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国際特許分類[H01L25/10]の内容

国際特許分類[H01L25/10]の下位に属する分類

装置がグループ29/00に分類された型からなるもの (496)
装置がグループ33/00に分類された型からなるもの

国際特許分類[H01L25/10]に分類される特許

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【課題】搭載チップ部品のショート不良及びオープン不良を回避し得る電子部品モジュールを提供すること。
【解決手段】樹脂モールド部品2におけるモールド樹脂21と外装樹脂4との熱膨張係数の相対的な関係に着目し、モールド樹脂21の250℃における熱膨張係数αAを
250μm/℃≦αA≦400μm/℃の範囲に設定し、外装樹脂4の250℃における熱膨張係数αBを、70μm/℃≦αB≦200μm/℃の範囲に設定する。モールド樹脂21及び外装樹脂4の弾性率、ガラス転移点を特定された範囲に設定してもよい。 (もっと読む)


【課題】高密度実装では占有面積の低減と低背化がキーとなっている。半導体デバイスを積層化した構造は高密度実装に適しているが、強度確保のための樹脂インターポーザの厚さ、上下のデバイスを電気接続する導電ボールの大きさ、ワイヤボンディングのための空間確保などにより、低背化が制限されていた。
【解決手段】樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊から成る導電路で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。また、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化することにより、積層化プロセスが容易になった。 (もっと読む)


【課題】例えば、所定の出力電力定格の場合、パッケージの外側に、又は、他の部品と隣接して実装されるインダクタを有する電源モジュールに比べ、より小型で、より効率的で、より信頼性が高く、より低温で稼働でき、所定のサイズの場合、パッケージの外側に、又は、他の部品と隣接して実装されるインダクタを有するモジュールよりも高い出力電力定格を有することができる電源モジュールを提供する。
【解決手段】電源モジュールは、モールドパッケージと、前記パッケージ上に配置された電源用部品と、前記パッケージ内で前記電源用部品上に配置されたインダクタからなる。 (もっと読む)


【課題】基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、電子製品の高さが限定されている場合であっても、製品の機能を高めることができる高密度集積回路モジュール構造を提供する。
【解決手段】高密度集積回路モジュール構造は、少なくとも基板20とヒートシンク30とを具備し、基板は、ヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、熱伝導体31は少なくとも非平坦構造を有する。この構成によって、電子製品の限定された高さ内で製品の機能を高めることができ、かつ、耐振動性や放熱性を高めることができる。組立手続工程において、はんだボールとキャリアの結合を行う工程が不要となり、製品の機能向上、容量の拡大、製造コストの低減を図りつつ組立作業を簡素化できる。 (もっと読む)


【課題】それぞれのパッケージにおいて予めテスト可能であり、製品MPMの最終テスト歩留まりをより高くする。
【解決手段】積み重ねられた下側および上側パッケージを有する半導体マルチパッケージモジュールであって、パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイスを有し、上側および下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されるものである。また、半導体マルチパッケージモジュールの形成方法であって、下側基板およびダイスを有するモールドされた下側パッケージを供給し、上側基板を有するモールドされた上側パッケージを前記下側パッケージの上側表面上に取り付け、前記上側および下側基板間のz軸相互接続を形成するものである。 (もっと読む)


【課題】電子機器に搭載する場合に搭載面積を抑えることができ、搭載されている部品素子が外部から電磁波の影響を抑えることができるモジュールを提供する。
【解決手段】一方の主面に凹部空間が設けられ他方の主面に部品素子搭載パッドが設けられているカバーと、前記凹部空間の底面及び側面に一体的に設けられている金属からなるシールド膜と、前記部品素子搭載パッドに搭載されている部品素子と、から構成されていることを特徴とするモジュールと 配線基板と、前記配線基板に搭載されている配線基板用部品素子と、から主に構成されており、前記配線基板に搭載されている前記配線基板用部品素子が前記凹部空間内に収納され、前記シールド膜が所定の一つの配線基板接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】積層される2つの半導体装置間の接合性を損なうことなく、接続不良を回避する。
【解決手段】積層型半導体装置50は、第1の配線基板1に形成された複数の第1の電極4b,4c,4d,4eと、各第1の電極4b,4c,4d,4eに形成され、柱状に突出する複数の突出電極5b,5c,5d,5eと、を備えている。また、積層型半導体装置50は、第2の配線基板21に形成された複数の第2の電極24b,24c,24d,24eと、同一のはんだ量で形成された複数のはんだ電極25b,25c,25d,25eと、を備えている。各突出電極5b,5c,5d,5eは、はんだ電極25b,25c,25d,25eよりも高融点材料で形成され、且つ第1の電極とはんだ電極との離間距離が大きいほど、高さが高く設定されている。 (もっと読む)


【課題】接合熱処理温度が低くて済み、凝固後は高い融点を確保し得る高耐熱性の電子デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】複数枚の基板WF1〜WFrのそれぞれは、縦導体31と、接続導体4とを有している。複数枚の基板WF1〜WFrのうち、隣接する基板WF1、WF2は、一方の基板WF2の接続導体(縦導体)31が、他方の基板WF1の接続導体4と、接合膜5によって接合されている。接合膜5は、第1金属または合金成分と、それよりも融点の高い第2金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第1金属または合金成分の融点よりも高くなっている。 (もっと読む)


【課題】樹脂補強等の後工程補強を行うことなく、上層の表面実装デバイスと下層の表面実装デバイスとの接続強度を向上させた実装構造体を提供する。
【解決手段】混合POP型のBGAパッケージを、プリント基板に直接実装される第1BGAパッケージ21と、第1BGAパッケージ21の表面の面内方向に配列・実装された、1段の及び/又は多段に積層された複数の第2BGAパッケージ22、23とにより構成する。上下に隣接する2つのBGAパッケージにおいて、下層のBGAパッケージの、上層のBGAパッケージと対向する側の面に、上層のBGAパッケージが有する複数の半田ボールにそれぞれ対応する複数のパッドを形成し、複数のパッドを、下層のBGAパッケージの、上層のBGAパッケージと対向する側の面に形成された複数の第2凹所の各底部にそれぞれ設ける。 (もっと読む)


【課題】本体の側面に配線が形成された積層チップパッケージを、低コストで短時間に大量生産すると共に、配線を精度よく形成する。
【解決手段】積層チップパッケージは、本体と、本体の側面に配置された配線を備えている。本体は、複数の階層部分を含んでいる。積層チップパッケージの製造方法では、まず、複数の構造体を形成する。複数の構造体の各々は、配線予定面2Pcを有する本体形成部分を少なくとも1つ含む。次に、配線予定面2Pcが上方向に向くように、複数の構造体を、配線予定面2Pcよりも低い位置にある上面を有する治具122によって囲って整列させる。次に、樹脂フィルムを用いて、治具122および複数の構造体を覆う樹脂層133を形成する。次に、配線予定面2Pcが露出するまで樹脂層133を研磨する。次に、配線予定面2Pcに対して一括して配線を形成する。次に、本体形成部分を分離する。 (もっと読む)


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