【課題】ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】 ボディ領域のコーナー部における電界集中を緩和する。
【解決手段】 縦型の半導体装置１００は、ｎ型半導体領域５とボディ領域８とチャネル領域１４と第１接続領域２６と第２接続領域１２とゲート電極１８とトレンチ電極２２,２４を備えている。ｎ型半導体領域５は、電源電圧の一方の極性に電気的に接続している。ボディ領域８は、ｎ型半導体領域５上に間隙Ｌを残して設けられている。チャネル領域１４は、ボディ領域上に設けられている。第１接続領域２６は、ｎ型半導体領域５とチャネル領域１４を電気的に接続している。第２接続領域１２は、チャネル領域１４と電源電圧の他方の極性を電気的に接続している。ゲート電極１８は、チャネル領域１４を介してボディ領域８に対向している。トレンチ電極２２,２４は、間隙Ｌ内に設けられており、絶縁膜２４とその絶縁膜で被覆された導電体２２を有する。 （もっと読む）

【課題】サイドウォール形成時に異常放電が生じることを抑制できる半導体装置の製造方
法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、縁から２．５ｍｍ以上離れた領域に
位置するゲート絶縁膜３ａ，３ｂを表面に有する半導体ウェハ１の全面上に、導電膜４及
び反射防止膜１０を形成する工程と、第１マスクパターン５０をマスクとしたエッチング
により、半導体ウェハ１の周縁部１ｃ上に位置する反射防止膜１０を除去する工程と、反
射防止膜１０上に第２マスクパターンを形成し、該第２マスクパターンをマスクとして反
射防止膜１０及び導電膜４をエッチングすることによりゲート電極を形成する工程と、ゲ
ート電極上、ゲート絶縁膜３ａ，３ｂ上、及び素子分離膜２上に絶縁膜を形成する工程と
、この絶縁膜を、平行平板型のエッチング装置を用いてエッチバックすることにより、サ
イドウォールを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】単一のチャンバーで多様な工程を行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のパターンを有する半導体基板に対して、互いに異なる多数の工程が行われる工程チャンバー６００、各工程を行うための工程ガスを工程チャンバーの内部に独立して提供されるガス供給部７１０、ガス供給部と連結され工程チャンバーの上部に配置される多数の上部電極７２０及び上部電極と一対一で対応するように工程チャンバーの下部に配置され上面に前記基板が搭載される多数の下部電極７３０及び上部電極に電源を供給する第１電源及び下部電極に電源を供給する第２電源を具備する電源供給部７４０を含む。このような構成を採用したことにより、真空断絶なしに互いに異なる工程を行うことにより工程欠陥を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】有機フィルムの如き基体の上に白金膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】白金化合物を含む第二の基体から白金化合物を昇華させ、その昇華気体を白金膜を形成するための第一の基体上に供給し且つ分解して第一の基体の表面に白金膜を形成する、白金膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳがＦＵＳＩゲートを含む場合、異なるシリサイド相を有する第１および第２の制御電極が形成され、ゲート形成後の熱工程等により各ゲートの異なったシリサイド相中のＮｉ等の金属はゲート電極間を拡散しない半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の制御電極１７の金属半導体化合物から、第２の制御電極１８の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域２３を形成する。ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。基板１５表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、１．３３×１０^-4Ｐａ以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。 （もっと読む）

【課題】低リーク電流、高移動度の半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上にシリコン酸化膜、第一のハフニウム含有窒化シリケート膜、第二のハフニウム含有窒化シリケート膜が順次積層されたゲート絶縁膜、および金属シリサイド電極が積層されたゲート構造を含むＭＩＳＦＥＴを有し、前記第一のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５〜１０％であり、窒素原子濃度が５〜１０％であり、前記第二のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５０〜６０％であり、窒素原子濃度が２０〜４５％であり、前記ゲート絶縁膜の膜厚が１．８〜３．０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体からなる電子素子、光素子を製造する上で、酸化亜鉛、および酸化亜鉛固溶体の結晶構造に由来する自発分極の方向を考慮した結晶成長が求められる。これらを実現するには、結晶成長に際しての基板材質の選択、および、結晶成長時の成長条件、あるいは、結晶成長後の後処理等を検討し、所望の自発分極方向、すなわち、所望の結晶成長方向に対して結晶を成長する技術が得られなければならない。かつ、製造コストなどの経済性を考慮した場合、より流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛を提供することが求められる。
【解決手段】
本発明の素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、前記酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛（０００１）面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 III-Ｖ族窒化物半導体からなりバイアホール構造を有する半導体装置において、基板と半導体層との間に生じる漏れ電流を防止すると共にバイアホールの形成を容易にして高周波特性、高出力特性及び大電力特性を得られるようにする。
【解決手段】 半導体装置は、導電性基板１１の上に形成された高抵抗のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮからなるバッファ層１２と、該バッファ層１２の上に形成され、チャネル層を有するアンドープのＧａＮ及びＮ型のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮからなる素子形成層１４と、素子形成層１４の上に選択的に形成されたソース電極１６、ドレイン電極１７及びゲート電極１５とを備えている。ソース電極１６は、バッファ層１２及び素子形成層１４に設けられた貫通孔１２ａに充填されることにより導電性基板１１と電気的に接続されている。 （もっと読む）