基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

支持体を含む要素であって、導電率増強剤を含有する印刷溶液が導電性層に接触すると、該印刷溶液と接触させられた領域の抵抗率が10分の1以下に減少するように、該支持体上に導電性ポリマーを含有する導電性高分子層が配置されている、要素。 （もっと読む）

【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が０．２ｎｍ以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の１原子層以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層７を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層８で埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウェーハの表面に金属層を堆積させる電気メッキ装置が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッドを、ウェーハの表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜の表面に形成される自然酸化膜の膜厚を薄くし、ボイドの発生を防止した多層配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法において、絶縁層に孔部４を形成する工程と、少なくとも孔部の内壁を覆うように、タンタルと窒素を主成分とするバリアメタル膜５を形成する工程と、バリアメタル膜の表面に形成された酸化膜６を除去する工程と、銅を含むめっき液にバリアメタル膜を浸漬してバリアメタル膜上に無電解銅めっき膜７を形成する工程とを含み、バリアメタル膜に含まれる窒素とタンタルの元素組成比（Ｎ／Ｔａ）を、０．３以上で、かつ１．５以下とする。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）