【課題】積層型半導体装置の小型化を可能とする構造体を提供する。
【解決手段】積層型半導体装置６０は、積層される複数の半導体装置６１〜６４と、前記半導体装置６１〜６４が接続され、端面に設けられた電極７１１〜７３２を含む複数の中継基板７１〜７３と、前記中継基板７１〜７３の端面に設けられた電極７１１〜７３２同士を接続する接続基板８１，８２とを含む。中継基板７１〜７３の端面に設けられた電極７１１〜７３２は、例えば導電性を有する接着剤又は異方性導電フィルムを介して接続基板８１，８２に接続される。これにより、複数の中継基板７１〜７３の端面に設けられた電極７１１〜７３２を接続基板８１，８２によって接続することで、接続があくまで端面のみで行われるので、接続基板８１，８２の折り曲げ部を設ける必要もないため、積層型半導体装置６０の小型化にとって有効である。 （もっと読む）

【課題】耐振性に優れた積層体を備えた電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管３０とを積層した積層体１０と、該積層体１０を固定するフレーム４とを備える。積層方向（Ｘ方向）に隣り合う冷却管３０の間はＹ方向の両端部において連結管３１によって連結されている。半導体モジュール２は、一対の突起部２３を有する。フレーム４に複数の半導体モジュール２が、Ｚ方向に固定されている。フレーム４の支持板４０は、複数の冷却管３０を、Ｚ方向の一方から支持している。突起部２３は、Ｚ方向の他方から連結管３１に当接している。そして、突起部２３と支持板４０とにより、複数の冷却管３０と複数の連結管３１とからなる冷却器３を、Ｚ方向に挟持している。 （もっと読む）

【課題】他のパッケージとの接続信頼性及び耐湿信頼性に優れた構造の両面電極パッケージを、簡易且つ低コストに製造できるようにする。また、半導体チップのピンの数や大きさに応じて、任意のレイアウトで内部配線（電極パッド）を形成できる構造の両面電極パッケージを、簡易且つ低コストに製造できるようにする。
【解決手段】電極パッド１８、配線２０、貫通電極２８、ランド３０、及びソルダレジスト４２が形成されたコア材１６に、銅箔を貼り付ける。この銅箔を数段階にわたってウエットエッチングすることで、配線２０上に略垂直に立てられ、側面に周方向に沿って全周にわたり形成された複数の突条（周方向に連続した凸部）を備えた表面側端子３６を形成する。表面側端子３６の周囲を封止樹脂で封止し、封止樹脂層５０から表面側端子３６の端面３６Ａを露出させて、封止樹脂層５０の表面で再配線を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子封止体の製造方法は、半導体素子２６と導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部２７とを有する半導体素子封止体２７０を製造する方法であり、ダミー基板１０１上に半導体素子２６を配置し、かつ犠牲層３８を形成する半導体素子配置工程と、ダミー基板１０１と半導体素子２６と犠牲層３８とを覆うように封止部を形成する封止部形成工程と、ダミー基板１０１を剥離させる剥離工程と、犠牲層３８を、加熱することで除去し、貫通孔２７１を形成した後、貫通孔２７１に導体柱２８を形成して半導体素子封止体２７０を得る導体柱形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子封止体の製造方法は、半導体素子２６と導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部２７とを有する半導体素子封止体２７０を製造する方法であり、ダミー基板１０１上に、半導体素子２６を配置する配置工程と、ダミー基板１０１と半導体素子２６とを覆うように封止部を形成する封止部形成工程と、封止部２７に貫通孔２７１を形成した後、この貫通孔２７１に導体柱２８を形成することにより、ダミー基板１０１上に半導体素子封止体２７０を得る導体柱形成工程と、半導体素子封止体２７０からダミー基板１０１を剥離させる剥離工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子封止体の製造方法は、半導体素子２６と導体柱２８と、半導体素子２６および導体柱２８を封止する封止部２７とを有する半導体素子封止体２７０を製造する方法であり、ダミー基板１０１上に、半導体素子２６を配置する配置工程と、感光性を有する絶縁材料で封止部を形成する封止部形成工程と、封止部２７にフォトリソグラフィー法を用いて貫通孔２７１を形成した後、貫通孔２７１に導体柱２８を形成することにより、ダミー基板１０１上に半導体素子封止体２７０を得る導体柱形成工程と、半導体素子封止体２７０からダミー基板１０１を剥離させる剥離工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】積層パッケージから発生する電磁気波を効率的に遮断することによって電磁妨害による影響を最小化できる積層パッケージ構造物を提供する。
【解決手段】下部半導体パッケージ１０５Ｌ、下部半導体パッケージ１０５Ｌの上部に下部半導体パッケージ１０５Ｌと所定間隔離隔して配置される上部半導体パッケージ１０５Ｕ、下部半導体パッケージ１０５Ｌと上部半導体パッケージ１０５Ｕとの間の隔離空間を支持し、下部半導体パッケージ１０５Ｌと上部半導体パッケージ１０５Ｕを電気的に接続するパッケージ間接続部１５０、パッケージ間接続部１５０の外周に配置され、下部半導体パッケージ１０５Ｌと上部半導体パッケージ１０５Ｕとの間の隔離空間を充填する絶縁層１６０を含む積層パッケージ、および積層パッケージの側面と上面を囲む電磁波シールド膜１７０を含む積層パッケージ構造物１００ａ。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰ構造の上パッケージの構成の自由度を向上させることができると共に、比較的低コストで製造することが可能である、半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に実装された半導体チップ１１と、基板１２の上面及び半導体チップ１１が絶縁材１５により封止されて成るパッケージ１０と、このパッケージ１０の上面に露出したモールド材３２と、一端がこのモールド材３２に接続され、他端が基板１２に電気的に接続され、モールド材３２との接続部から基板１２との接続部まで、同一材料により一体に形成され、モールド材３２との接続部がパッケージ１０の上面に露出したリード３１とを含む、半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール２を積層して構成してなる。半導体モジュール２は、半導体素子と放熱板２２と封止部２３とから構成される半導体モールド部２０と、壁部２４と、貫通冷媒流路４１とを有する。半導体モールド部２０には、パワー端子２５１及び制御端子２６１が法線方向Ｘに直交する方向に突出して設けられている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には、蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、貫通冷媒流路４１に連通すると共に放熱面２２１に沿った沿面冷媒流路が形成されている。貫通冷媒流路４１は、半導体モールド部２０を基準として、パワー端子２５１が突出している方向及び制御端子２６１が突出している方向に形成されている。 （もっと読む）