【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の表面に全反射阻止用粗面を容易に形成することが困難であった。
【解決手段】半導体発光素子を形成するための半導体ウエーハ１の主面９上にレジスト膜を設け、このレジスト膜に金型で凹部を形成する。凹部を有するレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施すことによって第１の平均ピッチＰ１で配置された第１の凹部１７を半導体ウエーハ１に形成する。第１の凹部１７を有する半導体ウエーハ１の主面９にAgから成るマスク形成用金属膜を形成する。このマスク形成用金属膜に熱処理を施して凝集を生じさせる。凝集で生じたAgから成る粒状体をマスクとして半導体ウエーハ1をドライエッチングして半導体ウエーハ１の主面９上に第２の平均ピッチＰ２で配置された多数の第２の凹部２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２００上に相変化材料として利用されるＧＳＴカルコゲニド層を形成し、このＧＳＴカルコゲニド層上にハードマスクパターン２０４ａを形成し、エッチングガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスと四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスとの混合ガスを利用するヘリコンプラズマ乾式エッチング装置で、ＧＳＴカルコゲニド層に対してエッチング選択比の高いハードマスクパターン２０４ａをエッチングマスクとして、ＧＳＴカルコゲニド層を乾式エッチングしてＧＳＴカルコゲニドパターン２０２ａを形成し、ハードマスクパターン２０４ａは、チタン窒化パターンで形成できる相変化メモリ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】近年、透明酸化物半導体の開発が活発に行われ、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作された。そのため、高精度及びクリーンなパターニング方法が望ましい。本発明は基板上に成膜されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成される酸化物半導体膜のドライエッチングの際に不揮発性物質を発生させることなく安定なドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上に成膜された、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成される酸化物半導体膜のドライエッチングプロセスにおいて、炭化水素を含むエッチングガスを利用することを特徴とするＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成される酸化物半導体膜のドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 内部配線パターンを電源／グランド層によりシールドすることにより特性インピーダンスやクロストークノイズの影響を改善でき、また厚さを薄く形成できる回路基板を提供する。
【解決手段】 コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 （もっと読む）