【課題】プリント配線板に搭載された電子部品の接合部にかかる応力を緩和する。
【解決手段】マトリクス形状に配置された端子を有する電子部品２の角部端子２ｂは、電気信号を伝えない。プリント配線板１には、電子部品２の残りの端子２ａと電気的に接続するためのマトリクス形状のランド３が設けられており、角部端子２ｂに対向する位置には貫通孔４を設ける。これにより、電子部品２の接合部における応力集中を低減し、破断の危険性を回避する。 （もっと読む）

【課題】 コンデンサを内蔵すると共に内蔵コンデンサとの接続を適切に取ることができるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 チップコンデンサ２０をコア基板３０内に収容する。チップコンデンサ２０は、銅めっき膜２９を被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきによりなるバイアホール４６で電気的接続を取ってある。銅めっき膜２９により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の一方の主面に、半導体素子Ｓの電極Ｔに接続される半導体素子接続パッド３ａを含む第１の配線導体３が第１の金属箔８を下地としたセミアディティブ法により形成されているとともに、絶縁基板１の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッド４ａを含む第２の配線導体４が第２の金属箔１０を下地としたセミアディティブ法により形成されて成る配線基板であって、第１の金属箔８は、絶縁基板１上にプライマー樹脂層２を介して接着されているとともにプライマー樹脂２との接着面のＲｚが０．３〜１．０μｍの平滑面であり、第２の金属箔１０は、絶縁基板１上に直接接着されているとともに絶縁基板１との接着面のＲｚが１．５〜３．０μｍの粗化面である （もっと読む）

【課題】電圧変換用ＩＣを内蔵させた多層配線板上に、入力側コンデンサ、並びに出力側コンデンサ及びインダクタを配列してなる電圧変換モジュールにおいて、入力電圧に重畳されるノイズを低減して、安定した出力電圧を得る。
【解決手段】互いに離隔して順次に積層されてなる複数の配線パターン、これら複数の配線パターン間それぞれに位置する絶縁部材、及び前記複数の配線パターン間を電気的に接続する層間接続体を有し、電圧変換用ＩＣ１５が内蔵された多層配線板１０上において、第１のコンデンサ１６、第２のコンデンサ１７及びインダクタ１８を実装し、第１のコンデンサの入力部と記インダクタとの間に、第１のコンデンサにおける他方の電極部又は第２のコンデンサにおける電極部の一方を位置させ、他方の電極部又は電極部の一方を電気的にグランドに設定する。 （もっと読む）

【課題】放熱板の変形による不良の発生防止の構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板と、前記基板上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを前記基板上に封止する封止体１３と、各々の一面が外部に露出し且つ同一平面上に位置するように互いに間隔を空けて前記封止体１３に埋め込まれた複数の放熱板１４と、を有する。また、製造方法は金型の中に前記基板と前記複数の放熱板１４とを互いに対抗させ、それらの間に溶融させた封止樹脂を注入して、前記チップを前記基板上に封止するとともに、前記複数の放熱板１４を前記封止樹脂と一体化する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、該絶縁基板１の両面に貫通孔を塞ぐように取着されており電子部品20が搭載される金属板３と、貫通孔内に配置され絶縁基板１の両面に取着された金属板３に両端がそれぞれ接合された金属体５と、外面が貫通孔の内壁面にろう材層２を介して接合され内面が金属体５の側面に接合されており金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えている。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、絶縁基板１にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合部におけるボイドの残存を防止し、電子部品と基板との間のはんだによる接合面積を安定して確保することができる、電子部品、及び電子装置を提供すること。
【解決手段】電子部品３は、基板に実装される電子部品３であって、基板への実装時に当該基板上の基板側ランドに対向する電子部品側ランド３０を備え、基板側ランドの形状と、当該基板側ランドに対向する電子部品側ランド３０の形状とが異なるように、電子部品側ランド３０における基板側ランドとの対向面に溝３４を設けた。 （もっと読む）

【課題】円筒型キャパシタ構造を採用することにより、静電容量を増大させることが可能な構造を有する円筒型キャパシタを備えたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド１０４を露出させる絶縁層１０６が形成されたウェーハチップ１０２と、ボンディングパッド１０４に連結された状態で絶縁層の一側に延長される再配線層と、再配線層に連結され、内部に中空部を有する円筒状の外部電極１０８ｂと、中空部内に外部電極と分離されるように形成された円筒状の内部電極１１１ａと、外部電極と内部電極との間に形成される誘電体層１１６と、再配線層、内部電極、外部電極及び誘電体層をカバーするように絶縁層に形成される樹脂封止部１１８とを含み、内部電極の下面が、外部電極の外部から外部電極の中空部内へ外部電極と連結されていない状態で延長されるように絶縁層に形成される外周配線層１１１に連結されてなる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れかつ簡単な構造で両面基板として使用できる基板を製造する。
【解決手段】 金属（31a）（31b）とセラミック（32）とが交互に積層する積層材（30）を製作する積層材製作工程と、前記積層材（30）を積層方向に沿った面で切断する切断工程とを行い、金属からなる導電部（11a）（11b）とセラミックからなる絶縁部（12）とが交互に並んだ切断面をチップ搭載面（Ｍ１）とする基板（1）を製造する。 （もっと読む）

【課題】フラックスろう付法を適用してもセラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】金属板１２，１３とセラミックス基板１１とを積層状態にろう付する第１ろう付工程と、金属板１３とヒートシンク１４とをフラックス１６を用いたろう付法により接合する第２ろう付工程とを有し、第２ろう付工程の前に、金属板１３の側面の少なくとも一部にフラックス１６と反応するフラックス反応部１７を形成し、第２ろう付工程において、金属板１３とヒートシンク１４との間からはみ出したフラックス１６とフラックス反応部１７とを反応させてフラックス１６を不活性化する工程を行う。 （もっと読む）