【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材２１５と、支持部材に支持される熱検出素子２３０と、熱検出素子上に設けられ、入射する光に対して光反射特性を有する材料で構成され、かつ、平面視で、支持部材の領域に入射する光の一部が支持部材２１５側に進入することを可能とするパターンを有する集熱部ＦＬと、集熱部と熱検出素子とを接続する接続部ＣＮと、を備える熱伝達部材２６０と、熱伝達部材と支持部材との間において、熱伝達部材に接して形成されている第１光吸収層２７０と、熱伝達部材上において、熱伝達部材と接して形成されている第２光吸収層２７２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】基板同士を貼り合わせて形成する半導体装置において、貼り合わせ面の密着力を向上させることによりウエハ間の剥がれやチッピングなどが抑制され、信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また、その半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハ３１の周縁領域５３と、該周縁領域５３よりも内側の内側領域５４との境界に形成された配線層３３上の段差を埋め込むように埋め込み膜５７を形成し、周縁領域５３と内側領域５４における配線層３３上の表面をほぼ面一とする。そして、第１の半導体ウエハ３１に形成された配線層３３上の表面と第２の半導体ウエハ４３の所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングによるダメージを低減した焦電型検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ膜２７１を形成し、パターニングする第１膜形成工程と、Ｓｎ膜２７１に重ねてＩｎ膜２７２を形成する第２膜形成工程と、焦電体２３２を形成する第３膜形成工程と、酸素含有雰囲気にて加熱し、Ｓｎ膜２７１とＩｎ膜２７２から第１電極２３４を形成するアニール工程と、第１電極２３４が形成されない場所のＩｎ膜２７２と焦電体２３２を除去する除去工程と、を有する。第２膜形成工程が終了するとき、支持部材２１０上にはＩｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されたＩｎＳｎ積層領域２７３と、Ｉｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されていないＩｎ単層領域２７４と、が配置され、アニール工程ではＩｎＳｎ積層領域２７３にて第１電極２３４を形成し、Ｉｎ単層領域２７４のＩｎ膜２７２を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、Ｘ線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素３７を制御するための走査線４７が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線４８が列毎に配設された撮像領域５１を有するＦＰＤ２５と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ５２と、Ｘ線の照射開始を検出するとともに、Ｘ線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ５２を制御する制御部５４と、信号線４８のうち少なくとも１本の第１信号線に接続され、ＴＦＴ４３のオンオフの状態に関わらず、Ｘ線の入射量に応じた信号電荷を第１信号線に送出する短絡画素６２を有し、制御部５４は、蓄積動作が開始された後、第１信号線の出力値と第１信号線とは別の第２信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、Ｘ線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 （もっと読む）

【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。回路部１０Ｂは、シンチレータ層２２の端部２２ａに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層２２の端部２２ａから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部１０Ｂにおけるトランジスタ（特にＤＣ駆動される領域のトランジスタ）において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。放射線は、シンチレータ層１１７において波長変換された後、第２基板１１４を透過して第１基板１１に設けられた光電変換部１１１へ到達する。波長変換後の光が、フォトダイオードにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号が取得される。第２基板１１４が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層１１７を透過した放射線が第１基板１１へ到達しにくくなる。 （もっと読む）