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国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

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高分解能の構造を有する有機電子要素およびそれを製造する方法。本発明は、高分解能の構造を有する有機電子要素に関し、特に小さいソース−ドレイン間隔を有する、有機電界効果トランジスタ(OFET)およびそれを製造する方法に関する。有機電子要素は、コンダクタ・トラック/電極が配置され、処理工程においてレーザにより焼かれた凹部を有する。
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【課題】 本発明は、薄膜トランジスタに用いられるゲート電極や半導体膜を、簡易かつ安価な工程によってサブミクロンオーダーの精度で形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板上に、半導体材料を含む液滴(14)を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に半導体材料を析出させることによって、半導体膜(16)を形成する工程と、を含む半導体薄膜の形成方法、および/または、導電性材料を含む液滴を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に導電性材料を析出させることによってゲート電極を形成する工程と、を含むゲート電極の形成方法を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板10の表面に第1の絶縁膜11を介して支持体14を形成する。次に、半導体基板10の一部を当該裏面から選択的にエッチングして開口部10wを形成した後、当該裏面に第2の絶縁膜17を選択的に形成する。次に、開口部10wを含む半導体基板10の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物を、ノズル30aからの噴霧によってスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層18を形成する。そして、配線層18が形成された半導体基板10をベークし、配線層18を固化する。さらに、配線層18を所定のパターンにパターニングする工程を経る。 (もっと読む)


【課題】 有機EL素子や有機TFT素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明の配線基板の作製方法の一は、被処理物を有する第1の領域を形成し、一部の被処理物表面を改質して、第1の領域と境界線を有する第2の領域を形成し、境界線を越えて第1の領域の一部、及び第2の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を固化して導電層を形成し、境界線を越えて第1の領域の一部に形成された導電層を除去する。 (もっと読む)


【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 粘性の低い塗工液4を用いた場合においても、表面性変化層2上における孔版3の成膜部のみの濡れ性を向上させており、さらに孔版3と基板1とが密着しているため、基板1全面に塗工液4を付与しても、非成膜部への塗工液4付着、基板1と孔版3間への塗工液4流出といった問題が発生しない。よって、高精細かつ膜厚1μm程度以下の薄膜パターニングを、簡単なプロセスにて短時間で実現することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁膜の材料の違いによってプロセス条件を変えたりすることなく、配線の表面に金属膜を選択的に成膜でき、しかも、不要となったバリア膜を、機械的な要素が相対的に少ない方法で除去できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜10内に配線用凹部12を形成した基板表面にバリア膜14を形成し、次いで配線用凹部12内ならびに基板表面に配線材料16を成膜した基板Wを用意し、基板表面に成膜した余剰の配線材料16を除去して配線用凹部12内に埋込んだ配線材料16で配線18を形成するとともに、該配線形成部以外のバリア膜14を露出させ、配線18の表面に金属膜20を選択的に成膜する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、低コストで、低抵抗率かつ低接触抵抗率である電極を低温で形成できる太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板11の少なくとも一方の主面の表面から内部にかけての領域の少なくとも一部に、p型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のうち少なくとも一つを形成する工程と、導電性ペースト30をp型不純物拡散層14およびn型不純物拡散層12のそれぞれに接触するように塗布し、600℃以下の温度で焼成して電極40を形成する工程とを含み、導電性ペースト30に含まれる導電性粉末の含有率が、80質量%以上であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール1a及び配線溝1bを有するウェハWをめっき液に浸漬させ、かつウェハWとアノード11との間に電圧を印加して、ウェハW上にめっき膜4を形成する。めっき膜4を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハWをめっき液から取り出す。そして、シード膜3及びめっき膜4に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜5を形成する。最後に、ビアホール1a及び配線溝1bに埋め込まれた部分以外の配線膜5等を除去し、配線5aを形成する。 (もっと読む)


【課題】 塗布対象物との密着性が、従来よりも改善された導電性インキ組成物を提供する。また、金属の粒成長を抑制し、表面平滑性に優れた膜を形成することができる導電性インキ組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも貴金属を含む合金からなる金属微粒子の表面を、少なくとも二種の有機化合物からなる保護コロイドで被覆されてなる固形物を有機溶媒に分散させて導電性インキ組成物とする。上記保護コロイドには、例えば、(A)アミン類と、(B)カルボン酸とを含む原料から得られる保護コロイドを使用する。上記導電性インキ組成物を塗布、焼成することで、粒成長が抑制され、表面平滑性に優れ、塗布対象物との密着性が従来よりも改善された金属膜を得ることができる。 (もっと読む)


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