【課題】画素内に光信号用、ノイズ信号用のサンプルホールド回路を設けて高画質な高速動画像撮影を行う。
【解決手段】撮像素子を含み、画素は、光電変換を行う光電変換手段と、光電変換手段からの信号を増幅して出力する増幅手段と、増幅手段の出力側に設けられた光電変換手段で発生した光信号を蓄積する光信号蓄積手段と、増幅手段の出力側に設けられたノイズ信号を蓄積するノイズ信号蓄積手段と、を有する撮像装置であって、光信号蓄積手段の後段に光信号用出力線が配され、ノイズ信号蓄積手段の後段にノイズ信号用出力線が配され、画素から、前記光信号用出力線及び前記ノイズ信号用出力線に同時に信号が出力されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高価格化することなく、オフセット電荷量の計測頻度を削減し、Ｘ線撮影を容易にする放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】基板上に、スイッチング素子、光電変換素子、及び電気的容量を有する素子を１組の要素として含む画素が二次元状に複数個配列され、画素上に、外部から入射したＸ線を光に変換する蛍光変換膜が積層された放射線センサ１１と、任意に選択した１本の行選択線に駆動電圧を印加するとともに、隣接行選択線に駆動電圧とは逆方向の電圧を印加するゲート駆動回路１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大型化するのを抑制しつつ、用途に応じた最適な解像度と、撮影スピードとを提供することができる、放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】列方向に複数の画素２０のＴＦＴ２が同一の信号配線Ｄに接続されるよう構成されている。動画撮影の場合には、制御配線Ｍにより制御信号を出力して画素２０のＴＦＴ２をオン状態にして、センサ部１３から電荷を読み出す。２画素×２画素を１つの画素のようにみなして電荷を取り出すため、静止画に比べて解像度が低くなるものの、フレームレートを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 接続用端子の数を制限しつつ、高い動作速度及び信頼性で且つ高画質な画像を取得することが可能なマトリクス基板等を提供する。
【解決手段】 画素１０１が行列状に複数配置され、駆動線１０４が列方向に複数配置され、接続用端子１１０が駆動線１０４の数よりも少ない数で設けられ、接続用端子１１０と駆動線１０４との間に配置されたデマルチプレクサ１１１が、第１多結晶半導体薄膜トランジスタ１１２と、第１制御配線１１６と、を有するマトリクス基板であって、デマルチプレクサ１１１は、一つの接続用端子１１０と２以上の駆動線１０４との間に画素を非選択状態とするための非選択電圧に駆動線１０４を維持するための第２多結晶半導体薄膜トランジスタ１１３と、第２制御配線１１５と、を更に有する。 （もっと読む）

【課題】ビニングして撮影する場合にダイナミックレンジの低下を抑えることができる放射線検出器および放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】駆動制御部３３は、ビニングの有無により、すなわち、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を複数列ごとに駆動させるビニングする場合と、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を１列ごとに駆動させるビニング無しの場合とで、バイアス電源９から変換層３に印加するバイアス電圧を変化させている。そのため、ビニングして撮影する透視モードの場合は、ダイナミックレンジの低下を抑えることができる。また、ビニング無しで撮影する撮影モードの場合には、空間解像度を高くすることができる。すなわち、動作モードに応じて高いダイナミックレンジと空間解像度を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積センサアレイを集積回路に接続しセンサ積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１の面１６と第２の面１８とを有しセンサアレイ１４の第２の面上に配置された第１の複数の接触パッド２０を含むセンサアレイを設け、第１の面と第２の面とを有し再配線層２４の第１の面上に配置された第２の複数の接触パッド３２を含む再配線層２４と集積回路２６の第１の面が再配線層の第２の面に作用的に結合されていて複数の貫通ビア３０が貫設されている集積回路２６とを含む相互接続層上にセンサアレイ１４を配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドが再配線層の第１の面上の第２の複数の接触パッドと位置合わせされるようにセンサアレイ１４を相互接続層上に配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドを再配線層２４の第１の面上の第２の複数の接触パッドに作用的に結合してセンサ積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】大きな画素数と信号処理回路を必要とし、Ｘ線の遮蔽に用いられるフォトダイオードアレイと物理的に分けられたＸ線スキャン検出器システムの実行に特に有利な、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）時間遅延積分（ＴＤＩ）構造を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】各画素がＮ段のＴＤＩステージにより形成された、Ｍ画素からなるＣＭＯＳ ＴＤＩイメージセンサの各ＴＤＩステージは、光電荷を収集するフォトダイオードと、光電荷を比例的に電圧に変換する前置増幅器を含む。各ＴＤＩステージはまた、キャパシタ、増幅器、積分信号電圧を蓄積するのに用いるスイッチを含み、相関二重サンプルホールド（ＣＤＳ）技術が（実際にあるいは擬似的に）光信号とリセット電圧を同時に維持する。このＣＤＳ信号電圧は、１行加算が行われるごとに、１つのＴＤＩステージから次のＴＤＩステージへと伝送される。差動増幅器はＭ画素の最後のＴＤＩステージのＣＤＳ信号電圧を読み出す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】特定の実施形態に従って、装置は、第１読み出し集積回路（ＲＯＩＣ）と、第２ＲＯＩＣと、デュアルバンド検出器アレイとを有する。
【解決手段】第１ＲＯＩＣは第１単位セルを有する。第２ＲＯＩＣは、第１ＲＯＩＣの外側に備えられ、第２単位セルを有する。導電性ビアが、第２ＲＯＩＣを通って且つ少なくとも第１ＲＯＩＣの中に備えられる。検出器アレイは第２ＲＯＩＣの外側に備えられる。検出器アレイは、高ダイナミックレンジ赤外光を検出し、複数の検出器画素を有する。各々の検出器画素は、光の検出に応答して電流を生成し、ビアに電流を流す。ビアは、第１単位セル及び第２単位セルに信号を送信する。 （もっと読む）