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国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

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【課題】 針を用いて層間膜にコンタクトホールを形成し、導電性材料を埋め込むことで導電部を形成する場合に、導電部による導通の信頼性を備え、凸部による配線の断線を防止した、コンタクトホールの形成方法、回路基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板20と、基板20上に設けられた第1の電極34bと、第1の電極34b上に設けられた層間膜32と、層間膜32上に設けられた第2の電極34とを備えた回路基板10に、層間膜32のコンタクトホールH内に埋め込まれて第1の電極34bと第2の電極34とを導通させる導電性材料からなる導電部300を形成する。まず、層間膜32に、針Pで機械的に孔を開けつつ、針Pに含有させた溶剤によって層間膜32を化学的に溶解することで、第1の電極34bに到達するコンタクトホールHを形成し、コンタクトホールH内に導電性材料を埋め込んで導電部300を形成する。 (もっと読む)


【課題】 少なくとも1つの窪みを有する第1領域と、前記少なくとも1つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第2領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、線幅の異なる2以上の溝を有する半導体構造に、第1の硫酸濃度を有するめっき液で銅の導電層を形成する第1工程と、前記第1の硫酸濃度より薄い第2の硫酸濃度を有するめっき液で、前記導電層上に更に導電層を積層する第2工程と、前記半導体構造上に成膜された銅の導電層を研磨する研磨工程とを有する。これにより、線幅の異なる2以上の溝を有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 レジストを用い、無電解めっきによって基板の表面に金属パターンを形成する方法であって、基板表面への密着性に優れた精細な金属パターンを得ることができるとともに、レジストパターンおよびその上の無電解めっき被膜を同時に除去すること、およびレジストパターン上の無電解めっき被膜のみを除去することのいずれもが容易になる方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理(例えば紫外線照射)し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】 微細な薄膜パターンを精度良く安定して形成できる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜パターンの形成方法は、基板P上に機能性材料の薄膜パターンを形成する方法であって、基板P上に受容層材料を含む受容層用インク32a(第1の機能液)を配して受容層パターン32を形成する受容層形成工程と、前記受容層パターン32に対し導電性微粒子等を含む導電層用インク(第2の機能液)を配して導電層パターン33を形成する機能層形成工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第1のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第2のめっき液によるパルスまたはPRパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第3のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物102をインクジェット法で基板101上に描画し、それにレーザ光103を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層105を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。
【解決手段】 インクジェット法を用いた層形成方法は、(a)第1レベル面上に位置する第1導電層21の側面が第1絶縁材料31Aで覆われるように、前記第1レベル面上に第1の濃度を有する前記第1絶縁材料31Aを吐出するステップと、(b)吐出された前記第1絶縁材料31Aを活性化または乾燥して、前記第1導電層21に接する第1絶縁層31Bを形成するステップと、(c)前記第1導電層21上と前記第1絶縁層31B上とに、前記第1の濃度よりも高い第2の濃度を有する第2絶縁材料を吐出するステップと、(d)吐出された前記第2絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第1導電層21と前記第1絶縁層31Bとを覆う第2絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】
透明性と導電性を兼ね備えたITO透明伝導膜を、塗布法、特にインクジェット印刷法により形成するのに適した透明伝導膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】
透明伝導膜形成用塗布液を、AcAcIn、錫化合物、セルロース誘導体、アルキルフェノ−ル及び/又はアルケニルフェノール、二塩基酸エステル及び/又は酢酸ベンジル、ジエチレングリコール誘導体を含み、AcAcInと錫化合物との合計含有量を1〜30重量%、セルロース誘導体の含有量を5重量%以下の組成とすることで、インクジェット印刷に適した低粘性の透明伝導膜形成用塗布液を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 十分なエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、絶縁材料からなる第1の層間絶縁膜が形成されている。第1の層間絶縁膜をビアホールが貫通する。ビアホール内に、銅または銅を主成分とする合金からなる導電プラグが充填されている。第1の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第2の層間絶縁膜が形成されている。第2の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。配線溝内に、銅または銅を主成分とする合金からなる配線が充填されている。導電プラグ中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計が、配線中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計よりも低い。 (もっと読む)


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