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国際特許分類[H01L25/10]の内容

国際特許分類[H01L25/10]の下位に属する分類

装置がグループ29/00に分類された型からなるもの (496)
装置がグループ33/00に分類された型からなるもの

国際特許分類[H01L25/10]に分類される特許

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【課題】はんだなどの接続部材との接続信頼性が向上した素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、第1の半導体モジュール100を構成する第1の素子搭載用基板110に設けられた第1の配線層140の電極領域148と第2の半導体モジュール200に設けられた第4の配線層242とがはんだボール270により接合されたPoP構造を有する。絶縁樹脂層130の一方の主表面に第1の配線層140の引き出し領域が露出する開口部を有する第1の絶縁層150が設けられており、第1の絶縁層150の上に第1の絶縁層の開口部が露出するような第2の絶縁層152が設けられている。第2の絶縁層152の下面部分における開口部の開口径が、第1の絶縁層150の上面部分における開口部の開口径より大きい (もっと読む)


【課題】はんだなどの接続部材との接続信頼性が向上した素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、第1の半導体モジュール100を構成する第1の素子搭載用基板110に設けられた電極部160と第2の半導体モジュール200に設けられた第4の配線層242とがはんだボール270により接合されたPoP構造を有する。絶縁樹脂層130の一方の主表面に第1の配線層140が設けられている。また、絶縁樹脂層130の一方の主表面に第1の配線層140の引き出し領域が露出する開口部を有する第1の絶縁層150が設けられており、この開口部に引き出し部が設けられている。引き出し部の上方に、第1の絶縁層150の上面より上に突き出した電極部160が形成されている。また、電極部160から離間して、電極部160の周囲において第1の絶縁層150の上に設けられた第2の絶縁層152が形成されている。 (もっと読む)


【課題】
半導体パッケージの構成部材および組立工程数を減らすことにより半導体パッケージの組立費用を大幅に低減し、さらには半導体パッケージの厚さを薄化することが可能となり、10段重ねのPOPとした場合でも1ミリメートル以下の厚さを達成する半導体パッケージを提供できるようにする。
【解決手段】
従来の半導体パッケージの構成部材であるリードフレーム、サブストレート、および、ワイヤーと接着剤を不要とし、半導体パッケージの薄化を可能としたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】2以上の半導体チップが積層されているスタックパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】基板110上面エッジに形成されるソルダーボール150aを含んで半導体チップ220aをモールディングした後、グラインド工程を実施して半導体チップを薄く作り、ソルダーボールの一部を露出させる。そして、上部パッケージの基板下面にもソルダーボール280を形成して下部パッケージが露出されているソルダーボール150aに相互接触するように積層させる。そして、積層されている下部パッケージ及び上部パッケージに対してリフロー工程を実施することによって上部パッケージ及び下部パッケージを物理的に完全に連結させる。 (もっと読む)


【課題】抵抗値不良の検出が可能であり、かつ装置の大型化を防止可能な半導体パッケージ及び半導体モジュール、並びに半導体モジュールの検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体モジュール50は、プリント基板51上に半導体パッケージ10が搭載されたものであって、半導体パッケージ10は、半導体チップ11と、パッケージ基板12と、導電性接合部材である半田ボール17とを備える。パッケージ基板12に設けられたスルーホール3と、これに電気的に接続される半田ボール17の少なくとも一部は、平面視上、重畳した位置に配置されないように形成され、プリント基板51には、プローブピン6を当該プリント基板51側から貫通させてパッケージ基板12に設けられたスルーホール3に接触可能な貫通穴(プローブピン貫通型スルーホール)1が形成されている。 (もっと読む)


【課題】はんだなどの接続部材との接続信頼性が向上した素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、第1の半導体モジュール100を構成する第1の素子搭載用基板110に設けられた第1の電極部160と第2の半導体モジュール200に設けられた第2の電極部242とがはんだボール270により接合されたPoP構造を有する。基材となる絶縁樹脂層130の一方の主表面に開口部を有する第1の絶縁層150aが設けられており、この開口部に第1の絶縁層150aの上面より上に凸状の頂部が突き出した第1の電極部160が形成されている。また、第1の電極部160の頂部から離間して、第1の電極部160の頂部の周囲において第1の絶縁層の上に設けられた第2の絶縁層152が形成されている。第1の電極部160の頂部の形状は曲面により、または曲面および曲面に滑らかに接続された平面により形成されている。 (もっと読む)


【課題】素子搭載用基板の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】素子搭載用基板110は、基材10と、基材10の一方の主表面上に設けられ、基材10上の電極形成領域が露出するような開口部32を有する絶縁層30と、開口部32内に設けられた電極パッド22と、を備える。絶縁層30は、複数の層状絶縁体33,34,35が積層された多層構造を有し、複数の層状絶縁体33,34,35は、下側層状絶縁体の開口部周縁の主表面上に、上側層状絶縁体の開口部の下端部が位置するように構成され、電極パッド22は、その頂部面が最上層にある層状絶縁体35の下側主表面よりも高い位置となるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】正常に動作しない半導体チップを含んでいても、正常に動作しない半導体チップを含んでいない場合と同等の機能を有する積層チップパッケージを実現する。
【解決手段】複合型積層チップパッケージ1は、積層されたサブパッケージ1A,1Bを備えている。サブパッケージ1A,1Bは、本体2と、本体2の側面に配置された配線3を備えている。本体2は、少なくとも1つの第1の種類の階層部分10Aを含む主要部分2Mを有している。下側のサブパッケージの本体2は、主要部分2Mの上面に配置された複数の第1の端子4を有し、上側のサブパッケージの本体2は、主要部分2Mの下面に配置された複数の第2の端子を有している。少なくとも1つのサブパッケージにおける主要部分2Mは、少なくとも1つの第2の種類の階層部分10Bを含んでいる。階層部分10Aは良品の半導体チップを含み、階層部分10Bは不良の半導体チップを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】素子搭載用基板の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】素子搭載用基板110は、基材10と、基材10の一方の主表面上に設けられ、基材10上の電極形成領域が露出するような開口部32を有する絶縁層30と、開口部32内に設けられた電極パッド22と、を備える。電極パッド22は、その頂部面が絶縁層30の上側主表面よりも低い位置となるように構成され、絶縁層30は、開口部32内の側面のうち少なくとも電極パッド22の頂部面よりも上側の側面が、上側主表面に近くなるほど開口部32内にせり出すように構成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置及び半導体ユニットにおいて、基板上に直接実装された半導体素子間の配線接続を、コネクタを用いて行うことができるようにして、携帯機器などの更なる小型化を図る。
【解決手段】めっき工程を用いてマイクロコネクタを作成したことにより、ベアチップIC7の高さや幅方向の大きさに合わせた微細なマイクロコネクタ1、11を得ることができる。このような微細なマイクロコネクタ1、11を備えているので、基板6上に直接実装されたベアチップIC7間の配線接続をマイクロコネクタ1、11で行うことができる。また、基板6の垂直方向への接続用のマイクロコネクタ1と、基板6の水平方向への接続用のマイクロコネクタ11とを備えているので、ベアチップIC7が直接実装された基板6を有する半導体装置同士(10n,10p,10q)を、マイクロコネクタ1、11を用いて基板の垂直方向と水平方向に接続できる。 (もっと読む)


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