【課題】純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。
【解決手段】ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で４５０゜Ｃ未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが２μｍ以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を６倍以上、厚さと長さの比を２．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第１の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 高融点金属シリサイドを形成しない領域上に、複数層構造の高融点金属拡散防止膜２００が形成され、この上に高融点金属膜２０６が形成される。 （もっと読む）

本発明は、式Ｍ（Ｌ）_３（式中、Ｍは、第ＶＩＩＩ族金属、例えばルテニウムであり、Ｌは、同じか異なり、置換若しくは非置換アミジナト基又は置換若しくは非置換アミジナト類似基を表す）で表される有機金属化合物を製造する方法であって、（ｉ）溶媒の存在下、及び前記有機金属化合物、例えばルテニウム（ＩＩＩ）化合物を含む反応混合物を生成するのに十分な反応条件下で、置換若しくは非置換金属源化合物、例えばルテニウム（ＩＩ）化合物を、置換若しくは非置換のアミジネート又はアミジネート類似化合物と反応させること、及び（ｉｉ）前記反応混合物から前記有機金属化合物を分離することを含む方法に関する。この有機金属化合物は、被膜堆積のための化学蒸気又は原子層堆積前駆体として、半導体用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】良好なコンタクトを得ることが可能なコンタクトホールを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。すると、図２（Ａ）に示すＲＴＮ法を用いた熱処理時に、チタンシリサイド層５７の成長を適度に抑制して最適化することができる。その結果、不純物拡散層５２の接合深さが浅い場合でも、工程４におけるＲＴＮ法を用いた熱処理時に、コンタクトホール５５の底面部に形成されたチタンシリサイド層５７が成長し過ぎて不純物拡散層５２を突き抜けるのを防止可能になり、チタンシリサイド層５７と単結晶シリコン基板５１とが直接接続されてショートするコンタクトリークが生じなくなる。 （もっと読む）

【課題】表面の粗さが低い導電薄膜の堆積を可能とする半導体プロセス、並びに連続的な粒子境界の存在しない導電薄膜の堆積を可能とする半導体プロセスを提供する。
【解決手段】導電膜１１は、２つ以上の異なる金属窒化物２１，２２，２３からなり、基板１０に堆積されている。これによって、チタン窒化物のみを用いて導電膜１１を製造する場合より小さな寸法を有する粒子構造が製造される。また、より平滑な表面を有する膜の製造と、純粋なチタン窒化物膜に比較した全膜厚の減少とが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ構造の両方の極性の素子に対してコンタクト抵抗の低減を図り、Ｆｉｎ−ＭＯＳＦＥＴ構造による移動度の増大を享受しつつ、製造コストの増大を回避する。
【解決手段】 ＭＯＳ型半導体装置において、絶縁膜１０１上に薄壁状に形成された単結晶半導体層１０２と、半導体層１０２の両側壁面上にそれぞれゲート絶縁膜１０４を介して形成されたゲート電極１０５と、ゲート電極１０５に対応して半導体層１０２に形成されたソース・ドレイン領域と、半導体層１０２の一方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第１の金属−半導体化合物層１１２と、第１の金属−半導体化合物層１１２とは組成が異なり、半導体層１０２の他方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第２の金属−半導体化合物層１２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトプラグとのコンタクト抵抗を低減したトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 トランジスタとコンタクトプラグとを有する半導体装置であって、トランジスタのドレイン電極は、ゲート電極側に設けられ、導電性不純物が拡散された第１の不純物拡散層３と、第１の不純物拡散層よりもゲート電極から離れて配置され、コンタクトプラグと接触し、第１の不純物拡散層よりも濃度の高い第２の不純物拡散層４と、第２の不純物拡散層よりもゲート電極から離れて配置され、コンタクトプラグと接触し、第２の不純物拡散層よりも濃度の高い第３の不純物拡散層５とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置製造においてにおいて、界面準位を低減するための手段として、水素を含む雰囲気中での熱処理が採用されているが、金属配線のバリアメタル層にチタンを使用した場合、チタンが水素を吸着するために、水素熱処理を行っても界面準位が低減しない問題があった。本発明では、バリアメタルにチタンを含む膜を使用した場合であっても、界面準位を低減することができる半導体装置の製造方法を提案する。
【解決手段】 シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素層を有する半導体素子において、量産性に優れた実用的なプロセスを用いてチャネル移動度を向上させる
【解決手段】
（Ａ）炭化珪素層３の上に酸化物層１１を形成する工程と、（Ｂ）酸化物層１１に対して窒素処理を行うことにより酸化物層１１に窒素を含有させて窒素含有酸化物層１２を形成する工程とを包含し、窒素処理は、窒素酸化物ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を含むガスをアルゴンより分子量の小さい不活性ガスで希釈した窒素含有ガスに１１００℃以上１３００℃以下の温度で酸化物層１１の表面を曝露する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 隣接するゲート電極を狭ピッチで配置できる上、埋め込みによりシリコン基板面上での微細化を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン半導体基板１上に形成された隣り合うトランジスタのゲート電極と、トランジスタ間に金属層を埋め込んでなり、各ゲート電極９，１０の端部がゲート絶縁膜８を介して金属層の端面に重なるように配置された埋め込み金属層７と、各ゲート電極の他端部側に形成されたＬＤＤ領域１６，１７とを備える。 （もっと読む）