【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】ストリートに沿って裏面から所定厚さの改質層が形成されたウエーハを、分割装置を用いることなくストリートに沿って分割し、さらに改質層を除去するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハ２の表面に保護テープ３を貼着する工程と、ウエーハの保護テープ側をレーザ加工装置のチャックテーブル５１の保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層２１０を形成する工程と、ウエーハに空気圧を作用せしめることによりウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割する工程と、ウエーハの裏面を研削し改質層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが小さくても不具合なくダイシングテープから剥離させることができる半導体チップ突き上げ駒を提供する。
【解決手段】半導体チップ突き上げ駒(2)は、粘着テープ(DT)上に貼着された半導体チップ(51a)を前記粘着テープ(DT)から剥離させるために、粘着テープ(DT)の下面(DTb)に対し中心軸線(CL)方向に突き上げられる。また、中心軸線(CL2)に直交する第１の平面の一部であって、縁部が、隣接する辺同士が互いに直交する四つの辺(2ta〜2td)を含んでなる平坦面(2t)と、平坦面(2t)における四つの隅部それぞれに立設し、最先端部が第１の平面に平行な第２の平面に含まれる四つの凸部(2b1〜2b4)と、四つの辺(2ta〜2td)それぞれを含み、中心軸線(CL2)から離れるに従って第１の平面から遠ざかる方向に傾斜した四つの平面(2h1〜2h4)と、を有する。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極をレーザアニールによって形成する場合にチッピングの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ｎ⁺型基板１の裏面１ｂ側にドレイン電極１１を形成する際のレーザアニールをチップ内でのみ行い、ダイシング領域では行われないようする。これにより、ダイシングブレード６０によってダイシングを行うときに、レーザ跡が残っていない場所をダイシングすることになるため、レーザ跡の影響を受けることなくダイシングが行え、チッピングが発生することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シールリングの内側領域生じたクラックを低コストで検出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、多層配線層と、内部回路領域３と、多層配線層に形成され、内部回路領域３を囲うシールリング２２０と、平面視で内部回路領域３とシールリング２２０とに挟まれた領域に設けられているＴＥＧ２００と、を含んでいる。ＴＥＧ２００は、多層配線層の少なくとも２層それぞれに設けられ、互いに接続する導体パターン７と、Ｐ型ウェル１３と、Ｎ型ウェル１４とによって構成されている。Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４は、平面視で交互に互いに接続された状態で配置されており、Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４のいずれか一つに導体パターン７が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】許容値をオーバーした項目が加工装置のオペレータにとって分かり易い加工装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルと、加工手段と、を備えた加工装置であって、加工条件と、被加工物に施された加工の品質を確認するための複数の確認項目の許容値とを入力する入力手段と、入力された該加工条件と該複数の確認項目の該各々の許容値とを表示する表示手段２６と、加工途中に被加工物の加工が施された領域を撮像する撮像手段と、入力された該加工条件と該複数の確認項目の該各々の許容値とを記憶する記憶部と、作成された該撮像画像と該記憶部に記憶されている該複数の確認項目の該各々の許容値とに基づいて該複数の確認項目がそれぞれ許容値を超えたか否かを判定する判定部と、該判定部で判定した結果に基づいて該表示手段に許容値を超えた確認項目をエラー項目４０として表示させる表示指令部と、を含む制御手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され樹脂で封止されたパッケージ円形基板の分割予定ラインを切削送り方向と高精度に平行にする。
【解決手段】パッケージ円形基板Ｗの外周部Ｗ１以外が樹脂で覆われ外周部Ｗ１には分割予定ラインが露出しており、パッケージ円形基板Ｗの中心部の分割予定ラインＬ１とパッケージ円形基板Ｗの外周との第１の交点Ｐ１を撮像後、保持テーブルと撮像手段とを切削送り方向に相対的に移動させてパッケージ円形基板Ｗの外周と分割予定ラインＬ１との第２の交点Ｐ２を検出し、第１の交点Ｐ１と第２の交点Ｐ２とを結ぶ直線が切削送り方向Ｘに平行となるように保持テーブルを回転させてパッケージ円形基板Ｗの向きを補正する。樹脂面から露出した電極を検出する必要がないため、電極に位置ずれや変形があったとしてもその影響を受けずに正確にパッケージ円形基板Ｗの向きを補正することができる。 （もっと読む）

【課題】切断分離された端材（廃材）を安定して外部へ排出できて、切断分離作業の作業性の向上を図ることが可能な基板切断装置を提供する。
【解決手段】基板１を切断して個片化する基板切断装置である。切断手段３にてテーブル上の基板を切断分離して個片化する。切断手段３にて切断された基板端材１ｂをブロー手段５にて受け手段４側に押し流す。押し流す際には、基板端材１ｂはガイド手段６にて受け手段４に案内される。 （もっと読む）

【課題】 脆性ウェハの裏面を研削、加工工程において、ウェハ表面に貼合することで発光層や回路面を保護し、ウェハの裏面を所定の仕上げ厚さまで問題なく研削でき、ブレーキングによるチップ分割時のチップ飛びが防止された脆ウェハ加工用粘着テープ及びそれを用いた脆性ウェハの加工方法を提供する。
【解決手段】 基材樹脂フィルム上に、該基材樹脂フィルムから順に、少なくとも一層の放射線硬化型粘着剤から構成される層及び少なくとも一層の感圧型粘着剤から構成される層からなる粘着剤層を有し、該粘着剤層のシリコンウェハミラー面に対する粘着力が２．０〜１５Ｎ／２５ｍｍであり、かつ放射線硬化前の圧縮変位量が１５０μｍ以下であって、該基材樹脂フィルムの厚さが２５〜１５０μｍである脆性ウェハ加工用粘着テープ及びそれを用いた脆性ウェハの加工方法。 （もっと読む）