【課題】ボンディングパッドなどの開口内金属膜と層間絶縁膜上の表面金属膜との導通を確保することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】第２配線１３上の層間絶縁膜２１には、その表面から第２配線１３に達するパッド開口２２が形成されている。第２配線１３におけるパッド開口２２に臨む部分上には、ＡｌＣｕ合金からなるボンディングパッド２５が形成されている。また、層間絶縁膜２１上には、ＡｌＣｕ合金からなる電磁波シールド膜２７が形成されている。そして、パッド開口２２の側面上には、ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７との導通を確保するための導通確保膜２４が形成されている。ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７とが直接に接続されなくても、導通確保膜２４により、ボンディングパッド２５と電磁波シールド膜２７との導通を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素スイッチング用ＴＦＴの光リーク電流の発生を低減し表示画像の高品質化を図る。
【解決手段】基板上に、走査線１１、走査線に交差するデータ線６、画素電極、第１及び第２の方向のうち一方の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域３０ａ３、第２の方向に沿ったソース長を有するソース領域３０ａ１、第１の方向に沿ったドレイン長を有するドレイン領域３０ａ５、チャネル領域及びソース領域間に形成された第１の接合領域３０ａ２、並びにチャネル領域及びドレイン間に形成された第２の接合領域３０ａ４を有し、ドレイン領域で折れ曲がっている半導体層３０ａ、チャネル領域に対向する本体部３０ｂ１、折れ曲がった部分に沿って少なくとも第２の接合領域を包囲する包囲部３０ｂ２を有するゲート電極３０ｂと、包囲部から立ち上がり又は立ち下がっており、第２の接合領域を囲む側壁部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート形成において、ペアスペースパターンの位置ずれの生じないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工層１上に、第３〜第１マスク層１３，１２，１１を順次積層する。第１マスク層上に第４マスク層を形成し、第４マスク層をマスクにして第１マスク層をラインパターン形状に成形する。第１マスク層のライン幅方向両側に、サイドウオール層２１ａを形成してから第１マスク層を除去する。一対のサイドウオール層をマスクにして第２マスク層を一対のラインパターン形状に成形する。第３マスク層上に第５マスク層を形成し、第５マスク層をマスクにして一対の開口部を第３マスク層に設ける。第３マスク層をマスクにして被加工層に一対の溝部を設ける。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を介してのチップ間の電気的接続を確実に行えるようにする。
【解決手段】シリコン基板１１中に裏面に達するように貫通電極１６が形成されている。シリコン基板１１の裏面側にシリコン基板２１が貼り合わされていると共に、貫通電極１６の露出先端部とシリコン基板２１上の電極端子２５とが電気的に接続されている。貫通電極１６における露出先端部の側壁の傾斜角は、その他の部分の側壁の傾斜角と比べて大きい。 （もっと読む）

【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板の下面が他の部材に接触しない状態で基板の撓みを防止する。
【解決手段】基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。気体を噴出することにより基板を平らに浮かせた状態に支持する気体浮上機構１０と、基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射し、被加工層３を加工するビーム照射手段５０とを備える。気体浮上機構１０上に基板２と当該基板２の被加工層３が形成された一方の面を下にして配置する。そして、基板２の他方の面の上側からビーム照射手段５０により基板２を介してビームを被加工層３に照射することにより、当該被加工層３に加工を施す。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０の形成後、Ｃｕ層２０上に、高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層される。そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。このとき、第２バリア膜１３の形成に寄与しない余剰のＭｎは、Ｃｕ層２０中に拡散する。Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。この犠牲層３１へのＭｎの拡散により、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、不均一動作が抑制される高周波高出力半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成される複数の電界効果トランジスタが並列接続される単位セルを、さらに複数並列接続する半導体装置において、この単位セルを構成する電界効果トランジスタの複数のゲート電極同士を接続するゲートバス配線に接続され、複数の導電層が積層した構造を有するゲートパッド電極と、隣接するゲートパッド電極間同士を接続し、ゲートパッド電極外周部の少なくとも一辺に沿って形成され、ゲートパッド電極を構成する複数の導電層の少なくとも一つの導電層で形成される抵抗体とを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（半導体ウエハ）上に比較的大きな厚さの層間絶縁膜が形成される構成において、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に形成される層間絶縁膜１２は、２つの第１絶縁膜１３間に第２絶縁膜１４を介在させた３層構造を有している。ＳｉＯ_２からなる第１絶縁膜１３は、圧縮応力膜である。一方、ＳｉＮからなる第２絶縁膜１４は、引張応力膜である。すなわち、層間絶縁膜１２は、圧縮応力膜と引張応力膜との積層構造を有している。そのため、半導体基板２上において、圧縮応力膜の圧縮応力と引張応力膜の引張応力とが相互に打ち消し合う。したがって、層間絶縁膜１２が比較的大きな厚さに形成されても、半導体基板２に反り変形が生じることを抑制できる。 （もっと読む）