【課題】放熱特性をより向上させることにより、信頼性の低下を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】このＢＧＡ型半導体装置（樹脂封止型半導体装置）は、半導体チップ１０が所定領域上に搭載された配線基板１と、この配線基板１の半導体チップ１０が搭載された領域とは異なる領域に形成され、互いに所定の間隔を隔てて配列された複数の金属バンプ３０と、少なくとも半導体チップ１０を覆う封止樹脂層２０とを備えている。そして、複数の金属バンプ３０の各々は、上記した封止樹脂層２０によって覆われている一方、その一部が封止樹脂層２０の上面から露出するように 構成されている。 （もっと読む）

【課題】 製造工程が簡単で製造費用を抑えることができるモールド再構成ウェハーを利用したスタックパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも二つ以上のパッケージユニットがスタックされたスタックパッケージにおいて、前記パッケージユニットは、上面にボンディングパッドを具備した半導体チップと、前記半導体チップの側面を取り囲むように形成されたモールド部と、前記モールド部内に形成された貫通電極と、前記貫通電極とこれに隣接したボンディングパッドとを相互連結させるように形成された再配線とを含み、前記貫通電極と再配線とが、一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電磁波を遮断することができる半導体素子、半導体パッケージ、及び電子装置を提供する。
【解決手段】 電子装置は、回路基板１００ｅ上の第１半導体パッケージＰＫＧＡ５を含む。前記回路基板１００ｅ上に、前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５と離隔された第２半導体パッケージＰＫＧＢ５が提供される。前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５の上部面及び側面上に絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５が提供される。前記回路基板１００ｅ上に前記第１及び第２半導体パッケージＰＫＧＡ５、ＰＫＧＢ５、及び前記絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５を覆う導電性電磁波遮蔽構造体ＣＳ５が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの小型化や入出力数の増大等を妨げることなく、上下のパッケージ間を低コストで接続することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１は、配線基板２と、配線基板２の第１の面２ａに搭載された半導体チップ６と、配線基板２の第１の面２ａに設けられた第１の突起電極１０と、配線基板２の第２の面２ｂに設けられた第２の突起電極１１と、半導体チップ６を第１の突起電極１０と封止する封止樹脂層１２とを具備する。封止樹脂層１２は第１の突起電極１０の一部を露出させる凹部１３を有する。半導体装置１は複数積層されてＰＯＰ構造の半導体モジュールを構成する。この場合、下段側装置の第１の突起電極と上段側装置の第２の突起電極とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ダイ又はチップを積層するマルチチップモジュールの寸法を低減する半導体パッケージの提供。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、上部側に実装された半導体ダイ１２０と、そのダイの上部にインターポーザ基板１１０が実装されたベース基板１３０を備える。インターポーザ基板の底部側は、垂直コネクタ１５０によってベース基板の上部側に電気的に結合される。インターポーザ基板の上部側は、実質的に露出し、追加の電子部品を実装するようにＩ／Ｏ端子１４０を備える。ベース基板１３０およびインターポーザ基板１１０は、これらの基板上に実装される部品同士が、垂直コネクタ１５０によって電気的に結合され得るように、Ｉ／Ｏ端子を備えている。このベース基板はまた、プリント回路板に電気的に結合する事ができる。垂直コネクタ１５０は、パッケージの多数の側部に沿って配置されるため、基板間のルーティング空間を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置内部全体の雰囲気温度の上昇を抑制することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、互いに重なるように配置された２つの電力変換器２、３と、２つの電力変換器２、３を内側に収容する筐体４とを備えている。筐体４は、２つの電力変換器２、３の間を仕切るように形成された仕切部４２を有する。仕切部４２には、冷媒を流通させる冷媒流路５が設けられている。筐体４は、２つの電力変換器２、３をそれぞれ両者が重なる方向に直交する方向から囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の電子部品搭載ユニット間を流れる信号の伝送損失を小さくすることにより、信号の品質劣化を防止することが可能な電子部品搭載モジュールを提供すること。
【解決手段】電子部品搭載モジュール１は、母基板２上に設置可能なソケット７０と、ソケット７０上に接続された電子部品搭載ユニット４１，５１とを備える。電子部品搭載ユニット４１，５１は、基板裏面１３，５３側に電極４７，６２が配置された配線基板１０，５０を備える。ソケット７０は、第１導電金属部品９１及び第２導電金属部品１０１を備える。第１導電金属部品９１は、電子部品搭載ユニット４１，５１及び母基板２を互いに電気的に接続し、第２導電金属部品１０１は、電子部品搭載ユニット４１，５１間を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを内蔵した基板モジュールにおいて、当該半導体チップの上面側と下面側に設けられた配線層や電極を導通する構成を設けた場合であっても、基板モジュールの平面サイズを小型化することができるとともに、良好な回路特性を実現することができる半導体装置内蔵基板モジュール及びその実装構造並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置内蔵基板モジュール１０は、コア基板１１に設けられた開口部１１ｈに半導体装置２０が埋め込まれ、コア基板１１の上面側及び下面側に積層配線が設けられている。半導体装置２０は、シリコン基板２１の上面に形成された集積回路と、シリコン基板２１の上面側及び下面側に設けられた配線層２５ａ、２５ｂ、外部接続用の柱状電極２６ａ、２６ｂ、第１、第２の封止層２７ａ、２７ｂと、シリコン基板２１の上面側と下面側を導通し、配線層２５ａ、２５ｂに接続された貫通電極２２ｃと、を有している。 （もっと読む）

【課題】 積層集積回路装置に関し、チャネル間のクロストークを増大させずに、コイルの実装密度を２倍程度高くする。
【解決手段】 基板上の配線により形成された誘導結合によって信号を送信する四角形のコイルとそれに接続される送信回路で構成される送信チャネルを複数備える第１基板と、
第1基板に積層される基板上の配線により形成され且つ第１基板に設けられたコイルと対応する位置に形成される四角形のコイルとそれに接続される受信回路で構成される受信チャネルを複数有する第２基板とを少なくとも有し、前記各四角形のコイルの対向角を結ぶ２つの方向にコイルの一辺の２／２^１／２倍乃至３／２^１／２の間隔で設けられた格子上にコイルの中心が配置され、且つ、前記配線の直交する方向に沿ってコイルを行列配列する。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、配線基板１０と、配線基板１０の半導体素子搭載部１５上に載置された半導体素子２１と、配線基板１０の内部端子１７と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２と、半導体素子搭載部１５、内部端子１７、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂部２３とを備えている。配線基板１０の非導電性基板１１は、非導電性基板１１を貫通して形成されたビア１２を有し、ビア１２内に、内部端子１７と外部端子１８とを電気的に接続する導体１３が充填されている。半導体素子搭載部１５の裏面に補強層１４が設けられ、かつ各外部端子１８は、半導体素子搭載部１５の周囲において平面から見て少なくとも１つの円周上に配置されている。 （もっと読む）