【課題】 本発明は、基板をほぼ垂直で起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供するためのものである。
【解決手段】本発明の有機物蒸着装置は胴体を成し、基板を地面に対し、７０゜ないし１１０゜の角度を維持するようにするチャンバと、基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ライン中の少なくとも有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いた選択的、且つ短時間でのアニール処理を行うことにより太陽電池を構成する薄膜材料の結晶性を向上させ、太陽電池特性の向上を行うことを目的とする。
【解決手段】太陽電池１０は、透明な高分子基材１と、この高分子基材１上に設けられた透明導電膜２と、この透明導電膜２上にスパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、このｎ層４上に設けられた金属電極５とからなる。透明導電膜２、ｐ層３、ｎ層４及び金属電極５を成膜した後、マイクロ波を照射してｐ層３を選択的に加熱し、その結晶性を高める。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速な応答特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
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ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ_１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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本発明は四元以上のＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族アロイに関する。さらに具体的には、本発明は半導体膜として使用するのに適した四元または五元のＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族アロイに関する。さらに特定的には、本発明は実質的に均質であり、かつ、４０ｋＶのＣｕ線について２６°〜２８°の２θ角において主（１１２）ピーク（２θ_{［１１２］}）を有するＸ線回折パターン（ＸＲＤ）によって特徴付けられ、０．２°〜１０°の視射角に対するすれすれ入射Ｘ線回折パターン（ＧＩＸＲＤ）が０．０６°未満の前記２θ_{［１１２］}角の絶対的なずれを表わす四元または五元のアロイに関する。

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