国際特許分類[H01L21/3213]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286) | 後処理 (649) | 層の物理的または化学的エッチング,例.プレデポジションした広い層からパターニング層を生ずるため (611)
国際特許分類[H01L21/3213]に分類される特許
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導電膜パターンの形成方法
【課題】信頼性の高い導電膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電膜パターンの製造方法は、基板10上に導電膜21を成膜し、導電膜21の表面に対して他の層を積層する前に、酸素をプラズマ化したプラズマアッシング処理を施し、表面処理した導電膜21上に、当該導電膜21をパターン形成するためのマスクパターン30を形成する。次いで、マスクパターン30を用いて導電膜21をウェットエッチングによりパターン形成する。基板10は、半導体基板であることが好ましい。導電膜パターンは、例えば、配線、電極パッド等である。
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半導体装置の製造方法
【課題】歩留まりを向上することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、絶縁膜形成工程と、周縁部露出工程と、導体膜形成工程とを含む。前記絶縁膜形成工程では、半導体ウェハ上に絶縁膜を形成する。前記周縁部露出工程では、前記絶縁膜の形成後に、前記半導体ウェハの周縁部を露出させる。前記導体膜形成工程では、前記半導体ウェハにおける露出させた周縁部および前記絶縁膜上に導体膜を形成する。
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プラズマエッチング方法
【課題】マスクをプラズマから保護することができ、形成する穴部の側壁を基板の表面に対して垂直にできるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上方にパターニングされたシリコン酸化膜が形成されてなる被処理基板におけるシリコン層を第1の処理ガスによりエッチングして穴部を形成するプラズマエッチング方法において、一酸化炭素ガスを含む第2の処理ガスによりシリコン酸化膜の表面に保護膜を堆積させる第1の堆積ステップS11と、第1の処理ガスによりシリコン層をエッチングする第1のエッチングステップS12と、穴部の側壁に第2の処理ガスにより保護膜を堆積させる第2の堆積ステップS13と、第1の処理ガスによりシリコン層を更にエッチングする第2のエッチングステップS14とを有し、第2の堆積ステップS13と第2のエッチングステップS14とを少なくとも2回ずつ交互に繰り返す。
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カーボンナノチューブ層とオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法、及び前記方法で形成されたパターン
【課題】導電膜の所望部分を面内均一に除去することが出来ると共に高性能な導電膜を得ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ層と、該カーボンナノチューブ層を覆うオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法であって、前記カーボンナノチューブ層が、単独では、実質上、エッチングされないものの、前記オーバーコート層のエッチングによって、前記カーボンナノチューブ層が共にエッチングされる前記オーバーコート層のエッチング剤が、前記オーバーコート層上に、所定パータンで塗布される塗布工程を具備する。
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導電膜除去方法および導電膜除去剤
【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、20℃におけるpHが6.0〜8.0の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のpHを6.0未満、または8.0より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiO2膜33およびSiC膜35からなる積層膜36を形成し、この積層膜36をパターニングすることによりハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、当該エッチングによりSiC膜35から解離したCを含む反応生成物を含む側壁保護膜32を、エッチング途中のAlCu膜30の側面に形成しながらAlCu配線層34をパターニングすることによって、第1AlCu配線20を形成する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiO2からなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、この配線20を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜32にAlNが合わさって側壁保護膜32を分厚くすることができる。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiO2からなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、この配線20の表面を覆うように、SiN膜38を形成する。これにより、既存の側壁保護膜36にSiN膜38が合わさって側壁保護膜32が形成される。
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金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法
【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が8〜30質量%、塩基性化合物の添加量が1〜15質量%、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25℃でのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】マスク倒れを防止でき、しかもAlCu配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiCからなる第2層間膜17上に、下側TiN/Ti膜29、AlCu膜30および上側TiN/Ti膜31を順に積層することによってAlCu配線層34を形成する。次に、AlCu配線層34上に、SiO2からなるハードマスク37を形成する。そして、このハードマスク37を利用してAlCu配線層34をドライエッチングすることにより、第1AlCu配線20を形成する。第1AlCu配線20の形成後、第2層間膜17をエッチングすることにより低段部28を形成する。このとき、第2層間膜17(SiC)からCを解離させ、その解離したCを含む反応生成物を側壁保護膜32に定着させることによって、側壁保護膜32を厚くする。
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