【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】レジストの膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止すると共に、露光機による配線パターニング時のフォーカスずれを抑制し、配線の線幅にバラツキが生じることを防止する。
【解決手段】スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。これにより、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、第３配線層７を形成する際のマスクとして用いるレジスト２１が膜減りすることを抑制できる。したがって、レジスト２１の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止できると共に、露光機による第３配線層７のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、第３配線層７の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、配線形状の制御が容易になり、且つ、配線間を埋める絶縁膜表面の段差が回避できるような半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、配線領域と非配線領域とを有する第１の絶縁膜において、配線領域に溝を形成し、第１の絶縁膜の上面と溝の底面及び側壁とを覆うように配線材料を堆積し、配線材料をエッチングすることにより、溝中に、溝と平行に、且つ、側壁と離して配置された複数の配線を形成し、第１の絶縁膜の上面と複数の配線の上面とを覆い、且つ、配線の間と側壁と側壁に隣り合うように配置された配線との間とを埋め込むように、第２の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に形成された金属膜７２をガスクラスタビームにより加工する金属膜の加工方法において、金属膜の元素を酸化して酸化物を形成する酸化ガスと酸化物と反応して有機金属錯体を形成する錯化ガスと希ガスとの混合ガスを断熱膨張させてガスクラスタビームを形成し、ガスクラスタビームを被処理体の金属膜に衝突させることにより金属膜をエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、銅および銅合金薄膜を含む金属積層膜パターンを精度良くエッチング加工し、優れたパターン形状を形成し、かつ実用性に優れた安定で液寿命の長いエッチング液組成物、およびかかるエッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、銅からなる層と、銅を含む銅合金からなる層とを有する金属積層膜を、特定の組成を有する、りん酸、硝酸、酢酸および水を配合してなるエッチング液組成物を用いてエッチングするエッチング方法、およびそのエッチング液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによりアルミニウム材料を金属配線とする加工では、加工中に生成されるホトレジストの反応性生成物が固着することから、取り扱いに手間やコストが掛かる高価な専用の剥離液を用いる必要があった。また、この剥離液は、金属配線にダメージを与えるため、金属配線の品質を低下させていた。
【解決手段】塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。これにより、専用の剥離液による処理が不要になるため、低コストで品質の高い金属配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を提供する。
【解決手段】基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。カバリング層３は、覆われた主領域と、覆われていない副領域とを有する。カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。第２のエッチングマスクは除去される。カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン酸や酸化剤からなるエッチング液において、高微細パターンのエッチング入りを向上させ、エッチング残りおよびオーバーエッチングのない恒常的に安定して高精細・高輝度のフラットディスプレイに対応した高微細精度の透明導電膜の回路パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記（ａ）群から選ばれる少なくとも１種のハロゲン酸および／または下記酸化剤（ｂ）とを水に含有してなる透明導電膜用エッチング液において、下記の一般式（１）で表される化合物（Ｗ）を含有することを特徴とする透明導電膜用エッチング液。
・（ａ）群；塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸
・酸化剤（ｂ）；塩化第二鉄または硝酸
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物のエッチングに用いられ、前記銅層を選択的にエッチングできるエッチング剤と、これを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａから選ばれる１種以上の金属の酸化物を含む金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物のエッチングに用いられ、前記銅層を選択的にエッチングするエッチング剤において、第二銅イオン源を銅イオンとして０．１〜３．０重量％、炭素数が６以下の有機酸を０．１〜３０．０重量％、並びに、環内に窒素原子を２つ以上有する複素環式化合物、及び炭素数が８以下のアミノ基含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の窒素含有化合物を０．１〜３０．０重量％含有する水溶液からなり、ｐＨが５．０〜１０．５であることを特徴とするエッチング剤とする。 （もっと読む）