【課題】半導体装置の強度低下を抑制する。
【解決手段】（ａ）表面３ａ、表面３ａに形成された複数のチップ領域１０ｃ、チップ領域１０ｃ間に形成されたダイシング領域、および表面３ａとは反対側の裏面を有するウエハ（半導体ウエハ）１０の表面３ａを支持部材１５に固定する。（ｂ）ウエハ１０が支持部材１５に固定された状態で、ウエハ１０の裏面を研削し、裏面３ｂを露出させる。（ｃ）ウエハ１０が支持部材１５に固定された状態で、ウエハ１０をチップ領域１０ｃ毎に分割する。（ｄ）チップ領域１０ｃの側面３ｃをエッチングし、（ｃ）工程により側面３ｃに形成された破砕層を除去し、複数の半導体チップをする工程を有する。また、（ｅ）（ｄ）工程の後、分割された複数のチップ領域１０ｃを支持部材１５から剥離させて、複数の半導体チップを取得する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜を部分的に剥離または除去するパターニングを好適に行うことができるパターニング装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された膜を部分的に剥離または除去するパターニング装置が、パターニングツールを固定したホルダを加工方向と鉛直方向とを含む平面内にある第１軸周りで回転可能に保持するホルダ揺動部を備え、パターニングツールの刃先が膜に突き当たるようにしたうえでホルダ揺動部を加工方向に対して相対移動させることによってパターニングを行う際に、パターニングツールがホルダ揺動部の第１軸周りの回転との組み合わせによって膜の刃渡り方向の傾きに倣って揺動可能であるようにする。 （もっと読む）

【課題】揮発性を有する乾燥液を用いて基板を乾燥させる際に、基板の表面にウォーターマークが発生して微細なパーティクルが付着するのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液で乾燥処理する基板処理方法及び基板処理装置において、前記基板に処理液を供給して処理する工程と、前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、前記処理液の液膜が形成された基板へ揮発性処理液を供給する工程と、前記基板への前記揮発性処理液の供給を停止する工程と、前記揮発性処理液を除去して基板を乾燥する工程とを有し、前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱されることにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構で高い加工精度を確保でき、しかも効率よく溝を加工できるようにする。
【解決手段】この薄膜太陽電池用溝加工ツール２は、ホルダ１７に保持され、ホルダ１７とともに基板のスクライブ予定ラインに沿って相対的に往復移動させて基板上に溝を形成するためのツールである。このツール２は、ホルダ１７に保持されるツール本体３６と、刃先部３７と、を備えている。刃先部３７は、ツール本体３６の先端部に形成され、移動方向の往動側の先端と復動側の先端に刃３８ａ，３８ｂを有している。また、刃先部３７は、移動方向の幅が先端に行くにしたがって狭くなるように、対向する往動側の側面３７ａと復動側の側面３７ｂとが傾斜しかつ対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、プロピオン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、プロピオン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、コハク酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、コハク酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、酢酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、酢酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子、有機酸Ａ、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含んでおり、有機酸Ａは、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸ＡのｐＫａが９未満であり、有機酸Ａの含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である研磨液。 （もっと読む）