【課題】 複数の負性抵抗素子からなり、単独の負性抵抗素子では得られない電流−電圧特性を発現する複合負性抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 負性抵抗素子１の入力端子３を入力端子とし、負性抵抗素子２の出力端子６を出力端子として、直列接続した負性抵抗素子１と負性抵抗素子２の全体を１つの機能素子として用いる。この場合、負性抵抗素子１および２が負性抵抗特性を示すバイアス電圧領域およびその前後のバイアス電圧領域における電流−電圧特性の違いによって、複合負性抵抗素子１０が負性抵抗特性を示す２つの電圧領域を有する場合と、負性抵抗特性を示す１つの電圧領域とヒステリシス特性を示す１つの電圧領域とを有する場合と、ヒステリシス特性を示す２つの電圧領域を有する場合とがある。ゲート電圧で負性抵抗特性を変更できる素子で構成すれば、１つの複合負性抵抗素子をゲート電圧の違いによって２通りに使いわけることもできる。 （もっと読む）

【課題】原子の閉じ込めをより効率的に行えるようにする。
【解決手段】凸部１０２を備える基板１０１と、凸部１０２を含めた基板１０１の表面に形成され超伝導体薄膜１０３と、凸部１０２の上に形成されることで超伝導体薄膜１０３に形成された段差部１０４と、超伝導体薄膜１０３の段差部１０４に形成された開口部１０５と、超伝導体薄膜１０３の開口部１０５が形成されている部分の凸部１０２が除去された除去領域１０６とを備えている。超伝導体薄膜１０３の段差部１０４に形成された開口部１０５においては、開口部１０５の縁の部分に、３次元的な構造のループ回路が形成された状態となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、素子製造後も、電気信号を与えることにより整流特性を任意に制御できる整流用ダイオードを提供することである。
【課題を解決するための手段】電気陰性度がＴｉよりも大きい遷移金属からなる第１及び第２電極の間に、何れか一方の電極に面する側の界面のみが定比組成であり、層全体の平均組成がＴｉＯ_x（但し、式中ｘは、1.6≦ｘ＜2の関係を満たすものに限る。）の式で表される、酸化チタン層が介在し、該第１電極及び第２電極の間に臨界反転電力を超える大きさの反転電気信号を逆方向に印加することによって整流特性を反転できる整流素子及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】配線層にスイッチ素子を有するプログラム可能な半導体装置の提供。
【解決手段】第１の配線層１０１の配線と第２の配線層１０２の配線を接続するビア１０３の内部、ビアの第１の配線との接触部、第２の配線との接触部のうちの少なくとも１つに、電解質材料１０４等導電率が可変の部材が配設され、ビア１０３は、第１の配線との接触部を第１の端子、第２の配線との接触部を第２の端子とする導電率が可変型のスイッチ素子又は可変抵抗素子として用いられ、スイッチ素子の導電率を変えることで、第１の
端子と第２の端子との接触部との接続状態を、短絡、開放、又はその中間状態に可変に設定自在とされる。金属イオンの酸化還元反応によって、第１の電極と第２の電極間の導電率が変化する２端子スイッチ素子を備え、第１の電極に接続された逆極性の第１、第２のトランジスタと、第２の電極に接続された逆極性の第３、第４のトランジスタを備えている。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子において、アモルファス相から結晶相への相転移に要する電圧を低減する。
【解決手段】相変化メモリ素子（１）は、第１の電極（６）と、第２の電極（８）と、第１（６）および第２の電極（８）間に設けたメモリ層（１４）と、を備え、このメモリ層（１４）は、少なくとも、室温でアモルファス相および結晶相で安定する相変化材料で構成される第１の層（１０）と、抵抗材料で構成される第２の層（１２）とを含み、第２の層（１２）の抵抗値を、第１の層（１０）がアモルファス相である場合の抵抗値より小さく、第１の層（１０）が結晶相である場合の抵抗値よりも大きくしている。 （もっと読む）

【課題】配線層にスイッチ素子を有するプログラム可能な半導体装置の提供。
【解決手段】第１の配線層１０１の配線と第２の配線層１０２の配線を接続するビア１０３の内部、ビアの第１の配線との接触部、第２の配線との接触部のうちの少なくとも１つに、電解質材料１０４等導電率が可変の部材が配設され、ビア１０３は、第１の配線との接触部を第１の端子、第２の配線との接触部を第２の端子とする導電率が可変型のスイッチ素子又は可変抵抗素子として用いられ、スイッチ素子の導電率を変えることで、第１の
端子と第２の端子との接触部との接続状態を、短絡、開放、又はその中間状態に可変に設定自在とされる。金属イオンの酸化還元反応によって、第１の電極と第２の電極間の導電率が変化する２端子スイッチ素子を備え、第１の電極に接続された逆極性の第１、第２のトランジスタと、第２の電極に接続された逆極性の第３、第４のトランジスタを備えている。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット３０と基体Ｓを配置したチャンバ１内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ(288nm) と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ(288nm) ／Ｈβ〕が１０．０以下であるプラズマを発生させ、該プラズマでターゲット３０をケミカルスパッタリングして５００℃以下の低温で基体上に直接、粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】書込／消去速度を劣化させることなく記憶保持時間を効率良く改善できるような、Ｓｉ量子ドットを利用した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電荷の蓄積が可能な電荷蓄積部と、チャネルを有する半導体と、前記電荷蓄積部と前記チャネルとの間に設けられ前記電荷蓄積部と前記チャネルとの間の電荷の移動を制御するゲートと、を備え、前記ゲートは、クーロンブロッケイド条件を満たす少なくとも１つの導電性粒子と、前記導電性粒子を挟む少なくとも二つのトンネル絶縁膜と、を有し、前記二つのトンネル絶縁膜の膜厚は、いずれも実効酸化膜厚に換算して０．５ナノメータ以上３．５ナノメータ以下であり、前記二つのトンネル絶縁膜のうちの前記チャネル側のトンネル絶縁膜の方が前記電荷蓄積部側のトンネル絶縁膜よりも実効トンネル膜厚が厚いものとされ、前記電荷蓄積部は、原子間結合の欠陥により形成された電荷捕捉準位であることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

３Ｄナノ構造物を含む３Ｄナノ素子を提供する。３Ｄナノ素子は、基板の上に設けられた振動部と振動部の長さ方向の両端部を支持する支持部とを備える１つ以上のナノ構造物と、ナノ構造物の支持部を支持するために基板上に形成される支持台と、基板の上部、下部、又は両方に形成され、ナノ構造物を制御する１つ以上の制御部と、振動部上に形成され、外部から流入される物質を感知する感知部とを含む。これにより一般の平面構造とは異なり、ナノ素子と基板との間に発生する不純物形成を低減し、機械的振動を引き起こすことができる。特に、３Ｄナノ構造物は、機械的及び電気的特性を有するため、新しいナノ構造物を含む３Ｄナノ素子がナノ電気機械特性を用いて提供される。単電子素子、スピン素子、ＳＥＴ−ＦＥＴハイブリッド素子を平面素子とは異なる処理を用いて形成することができる。
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【課題】高温での作動が見込める単一電子素子を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた、一対の電極と、該電極間に設けられたカーボンナノチューブとを含み、かつ、前記カーボンナノチューブは、セルロース誘導体で化学修飾されていることを特徴とする、単一電子素子。 （もっと読む）