集積回路にワイヤー部（１０_１、１０_２）を形成する方法は、シード材質の層部分（１_１、１_２）の側面上にワイヤー部をエピタキシャル成長する段階を備える。ワイヤー部の断面寸法はシード材質の層部分の厚さ及び成長段階の継続時間に対応する。その後、シード材質の層部分が選択的に除去され、ワイヤー部が回路上に固定的に保持される。その後、回路を加熱することで、ワイヤー部の断面を丸くすることができる。得られたワイヤー部の直径は、約１０ｎｍとすることができる。この方法は、ショットチャネル効果がないＭＯＳトランジスタのチャネルを形成するのに用いられ得る。
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【課題】 製造コストの低減と、酸化膜の膜質の改善、炭化珪素半導体基板と酸化膜の界面特性の改善、並びに酸化膜間の界面特性の改善による品質の向上に寄与する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 炭化珪素半導体基板へのイオン注入後の熱処理工程と、炭化珪素半導体基板の一方面上に、酸素を含むガスを用いてゲート絶縁膜６となる薄膜の第１の酸化膜を形成する工程と、酸素を含むガスと珪素を含むガスを用いて第１の酸化膜上にゲート絶縁膜６となる厚膜の第２の酸化膜を形成する工程を、一つの熱処理炉内で順次実施可能にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型化されたガラス基板等の絶縁表面を有する基板上にＳＯＩ技術を用いて大面積の単結晶半導体膜を形成する際に、複数のシリコンウエハーを用いた場合でも複数の単結晶半導体膜に隙間を生じることなく大面積の単結晶半導体膜を形成するＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】固定基板１０２上に第１のシード基板１０４を配置し、第１のシード基板１０４上に複数の単結晶半導体基板１１３を敷き詰めて並べることにより構成された第２のシード基板を配置し、イオン注入剥離法とエピタキシャル成長法を用いて、連続した大面積の単結晶半導体膜を形成した後、再びイオン注入剥離法により、大型のガラス基板１１６上に大面積の単結晶半導体膜１１７を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスを効果的に改善できる貼り合わせウェーハの製造方法を提案する。
【解決手段】活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、
活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10¹⁵〜５×10¹⁶atoms/cm²の条件で酸素イオンを注入する。 （もっと読む）

【解決手段】 イオン注入によって活性化された２つの基板を接合するウェハ接合方法を開示する。インサイチュイオン接合チャンバによって、イオン活性化および接合を、製造処理ラインで利用されている既存の処理ツールで、実行することができるようになっている。基板のうち少なくとも一方の基板のイオン活性化を低い注入エネルギーで行って、薄い表面層よりも下方のウェハ材料がイオン活性化によって影響をうけないようにする。 （もっと読む）

【課題】低ドーズ量のイオンで容易に剥離を行うことが可能な半導体基板の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一方の面から、シラン又はハロゲン化ケイ素をプラズマ励起して生成されたイオンを照射することにより、該単結晶半導体基板に分離層を形成し、前記単結晶半導体基板の一方の面と、絶縁表面を有する基板とを接合し、熱処理を行うことにより、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離する。 （もっと読む）

【課題】 ステップバンチング防止のために炭化珪素ウエハ上に形成されるカーボン保護膜に対して、不純物の混入が極めて少なく、かつ炭化珪素ウエハに対する不均衡な熱応力による結晶欠陥の増大を防止するカーボン保護膜の形成方法を提供し、品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 炭化珪素ウエハ（１，２）の表面内に不純物をイオン注入する工程と、不純物のイオン注入後に、炭化水素ガスを熱分解させて成膜する化学気相成長法により炭化珪素ウエハの全表面に所定の厚さのカーボン保護膜（６）を形成する工程と、カーボン保護膜（６）が形成された炭化珪素ウエハ（１，２）をアニールする工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを制御する技術を開示する。１つの特定の実施態様では、その技術は荷電粒子加速／減速システムとして実現できる。荷電粒子加速／減速システムは加速段を備えてもよい。加速段は荷電粒子ビームが通過できる開口部を有する複数の電極を含んでもよい。荷電粒子加速／減速システムは前記複数の電極に電気的に結合された複数の抵抗器も備えてもよい。荷電粒子加速／減速システムは、さらに、前記複数の電極及び前記複数の抵抗器に電気的に結合された複数のスイッチを備えてもよく、前記複数のスイッチの各々は、複数の動作モードでそれぞれ選択的に切り替えられるように構成できる。
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【課題】チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。
【解決手段】ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。チャネル拡散層１０３は不純物として炭素を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）