【課題】 同一の処理液を使用して、膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続して成膜できるようにする。
【解決手段】 表面の配線用凹部に埋込み配線を形成した基板を用意し、基板の表面に処理液に接触させつつ、基板の表面に対する処理液の相対的な流動状態を変化させて、配線の表面に膜厚方向に膜質の異なる金属膜を連続的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 インクジェット法等の液体プロセスにおいて形成するパターンに異常なパターンの発生を低減もしくは無くして高精度な平面パターンを有する基板を得る。
【解決手段】 端子部１０３に棒状の抜きパターン２０３を配置し、端子部１０３を櫛歯パターン２０１とし、各々の櫛歯パターン２０１の幅Ｄ_THを走査信号配線１０２の幅Ｄ_Gと同じ値とする。また、各々の櫛歯パターン２０１を縦方向に形成した櫛歯接続パターン２０２により接続する。櫛歯接続パターン２０２の幅Ｄ_TVも櫛歯と同様に走査信号配線１０２の幅Ｄ_Gと同じ値とした。これにより、この平面パターンを適用することで、図１（ａ）における特徴点ａ，ｂの圧力は，従来の平面パターンでは特徴点ｅの０．１倍であったのに対し、１．０倍へと大幅に改善される。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】 配線パターン形成方法は、バンクパターンに縁取られたパターン形成領域における所定のセクションへ液状の導電性材料の液滴を吐出して、パターン形成領域を覆う導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を含んでいる。セクションのＸ軸方向に沿った長さをＬとし、Ｙ軸方向に沿った長さをＭとすると、吐出される液滴の直径φは、Ｌ以下であるとともに、Ｍ以下である。そして、ステップ（Ａ）は、バンクパターンから少なくとも直径φの１／２倍離れた位置に液滴の中心が当たるように、液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムパターンを簡易に形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、基体上に、繊維束、フェルト体又は多孔質体からなるペン体を塗布媒体とする塗布機を用いてアラン・アミン錯体を塗布し、次いで熱及び／又は光で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 水素終端技術を用いて高い変換効率を有する太陽電池を量産することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の極性を有するシリコン基板の一方の面上に第１の電極を形成する工程と、第１の電極の形成後にシリコン基板の他方の面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマの照射後にシリコン基板の他方の面上に第２の電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。ここで、第２の電極の形成時におけるシリコン基板の温度が、第１の電極の形成時におけるシリコン基板の温度よりも低いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の電極形成領域上に、メッキ法によって、ｎ型の不純物を含む金属層２を形成し、金属層２に対して、焼鈍処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に形成された凹部に埋め込んだ銅配線の表面をパラジウム置換めっきするにあたり、銅配線の表面がエッチングされることを抑え、良好な電気特性を長期に亘り維持可能な半導体装置を製造すること。
【解決手段】 絶縁膜例えばＳｉＯＣ膜２１をエッチングすることにより形成した凹部２００に銅を埋め込んで銅配線２５を形成した後、カルボキシル基を有する有機酸溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて前記凹部２００に埋め込まれた銅配線２５の表面をパラジウム置換めっきする。そしてパラジウム膜２６が形成された銅配線２５の表面に無電解めっき液を用いて密着層２７を形成する構成とする。この場合、有機酸を選択したことにより、パラジウム置換めっき時に銅配線２５がエッチングさせることを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンを形成する際のプロセスタイムを短縮する。
【解決手段】 撥液性を有する基板Ｐ上に配線パターンを形成する配線パターン形成方法であって、液滴吐出法によって親液性材料Ｘ２を上記基板上に吐出配置することによって親液領域Ｈ１を形成する工程と、上記親液領域上に導電性微粒子を含む機能液を配置し乾燥、焼成させることによって上記配線パターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）