【課題】 縦型の半導体装置１００を製造する方法において、半導体ウェハ２の端部側面２ｃを研磨した場合でも、半導体ウェハ２の端部側面２ｃにめっき１４が成長することを抑制することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、半導体ウェハ２の表面２ａに表面電極４を形成する表面電極形成工程と、その後に、半導体ウェハ２の端部側面２ｃを研磨する側面研磨工程と、その後に、半導体ウェハ２の裏面２ｂを研磨する裏面研磨工程と、その後に、半導体ウェハ２の裏面２ｂに裏面電極１０を形成する裏面電極形成工程と、その後に、半導体ウェハ２の端部側面２ｃに酸化膜１２を形成する保護膜形成工程と、その後に、表面電極４をめっき処理するめっき処理工程を備えている。酸化膜１２によって、めっき処理工程において半導体ウェハ２の端部側面２ｃにめっき１４が成長することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】導電性有機ポリマーを含む薄膜電界効果トランジスタ電極および高抵抗緩衝層の導電率の制御方法の提供。
【解決手段】ＰＡｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡまたはＰＥＤＴ／ＰＳＳと複数のナノ粒子とからなる水性分散液を含む組成物に対して、カーボンナノチューブまたは無機ナノ粒子を添加し、組成物を基材上にキャストすることによって得られる層の導電率を増大または減少させる。 （もっと読む）

【課題】成膜性（造膜性ともいう）の良好な金属酸化物前駆体層の作製方法、作製された該金属酸化物前駆体層を用いた金属酸化物層の作製方法を提供し、且つ、該金属酸化物の作製方法を用いて、移動度が高く、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が高く、敷電圧が低い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板のおもて面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液が汚染されないこと。基板の裏面側に不均一なめっきが析出するのを防ぎながら、基板のおもて面側に、低いコストで、安定しためっき層を形成すること。基板の裏面側に保護膜を形成する際に、基板が反るのを防止すること。
【解決手段】基板１のおもて面側と裏面側に電極を有する半導体装置において、基板１の裏面側のコレクタ電極９の表面に、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜１３を形成する。その後、基板１のおもて面側のエミッタ電極６に、めっき処理をおこない、エミッタ電極６の表面に、ニッケルめっき層１１と、金めっき層１２と、を形成する。そして、コレクタ電極９の表面に形成された絶縁膜１３を除去する。 （もっと読む）

【課題】対象物に着弾された液滴の濡れ広がりを防ぐことが可能な液滴吐出装置及び液滴吐出方法を提供すること。
【解決手段】導電性を有する第１材料及び当該第１材料を溶解又は分散する第１媒体と、前記第１媒体に対して撥液性を有する第２材料及び当該第２媒体を溶解又は分散すると共に前記第１媒体よりも沸点の低い第２媒体と含む液状体を保持する液状体保持部を有し、対象物へ向けて前記液状体を吐出する吐出ヘッドと、前記吐出ヘッドから吐出され前記対象物に着弾する前の前記液状体に光を照射可能な光照射装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電流損失を低減した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６の金属材料は、結晶粒径が２９μｍ以上の結晶粒を含む。また、導通部１０６の金属材料は、面積重み付けした平均結晶粒径が１３μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 銅ナノ粒子の耐酸化、耐融着、分散に必須であった分散剤をほとんど用いずに低粘度分散液、これを用いた銅ナノ粒子配線及び複合材料を提供する。
【解決手段】 銅ナノ粒子を含み、分散媒として、ハンセン溶解度パラメータにおける極性項が１１ＭＰａ^０．５以上である有機溶剤を用いた低粘度分散液又は銅ナノ粒子に対し、分散剤を用いずに調整された低粘度分散液、絶縁樹脂層の表面に前記低粘度分散液を印刷してなる銅ナノ粒子配線及び前記銅ナノ粒子配線を形成した前記絶縁樹脂層が、基板上に形成されてなる複合材料。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】配線とバリア膜との密着性の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下、及び工程数の増加を抑制しつつ、めっき膜の膜厚がウェハ中心部とウェハ周辺部で異なることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１００に形成された溝１０２の側面及び底面に、添加元素を含む金属バリア膜１２０を形成する。次いで、金属バリア膜１２０上にシード膜１４２を形成し、さらにシード膜１４２をシードとしてめっき層（Ｃｕ膜１４４）を形成することにより、溝１０２内に金属膜１４０を埋め込む。次いで、金属バリア膜１２０及び金属膜１４０を熱処理することにより、金属バリア膜１２０と金属膜１４０の間に、金属バリア膜１２０を構成する金属、添加元素、及び金属膜１４０を構成する金属を含む合金層を形成し、かつ添加元素を金属膜１４０中に拡散させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するパターン形成方法、デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、基板を所定の温度に加熱する第１の工程と、基板を所定の温度に保持しつつ、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第２の工程と、液体材料を所定の温度の基板に滴下させたときの蒸発速度よりも蒸発速度を遅くさせる第３の工程と、液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、液体材料を滴下する第４の工程とを有する。 （もっと読む）