【課題】その表面だけが表面改質された有機半導体薄膜、プラズマ処理に比べて有機半導体に対する損傷を抑えることが可能な有機半導体の配向制御表面改質方法を提供する。
【解決手段】有機半導体により形成される薄膜に、酸素及び／又は窒素からなる中性粒子ビームを照射することにより該薄膜の表面を改質してなる有機半導体薄膜、及び有機半導体により形成される薄膜に、中性粒子ビームを照射することにより該薄膜の表面を改質してなる有機半導体薄膜の製造方法であって、該中性粒子ビームが酸素及び／又は窒素からなることを特徴とする有機半導体薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体単結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶表面を有する下地上に、（Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙ）_３Ｎ_２（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙ）_３Ｎ_２（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を酸化して、ＮドープＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ≦０．６）単結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）と、２価のＸイオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＣｕ、Ｚｎ、及びＦｅから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなる酸化物焼結体であって、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）、及び２価のＸイオン（Ｘ²⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦（Ｉｎ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．８、０．１≦（Ｆｅ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５、及び０．１≦（Ｘ²⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５を満たす酸化物焼結体及びこれと同一組成をもつ酸化物半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気的特性のばらつき及び電気的特性の劣化は、半導体装置の信頼性を著しく低下させる。
【解決手段】基板上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する、端部がテーパー角を有し、かつ上端部が曲面形状を有するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層の一部と接し、かつ酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、酸化物半導体層と重畳する、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特にＺｎＯ濃度が高い領域であっても、また保護膜形成後およびストレス印加後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、ＺｎおよびＳｎを含み、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａ、および希土類元素よりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素を更に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高品質な酸化物半導体ターゲットを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層を構成する酸化物半導体の製造に使用する亜鉛錫複合酸化物（ＺＴＯターゲット）の製造工程において、意図的に原材料にＩＶ族元素（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ）またはＶ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ）を添加することによって、ＺＴＯターゲットの製造工程時に混入されたＩＩＩ族元素（Ａｌ）による過剰キャリアを抑制し、良好な電流（Ｉｄ）−電圧（Ｖｇ）特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）