吐出口部３ｐｏ…と被空調部Ｍ間に、送風部３ｐ…の吐出口部３ｐｏ…から吐出した恒温空気Ａｃを整流して排出する空気整流室Ｃｐ…を形成するボックス部６ｐ…を設け、このボックス部６ｐ…の恒温空気排出側の面を、多数の小孔Ｈｍ…を設けた主整流板部７ｐ…により構成し、かつボックス部６ｐ…の恒温空気給入側の面に、送風部３ｐ…の吐出口部３ｐｏ…を接続するとともに、この吐出口部３ｐｏ…に対して所定間隔だけ離間した位置に、当該吐出口部３ｐｏ…から流入する恒温空気Ａｃ…を分散させ、かつ整流する多数の小孔Ｈｓ…を設けた補助整流板部８ｐ…を配する。 （もっと読む）

【課題】搬送の効率を向上してスループットを向上した真空処理装置を提供する。
【解決手段】複数のキャリアカセットが装着される大気搬送室３１、複数の真空処理室７１〜７４、大気搬送装置３２、複数のロック室５１，５２、真空搬送装置６２、およびこれらを制御する制御装置１０１を備え前記キャリアカセットに収納されたウエハを大気搬送装置を介して複数のロック室と、前記処理室間とを搬送し、更に前記キャリアカセットに戻す真空処理装置において、前記制御装置は、処理済みの試料を前記ロック室を介して大気側に搬出する順番を定めた搬出順番テーブルおよび未処理の試料を前記ロック室を介して真空側に搬入する順番を定めた搬入順番テーブルを備え、搬出予約されていないロック室がある場合、搬出順番テーブルで最先の搬出順番待ちとなっているウエハを搬出する処理を、未処理の試料を前記ロック室を介して真空側に搬入する処理に優先して実施する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＩＳ集積回路装置等の量産において、ＭＩＳＦＥＴのゲート長等の変動により、Ｖｔｈ等の電気特性が変動する問題が、短チャネル化によって、深刻な問題となってきている。この問題を解決するために、先行する変動要因プロセスの変動を後続の変動要因プロセスを逆側に振って、変動要因を相殺するフィード・フォーワッド技術が種々検討されている。これらのフィード・フォーワッド技術は、相殺プロセスの効果が全体に及ぶため、単一種類のＭＩＳＦＥＴを搭載した製品では、比較的容易に適用できるものの、複数種類のＭＩＳＦＥＴ搭載した製品では、適用が困難である。
【解決手段】本願発明は、ゲート電極パターニング工程およびオフセット・スペーサ成膜工程の結果に基づいて、多変量解析の手法により、ハロー注入量を調整するものである。 （もっと読む）

【課題】薄型化基板においても加工時の割れやかけを防止し、反りやひずみもなく、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子形成領域を含む半導体基板本体部と、前記半導体基板本体部の周りに形成され、前記半導体基板本体部よりも厚さの厚い枠体部とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弁体加熱用ヒータを真空処理雰囲気と隔離して大気雰囲気中に置くとともに交換可能な構造とすることにより、伝熱効率が良く、弁体の温度制御が十分に可能であり、パーティクルの発生がなく、かつ、ヒータ部分の交換が可能なゲートバルブを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のゲートバルブは、真空処理装置における真空処理室の開口部を開閉するゲートバルブにおいて、弁体と、該弁体を加熱するための弁体加熱用ヒータと、一方の面に弁体を支持し、他方の面に弁体加熱用ヒータを収納するヒータ収納部を有する弁体支持部材と、該弁体支持部材のヒータ収納部を密閉する蓋と、弁体支持部材を支持するとともに内部に大気と連通する挿通孔を有する弁ロッドとを備え、蓋をＯリングを介して弁体支持部材に着脱可能に固定し、弁体支持部材のヒータ収納部と弁ロッドの挿通孔とを連通する接続通路を弁体支持部材に設けることを特徴としている。 （もっと読む）