【課題】容量素子と電気信号処理回路とが同じ半導体基板に集積化された半導体装置であって、前記容量素子における広範囲の容量値に渡って、小型且つ低コストで製造できる半導体装置を提供する。
【解決手段】容量素子（湿度センサ素子）１０と、容量素子１０を用いた電気信号処理回路（センサ信号処理回路）とが、同じ半導体基板１の一方の面側に形成されてなる半導体装置１００，１０１であって、容量素子１０が、半導体基板１上に、スクリーン印刷により形成されてなる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハの大きさや、シリコンウエハに形成される給電層の厚さに関わらず、シリコンウエハに対して均等に電解めっきを施すことが可能なウエハめっき用治具を提供する。
【解決手段】めっき給電層が形成されたウエハＷに給電手段１６により給電して電解めっきを施す際に用いられるウエハめっき用治具１０であって、電源と導通する本体部１２と、本体部１２と電気的に接続され、ウエハＷに給電する給電手段１６と、ウエハＷを保持するウエハ保持手段とを有し、給電手段１６は、ウエハＷのめっき給電層が形成された面内に散点的に当接することを特徴とするウエハめっき用治具１０である。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出法を用いてゲート配線あるいはゲート配線と同一工程で形成される配線を形成しかつ絶縁膜を薄膜化した場合における絶縁不良を防止する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ３０の少なくともゲート電極４１を兼ねるゲート配線４０の形成方法であって、上記ゲート配線４０の構成材料を含む液体材料を液滴として吐出する液滴吐出法を用いることによって、上記ゲート配線４０の一部４１を他の上記ゲート配線４０の部分よりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】 例えば配線等の下地金属の内部にボイドを発生させることなく、下地金属の露出表面に無電解めっきによって金属膜を確実に形成でき、しかも、スループットを向上させることができるようにする。
【解決手段】 下地金属を形成した基板の表面に無電解めっきにより金属膜を形成するに際し、基板の表面を、カルボキシル基を有する有機酸またはその塩の水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液で洗浄し、洗浄後の基板の表面を、金属触媒イオンを含む溶液に前記洗浄液を混合した処理液に接触させて基板の表面に触媒を付与する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板の表面にめっき用触媒を均一に付着させることができ、高品質の無電解めっき膜を形成可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっきを、Ｓｉ基板表面の酸化物を除去する工程（手順Ｓ１）、酸化物が除去されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ２）、Ｓｉ基板の表面に存在する水素をハロゲンで置換する工程（手順Ｓ３）、水素がハロゲンで置換されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ４）、Ｓｉ基板の表面にめっき用の触媒を付与する工程（手順Ｓ５）、めっき用の触媒が付与されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ６）、Ｓｉ基板の表面に所要の無電解めっき膜を形成する工程（手順Ｓ７）、めっき膜が形成されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ８）、洗浄後のＳｉ基板を乾燥する工程（手順Ｓ９）とを経て行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜厚のウェハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、メタル配線を用いた多層配線構造を有する半導体集積回路が形成され、各々が独立したチップになる複数のチップ領域１１と、メタル配線を用いた多層配線構造を有し、複数のチップ領域の各々を取り囲む複数のチップリング１２とを備え、複数のチップリング１２は、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【目的】炭化ケイ素基板に対して、メッキ法によりニッケル−炭化ケイ素基板間に汚染物質の少ないニッケル電極形成方法および装置を提供することにある。
【構成】炭化ケイ素基板にメッキによりニッケル電極を形成する前に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ、陽極側に電圧を印加することでエッチングを行う。このとき電解液の温度を６０℃以上に上昇させることで、エッチングが効果的に行える。エッチング後、炭化ケイ素基板に陰極側の電圧を印加することでニッケルのメッキを行う。これにより、ニッケル−炭化ケイ素界面に汚染物質の少ないニッケル電極を形成することができる。さらに、本発明の電極形成方法を半導体素子の製造工程において、ニッケルショットキー電極の形成、ニッケルオーミック電極の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下、不活性雰囲気での加熱処理によって、基材の上に体積抵抗値の低い金属薄膜の形成が可能な金属微粒子分散体、及び金属微粒子分散体を用いた金属薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】 一次粒子径が３０ｎｍ以下の金属微粒子及び分散媒を含む金属微粒子分散体であって、分散媒が直鎖状脂肪族ポリエーテル化合物を含有する金属微粒子分散体。 （もっと読む）

【課題】封止性が改善され、単体の半導体デバイスや、ＩＣ内部の特定領域のみでのシールドや封止を可能とし、十分な耐湿性、耐サージ性を有する電子部品を提供する。
【解決手段】この発明における電子部品は、基板１上に複数の回路素子２が設けられた電子部品において、上記基板上の特定の所望の部位に、金属ナノ微粒子を含む導電性インクを例えばインクジェット方式によって塗布した後、焼成して金属薄層からなるシールド部材１１を設けるようにして、上記課題を解消したものである。 （もっと読む）