【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を生産性良く形成できる貫通電極の構造を提供する。
【解決手段】配線基板１は、第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、ビアホール２ｃの面に設置され基板２と同じ材質のシード膜５と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３とシード膜５を囲む場所とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜６と、ビアホール２ｃ内でシード膜５に囲まれた導電体７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０では、センサ素子領域２２の短辺側のみにガードリングパターン２４ａが設けられた第１エリア２０と、センサ素子領域２２の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン２４ａと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン２４ｂを線対称に一対形成された第２エリア４０と、が形成されている。当該フォトマスク１０を用いてウエハ基板５０上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン２４ａの端部及びガードリングパターン２４ｂの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン２４ａの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）