【課題】半導体装置において、基板の表側に配置される回路素子及び導電線と、基板の裏側に配置される電子回路との間に生じる寄生容量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に配置された画素アレイと、基板の上に配置され、画素アレイの回路素子に電気的に接続された第１導電パッドと、電子回路を接続するために基板の下に配置された第２導電パッドと、基板と第１導電パッドとの間に配置された絶縁層と、基板と絶縁層との間に配置された第３導電パッドと、絶縁層を貫通する第１コンタクトホールを通り、第１導電パッドと第３導電パッドとを接続する第１導電部材と、基板を貫通する第２コンタクトホールを通り、第２導電パッドと第３導電パッドとを接続する第２導電部材とを備える半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電力供給モードを切り替えても画像データ中に縦スジが現れることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、検出部Ｐ上の各放射線検出素子７にバイアス電圧Ｖbiasを印加するバイアス電源１４を備え、各機能部に電力を供給する電力供給モードを覚醒モードＭｗとスリープモードＭｓとの間で切り替え可能とされており、電力供給モードを覚醒モードＭｗからスリープモードＭｓに切り替えた後、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加される電圧Ｖｂが上記のバイアス電圧Ｖbiasから所定の電圧値Ｖthまで上昇するまで、電力供給モードを覚醒モードＭｗに復帰させないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をＰo_２depo（％）とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をＰo_２anneal（％）としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Ｐo_２anneal（％）が、−２０／３Ｐo_２depo＋４０／３≦Ｐo_２anneal≦−８００／４３Ｐo_２depo＋５９００／４３の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの移動度を向上させる。
【解決手段】ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バックチャネルを抑制するための構造、及びその構造を簡易に形成することを可能にすることができる非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の非冷却赤外線撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列され、赤外線の受光量に応じて電流特性が変化する感熱画素を含む感熱画素領域と、少なくとも、当該画素領域を駆動する駆動回路および当該画素領域からの信号を検出する読み出し回路のうちの一方を有するデバイス領域と、を有している。また、当該少なくとも一方の回路がＭＯＳトランジスタを含んでいる。さらに、当該感熱画素の当該半導体基板の下部及び当該ＭＯＳトランジスタの当該半導体基板の下部に、それぞれ空洞を備えている。 （もっと読む）

【課題】大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第１電極パッドと、第１電極パッド及び第２電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積Ｘ線検出器である。 （もっと読む）

【課題】高速動作をすることができる固体撮像装置を備えるＸ線検査システムを提供する。
【解決手段】Ｘ線検査システムは、Ｘ線発生装置から出力されて検査対象物を透過したＸ線を固体撮像装置１Ａにより撮像して該検査対象物を検査する。固体撮像装置１Ａは受光部１０Ａおよび信号読出部２０を備える。受光部ではＭ×Ｎ個の画素部がＭ行Ｎ列に配列されている。第１撮像モードのとき、受光部におけるＭ×Ｎ個の画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。第２撮像モードのとき、受光部における連続するＭ_１行の特定範囲に含まれる画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。固体撮像装置の移動方向に対して第２撮像モードのときの受光部における特定範囲の長手方向が垂直になるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子を微細に形成した場合でも放射線検出素子の集光率を向上させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各小領域ｒに設けられた放射線検出素子７ごとに設けられ、放射線検出素子７の第１電極７ａにソース電極８ｓが接続され、信号線６にドレイン電極８ｄが接続されたＴＦＴからなるスイッチ手段８を備え、ＴＦＴからなるスイッチ手段８は、放射線検出素子７同士の間の部分に設けられた走査線５上に形成され、走査線５自体がスイッチ手段８のゲート電極８ｇとされている。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）