【課題】上方に別のパッケージが搭載されるパッケージであって、複数のパッケージを積み重ね、プリント基板などに実装された状態で、パッケージ自体が落下時などに外部（別のパッケージを含む）から受ける衝撃または荷重に対し確実に耐え得るパッケージを提供する。
【解決手段】上方に別のパッケージＰ２が搭載されるパッケージＰ１であって、表面３および裏面４を有し、セラミック（絶縁材）からなるパッケージ本体２と、かかるパッケージ本体２の表面３に開口するキャビティ５と、上記パッケージ本体２の表面３上におけるコーナ付近ごとに形成された複数の金属層１０と、かかる複数の金属層１０のうち、隣り合う金属層１０の間に設けられる凸部１２，１４と、を含む、パッケージＰ１。 （もっと読む）

【課題】信号波形の観測精度を向上させる。
【解決手段】第１の半導体装置の複数の電極パッド(P100)は、第１の接続パッドを含み、第２の半導体装置の複数の電極パッド(P200)は、互いに電気的に接続された第２および第３の接続パッドと観測パッドとを含む。平面視において第２の基板(21)の一方面の一部である部分領域が第１の基板(11)に遮蔽されるように第１の半導体装置(10)が第２の半導体装置(20)に積み重ねられた場合に、平面視において第１の接続パッドが第２の接続パッドに重なる。平面視において部分領域が第１の基板(11)から露出されるように第１の半導体装置(10)が第２の半導体装置(20)に積み重ねられた場合に、平面視において第１の接続パッドが第３の接続パッドに重なる。観測パッドは、部分領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】信号の歪曲を低減したビア構造物を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】第１領域ＦＲ、ＦＲの周辺に配置された第２領域ＳＲ、およびＳＲに配置された第１接続パッド３１２を有する第１基板３１１、並びに第１接続パッドに電気的に接続された第１半導体チップ３１８を有する第１半導体パッケージ３１０、第１半導体パッケージ上に配置されて、ＦＲに対応する第３領域ＴＲおよびＳＲに対応する第４領域ＦＲ１、ＦＲ１に配置された第２接続パッド３２２を有する第２基板３２１、並びに第２接続パッドに電気的に接続された第２半導体チップ３２８を有する第２半導体パッケージ３２０、第１接続パッドおよび第２接続パッドに電気的に連結されて第１信号が印加される導電性コネクター３３０、並びに、第１基板と第２基板との間に配置されて、第２信号が印加され第１信号の歪曲を防止するための導電性シールド部材３４０を含む。 （もっと読む）

【課題】特定の機能を備えた半導体装置の高集積化及び小型化を図ることができるとともに、部品実装に係る製造工程の簡略化や効率化を図ることができ、さらに、良好な回路特性を実現することができる半導体装置内蔵基板モジュール、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置内蔵基板モジュール１０は、コア基板２１に、ウエハレベルＣＳＰ構造の半導体装置３０が内蔵された基板装置部２０と、所望の機能を有する機能部であるコイル部５０とが、一体的に形成されるとともに、コイル部５０のコイルパターン５１の端子部５２が、半導体装置３０を挟んで対向する位置に設けられた貫通電極２３を介して、半導体装置３０の柱状電極３６に電気的に接続された構成を有している。 （もっと読む）

【課題】パワー部及び制御部に対して、別々に１次パッケージング工程を施してから、両パッケージを連結して単一のパワーモジュールとして形成する。
【解決手段】第１の基板１１上に、第１のリードプレーム１３と該第１のリードプレーム１３と通電される制御チップ１５とが実装され、第１の基板１１に制御チップ１５と通電される第１の結合部１１ａ、１３ａが形成され、第１の結合部１１ａ、１３ａと第１のリードフレーム１３の外部連結部とが外部へ露出するように個別にモールド形成された制御ユニット１０と、第２の基板３１上に、第２のリードフレーム３３と該第２のリードフレーム３３と通電されるパワーチップ３５とが実装され、第２の基板３１にパワーチップ３５と通電される第２の結合部３１ａ、３３ａ、３３ｂが形成され、第２の結合部３１ａ、３３ａ、３３ｂと第２のリードフレーム３３の外部連結部とが外部へ露出するように個別にモールド形成されたパワーユニット３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の主面および第１の主面とは反対側の第２の主面を有する基板１０と、基板１０の第１の主面上に実装された半導体チップ２０と、半導体チップ２０を封止した樹脂４０と、基板１０の第１の主面上に配置され、樹脂４０の一部をレーザ加工により除去することで樹脂４０から少なくとも一部を露出した半田ボール３０と、基板１０の第２の主面上に配置された半田ボール５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄型で組立て性等に優れるパッケージ構造を保ちつつ、パッケージとしての製造歩留りを向上させることを可能にした積層型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】実施形態の積層型半導体パッケージ１は、配線基板２上に積層された第１および第２のモジュール６、７を具備する。第１および第２のモジュール６、７は、それぞれインターポーザ８、１３上に搭載された複数の半導体チップ９、１４と封止樹脂層１１、１６とを備える。インターポーザ８と配線基板２とは、金属ワイヤ、印刷配線層、または金属バンプにより電気的に接続されている。インターポーザ１３と配線基板２とは、金属ワイヤまたは印刷配線層により電気的に接続されている。第１および第２のモジュール６、７は、第３の封止樹脂層２０により封止されている。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、放熱性の高い電子制御ユニットを提供する。
【解決手段】電子制御ユニット１は、パワーＭＯＳＦＥＴ３１が表面実装された樹脂基板２０と、その樹脂基板２０のパワーＭＯＳＦＥＴ３１とは反対側に設けられたヒートシンク４０との間に放熱シート５１を備える。樹脂基板２０の角部とヒートシンク４０とをネジ２５２が固定し、樹脂基板２０の中央部とヒートシンク４０とをネジ２５５が固定する。放熱シート５１は、ネジ２５２およびネジ２５５によって位置決めされる。これにより、樹脂基板２０の組付けの際、放熱シート５１は、ヒートシンク４０と樹脂基板２０との間に固定され、ネジ２５２とネジ２５５により位置ずれが防がれる。 （もっと読む）

【課題】実装時の接続検査及び出荷後の不良解析が容易な積層型半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】積層型半導体装置は、実装基板１０３の上に実装された第１半導体装置１０１及び第２半導体装置１０２を備えている。第１半導体装置は、複数の検査用電極１４３と、検査用電極同士又は検査用電極と第１半導体チップ１１１とを接続する検査用配線１１８とを有し、実装基板は、検査用電極と接続された実装基板側検査用電極１３３と、実装基板側検査用電極同士を接続する実装基板側検査用配線１３４とを有している。検査用電極は、順次直列に接続されて接続検査経路を構成し、接続検査経路の一端に位置する検査用電極は、第１半導体チップにおける第１チップ検査端子１６１と接続され、接続検査経路の他端に位置する検査用電極に入力された検査用信号は、接続検査経路を介して第１半導体チップに入力される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ間の信号伝送路長を直線的に最短経路でかつ等長に配線することが可能となる積層構造を有する半導体装置の提供。
【解決手段】複数の第１の半導体パッケージそれぞれは、電極が配設された少なくとも一つの側面が同一面内に位置しかつ積層方向に隣接する２つの第１の半導体パッケージの一方の下面に配設された電極と他方の上面に配設された対応する電極が互いに接続するように基板上に積層され、第２の半導体パッケージの電極は、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された電極が作る配列に対応する配列を有し、第２の半導体パッケージは、その電極が、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された対応する電極と互いに接続するように、少なくとも一つの側面と平行に基板上に配置されている半導体装置。 （もっと読む）