【課題】簡単な構成で、電子や正孔のスピンの向きを制御できるようにする。
【解決手段】半導体より構成されたキャリアを閉じ込める閉じ込め部１０１、および閉じ込め部１０１よりエネルギーギャップの大きい材料から構成された障壁部１０２から構成された閉じ込め構造１０３を備える。また、閉じ込め構造１０３に、障壁部１０２を構成する材料のエネルギーギャップより大きなエネルギーの光を照射する第１光照射部１０４と、閉じ込め構造１０３に、閉じ込め部１０１を構成する半導体のエネルギーギャップより大きく、障壁部１０２を構成する材料のエネルギーギャップより小さなエネルギーで、右回りおよび左回りの中より選択された円偏光の光を照射する第２光照射部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】下地層６５の上に設けられた磁化の向きが膜面に垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層７２上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層７４上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層７８上に設けられたトンネルバリア８０と、トンネルバリア８０上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直かつ不変で第１強磁性層７２の磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する第３強磁性層８２と、半導体層７４の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、半導体層７４と反対側に位置するように設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界が存在する際に、ナノスコピックワイヤを成長させるステップを含む方法を提供する。電界は、ワイヤの成長の方向を定めるだけの十分な強さからなる。この方法は、オプションで、自己集合した単分子膜上にナノスコピックワイヤを成長させるステップを含む方法と組み合わせて用いることができる。全ての方法において、ナノスコピックワイヤの成長は、化学気相成長（ＣＶＤ）を用いて実行されることができる。
【解決手段】本方法は、金属ナノチューブと半導体ナノチューブとの混合体を設けるステップと、半導体ナノチューブから金属ナノチューブを分離するステップと、を含む方法。
分離するステップは、前記混合体を、金属ナノチューブの向きを選択的に定めるだけの十分な強さの電界にかけるステップを含む。電界は、半導体ナノチューブが前記電界に対して、その向けられないままであるような強さからなる。 （もっと読む）

【課題】高い電流駆動力と高いカットオフ特性を備えたトランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。 （もっと読む）

【課題】より単純な構造で構成されるとともに、安定的にスイッチング動作を行うことができる３端子のスイッチング素子を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０と、絶縁性基板に設けられた第１電極２０及び第２電極３０と、第１電極と第２電極との間に設けられ、第１電極と第２電極との間への所定電圧の印加により抵抗のスイッチング現象が生じるナノメートルオーダーの間隙を有する電極間間隙部４０と、電極間間隙部に気体の酸素が満たされた状態で少なくとも電極間間隙部を密封する封止部材５０とによりスイッチング素子１００を構成する。 （もっと読む）

基板間で電子電荷、熱または光を伝達する構造体および方法。このデバイス構造体は、互いに隔離された第１および第２の基板と、第１と第２の基板を合わせて接続する複数の局所スペーサとを含む。局所スペーサのうちの少なくとも１つが３５０ｎｍ未満の横方向寸法を有する。第１と第２の基板間のサブミクロン離隔距離は、第１と第２の基板の間で利益をもたらすトンネリング（earner tunneling）、熱伝達または光伝達が行われるように設定される。この方法では、電荷キャリア、熱または光を第１の基板に供給する。第１の基板は、説明されている少なくとも１つの局所スペーサによって第２の基板から隔離され、また第１の基板は、少なくとも１つの局所スペーサによって形成された第１と第２の基板間のサブミクロンギャップを越えて、第１の基板から第２の基板まで電荷キャリアをトンネリングし、熱を結合し、または光を結合する。
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【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】量子コヒーレンスを長時間保持することができる超伝導量子演算回路を提供する。
【解決手段】超伝導量子演算回路のジョセフソン接合を、２つの超伝導体電極１０１、１０２間の単結晶ナノ細線１０３で構成し、非晶質材料を用いない超伝導量子演算回路を実現することで、回路に内在する揺らぎによる量子コヒーレンスの消失を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、導電性ナノワイヤーなどナノスケールでの分子集合体を得ることを目的とする。
【解決手段】 具体的には、２本の電極と、電解液と前記２本の電極とを保持する電解セルとを含み、前記２本の電極の間隔が１ｎｍ〜１００μｍであり、前記電解セルに分子集合体を構成する分子を含む電解液を保持させ、電解液と前記２本の電極とが接触した状態で前記２本の電極に電圧を印加することにより分子集合体を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】より小さな単電子島が作製でき、また、高い精度を必要とせずにトップゲートが配置できるようにする。
【解決手段】形成しようとする細線の延在方向に対して直交して開口部１０４を挟む２つの箇所に、対向して配置される２つの溝部１０５を形成する。溝部１０５は、絶縁層１０１に到達するまで形成する。次に、酸化シリコン層１０３を介してシリコン層１０２の上層部を熱酸化し、シリコン層１０２をより薄くする。この酸化工程により、開口部１０４の対向する２つの曲線状の縁部に対応する曲線状の境界部の内側近傍において、層厚方向にくびれるくびれ部１０７が形成され、くびれ部１０７においては、シリコン層１０２の層厚がより薄くなり、層厚方向の量子サイズ効果によりトンネルバリアが形成されるようになる。 （もっと読む）