【課題】赤外線検出部が配置された支持部が凹部と対向する場所に位置し、支持部が凹部の底に張り付くのを防止できる赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設置され空隙１７を囲む凹部１５を備えた絶縁膜１４と、一端が基板２に固定される梁２２によって保持され空隙１７と対向する場所に位置する支持部２３と、支持部２３上に設置され赤外線を検出する赤外線検出部４と、を備え、凹部１５はポリシリコンを含む撥水膜１６に覆われ、梁２２及び支持部２３は窒化シリコンまたは炭窒化シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】犠牲膜をエッチングして形成された空隙を備えるセンサーにおいて、犠牲膜のみをエッチングして空隙を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板２上に絶縁膜１４を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜１４に凹部１５を形成する凹部形成工程と、凹部１５に酸化シリコンからなる犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜上に支持部２３を形成する支持部形成工程と、支持部２３上に赤外線検出部４を形成する検出部形成工程と、エッチング液を用いて犠牲膜をエッチングして空隙１６を形成するエッチング工程と、を有し、絶縁膜はエッチング液に対して耐食性を有する。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬ及び第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲと、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬの上方に配置される第１のオンチップレンズ１１３−ＵＬと、第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲの上方に配置される第２のオンチップレンズ１１３−ＵＲとを含む画素単位を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、画像がぼけやすくなるのを防ぐことができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成され、一部に帯電防止性を有する遮光部材３２が形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、発光層と光電変換基板との密着性を向上させることができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成されたメッシュ状の帯電防止層３２と、平坦化層３４及び帯電防止層３２上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）