【課題】密閉式の蓋付きカセットを用いる形態の加工装置において、カセット蓋が取り外された際に、カセット本体から半導体ウェーハが飛び出したことを検出可能とする加工装置を提供する。
【解決手段】一側面に搬出入開口部７１ａを有するカセット本体７１と搬出入開口部７１ａを開閉するカセット蓋７２とからなり、カセット本体７１中に半導体ウェーハＷを収容したカセット７を載置するカセットテーブル８１を備えたカセット載置機構８と、カセットテーブル８１に載置されたカセット７から搬出された半導体ウェーハＷを保持するチャックテーブル１９と、チャックテーブル１９に保持された半導体ウェーハＷを加工する加工手段としての切削ユニット２４と、を具備する加工装置とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 窒化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラットドレスにおける作業の簡素化、生産性の向上を図る切削装置を提供すること。
【解決手段】チャックテーブル１０と、スピンドル２２ａに装着された切削ブレード２１ａを有する切削手段２０ａ，２０ｂと、スピンドル２２ａをＹ軸方向に移動させるＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂと、スピンドル２２ａをＺ軸方向に移動させるＺ軸移動手段４０ａ，４０ｂとを備える切削装置１であって、チャックテーブル１０に隣接し、かつＹ軸移動手段３０ａ，３０ｂによる切削ブレード２１ａの移動経路上に配設されたドレス手段５０ａ，５０ｂをさらに備え、ドレス手段５０ａ，５０ｂは、研磨面がＺ軸方向のうち離間方向に向かって配設されるドレッサーボードと、ドレッサーボードを保持し、中心軸線を中心に回転可能な保持手段とを有し、保持手段により保持されているドレッサーボードの研磨面の高さＨ１は、チャックテーブル１０の表面の高さＨ２と同一または低い。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 酸化物から形成されたパシベーション膜が積層された基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すパシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）