ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法が提供される。一つの方法は、ピクセル型固体フォトン検出器に、電荷分布が少なくとも２個のピクセルによって検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップとを含んでいる。この方法はさらに、得られた電荷情報に基づいて電荷分布の複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップを含んでいる。 （もっと読む）

本発明の例示の実施形態によれば、電磁放射線を検出する検出器ユニット３０１が提供されることができる。検出器ユニット３０１は、衝突する電磁放射線を電荷キャリアに変換するように適応される変換材料３３２を有しうる。更に、検出器ユニット３０１は、変換された電荷キャリアを収集するように適応される電荷収集電極３３１と、収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するように適応される評価回路３１２、３１３、３１４と、を有する。更に、検出器ユニット３０１は、電荷収集電極３３１と評価回路３１２、３１３、３１４との間に電気的に結合されることができる半導体３７１を有しうる。
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放射線検出器が、第一の表面及び第一の表面の反対側の第二の表面を有する半導体結晶と、半導体結晶の第一の表面と電気的に結合されて、第一の電極と結晶との間に電流を流す第一の電極と、第一の電極と半導体結晶との間に部分的に透過性の電気的障壁を生成するように、第一の表面において半導体結晶と第一の電極との間に設けられる絶縁層とを含んでいる。絶縁層は、約５０ナノメートルから約５００ナノメートルにわたる厚みを有する。 （もっと読む）

【解決手段】
電離放射線との相互作用で光子を放射するように構成されたシンチレーション層と、第１電極、光電性層、及びシンチレーション層の近傍に配置された光子透過性の第２電極を順番に含む光検出器とを有する放射線センサである。光電性層は、光子の一部との相互作用で電子正孔対を生成するように構成される。放射線センサは、第１電極に電気的に接続され、かつ光電性層内で生成された電子正孔対を示す撮像信号を測定するように構成された画素回路と、第１電極と画素回路の間において、画素回路上に、画素回路を含む平面の上方に第１電極が位置するように配置された平坦化層とを有する。第１電極と第２電極の少なくとも一方の電極の表面は、画素回路に少なくとも部分的に重なり、画素回路のフィーチャの上方に面屈曲を有する。面屈曲は、２分の１ミクロンを超える曲率半径を有する。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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ＰＥＴスキャナ（１０）は、イメージング範囲（１８）を取り囲む検出器モジュール（１６）のリングを有する。各検出器モジュールは、ガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられる１又はそれ以上のセンサ・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）（３４）を有する。センサＡＰＤ（３４）は、入射光子に対応するシンチレーターからの光に応答してパルスを出力する。同じくガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられている基準ＡＰＤ（３６）は、任意に、光を遮られ、アナログ−デジタル・コンバータ（４４）によって測定される電圧を出力する。測定に基づき、バイアス制御フィードバックループ（４２）は、ブレイクダウンパルス（６８）の電圧と予め選択された論理電圧レベル（７０）との間の差が最小とされるように、可変電圧発生器（４８）にＡＰＤ（３４，３６）へ印加されるバイアス電圧を調整するよう指示する。
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本発明は複合誘電体ゲートＭＯＳＦＥＴ構造を有す感光検出器とその信号読み取り方法に関する。ＭＯＳＦＥＴ構造検出器がｐ型半導体基板上に形成される。ｎ型半導体領域がｐ型半導体上部の２つの側面に位置し、ソースとドレインを形成する。下層の誘電体層、光電子蓄積層、上部誘電体層、および制御ゲートが順に基板上に積み重ねられる。上部の絶縁誘電体によって、光電子蓄積層に蓄積された光電子が制御ゲートに漏れ出るのを防ぐことが可能である。ソースとドレインは、光電子が集められ光電子蓄積層に注入され蓄積される際に、浮いた状態にある。基板またはゲートの表面に入射光を検出するための透明または半透明の窓が形成されている。本発明の検出器は、優れた拡張性、フラッシュメモリ製造技術との互換性、低いリーク電流、ＣＣＤよりも速い撮像速度、加工不良に対する非感受性、他の構造よりも広いダイナミックレンジ、およびより高い信号読み取り精度を有する。
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