【課題】簡単な構成で、大きな電流を供給できる有機接合型トランジスタを提供する。
【解決手段】対向する第１の電極と第２の電極とに接するように配置された有機分子を含む半導体薄膜をもち、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれない位置に配置された第３の電極が前記半導体薄膜に接触する構造のトランジスタであって、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の導電帯準位が前記半導体薄膜のＬＵＭＯ準位よりＨＯＭＯ準位に近い有機接合型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】複雑な化学合成を用いることなく簡単に構成することができ、超高速動作が可能でかつ超高密度の集積化が可能な分子素子、単分子光スイッチ素子および機能素子を提供する。
【解決手段】分子素子は、少なくとも一分子の亜鉛チトクロムｃを有し、この亜鉛チトクロムｃの分子軌道間の電子の遷移を利用してこの亜鉛チトクロムｃ内で電子またはホールを移動させる。この分子軌道は、例えば、亜鉛チトクロムｃの第１のアミノ酸残基に局在化する第１の分子軌道および亜鉛チトクロムｃの第２のアミノ酸残基に局在化し、かつ第１の分子軌道に対して単位時間当たりの遷移確率が最大の第２の分子軌道である。この場合、第１のアミノ酸残基と第２のアミノ酸残基との間を電子またはホールが移動する。 （もっと読む）

【課題】半導体量子ドットによって構成された量子デバイスにおいて、１量子ビットの個別制御手段及び複数量子ビット同時制御手段を提供すること。
【解決手段】
量子ドット１３と、その近傍に設けた導電性材料からなるナノコイル１６と、量子ドット１３の上方に配置された軟磁性材料の磁性ナノ粒子１４とを備えた量子デバイス１０による。ナノコイル１６にパルス状の電流（７μＡ程度）を印加すると、量子ドット１３の上方に配置された磁性ナノ粒子１４によって、量子ビット１３に強い磁場（０．５Ｔ程度）を印加することができる。同時にＥＳＲ周波数のマイクロ波（Ｘバンド）を印加すれば、量子ドット１３で構成された量子ビット（電子スピン）を操作できる。軟磁性材料にマイクロ波領域で高い透磁率を有する材料を用いると、より高いＥＳＲ周波数を使用でき、量子ビットの操作時間を短くできる。 （もっと読む）

【課題】配線層にスイッチ素子を有するプログラム可能な半導体装置の提供。
【解決手段】第１の配線層１０１の配線と第２の配線層１０２の配線を接続するビア１０３の内部、ビアの第１の配線との接触部、第２の配線との接触部のうちの少なくとも１つに、電解質材料１０４等導電率が可変の部材が配設され、ビア１０３は、第１の配線との接触部を第１の端子、第２の配線との接触部を第２の端子とする導電率が可変型のスイッチ素子又は可変抵抗素子として用いられ、スイッチ素子の導電率を変えることで、第１の端子と第２の端子との接触部との接続状態を、短絡、開放、又はその中間状態に可変に設定自在とされる。金属イオンの酸化還元反応によって、第１の電極と第２の電極間の導電率が変化する２端子スイッチ素子を備え、前記第１の電極に接続された逆極性の第１、第２のトランジスタと、第２の電極に接続された逆極性の第３、第４のトランジスタを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線層にスイッチ素子を有するプログラム可能な半導体装置の提供。
【解決手段】第１の配線層１０１の配線と第２の配線層１０２の配線を接続するビア１０３の内部、ビアの第１の配線との接触部、第２の配線との接触部のうちの少なくとも１つに、電解質材料１０４等導電率が可変の部材が配設され、ビア１０３は、第１の配線との接触部を第１の端子、第２の配線との接触部を第２の端子とする導電率が可変型のスイッチ素子又は可変抵抗素子として用いられ、スイッチ素子の導電率を変えることで、第１の端子と第２の端子との接触部との接続状態を、短絡、開放、又はその中間状態に可変に設定自在とされる。金属イオンの酸化還元反応によって、第１の電極と第２の電極間の導電率が変化する２端子スイッチ素子を備え、第１の電極に接続された逆極性の第１、第２のトランジスタと、第２の電極に接続された逆極性の第３、第４のトランジスタを備えている。 （もっと読む）

【課題】加工手法が多様で電極自身の電気特性などを非常に精密に制御する事ができるシリコンを用いて、２端子で動作する抵抗スイッチ素子及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】不純物がドープされたシリコン膜をナノスケールの間隙幅をもって２個配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と、チャネル領域との間に形成されるショットキー障壁を共鳴障壁とすることによって、モノリシックな、微分負性抵抗特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】金属を含有するソース電極１０２と、金属を含有するドレイン電極１０４と、このソース電極１０２とこのドレイン電極１０４とにはさまれ、半導体で形成されるチャネル領域１０６とを備える半導体装置であって、ソース電極１０２およびドレイン電極１０４と、チャネル領域１０６との間にショットキー障壁が形成され、これらのショットキー障壁が共鳴障壁となることによって、微分負性抵抗特性を示すよう動作することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】良質な乱数を高速に発生させることができる高性能の乱数生成装置を提供することを可能にする。
【解決手段】振幅２６ｍＶ以上のパルス波形電圧を発生するパルス電圧発生器７０と、半導体基板上に離間して形成されたソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域となる半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成されパルス電圧発生器からのパルス電圧が印加されるゲート電極とを有し、ソース領域とドレイン領域間に流れる電流にランダムノイズが含まれるランダムノイズ生成素子１０ａと、ランダムノイズ生成素子から発生されるランダムノイズの大きさに基づいて乱数信号を生成する乱数生成部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

【課題】回路部品を増加することなく、高周波入力端子と出力端子を分離するとともに、単電子トランジスタのアドミタンスに比例した出力信号を得ることができ微小伝導領域のインピーダンス測定回路を提供すること。
【解決手段】単一電子の帯電エネルギーが動作温度における熱エネルギーと同程度またはそれ以上となるような微小伝導領域７に、トンネル障壁５とトンネル障壁６が設けられ、トンネル障壁５は、第１端子（高周波入力端子）１に接続され、トンネル障壁６は、キャパシター９を介して接地されるとともに、インダクター８を介して第２端子（高周波出力端子）３に接続され、第１端子１に、キャパシター９とインダクター８のインダクタンスとで決まる共振周波数の高周波信号が入力され、微小伝導領域７における電荷の時間依存性が、第２端子３から出力される前記高周波信号の伝達特性によって測定されることを特徴とする。 （もっと読む）