【課題】閾値下の振れが改良され、供給電圧が更に低減されたトンネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】高ドープドレイン領域３、低ドープチャネル領域２、高ドープソース領域１及び、高ドープソース領域１と接触する低ドープチャネル領域２の少なくとも一部を覆うゲート誘電体１０およびゲート電極９を有し、ソース−チャネル界面１２におけるゲート誘電体１０の膜厚は、ソース−チャネル界面１２から所定の距離離れたチャネル２上のゲート誘電体１０の膜厚より小さい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上面に形成した第１の絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルを備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法であって、チャネルが超微細繊維で構成され、基板１のチャネルとは反対側の面に第２の絶縁薄膜が形成され、第２の絶縁薄膜の外側にバックゲート電極８を設けて、第２の絶縁薄膜がヘマグルチニンで修飾され、その修飾箇所とバックゲート電極８の間に試料溶液を介在して、バックゲート電極８にゲート電圧を印加し、ソース電極３とドレイン電極４の間に流れる電流値の変化により、試料中のヘマグルチニンと相互作用する物質を検出する。 （もっと読む）

【課題】ノイズが低減でき、従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）構造用の間接誘導トンネル・エミッタを提供する。
【解決手段】 このＴＦＥＴ構造は、第１の半導体材料から形成された細長いコア・エレメントを少なくとも部分的に取り囲み、ＴＦＥＴ構造のソース領域に対応する位置に配置された外装と、外装とコア・エレメントとの間に配置された絶縁体層と、外装をコア・エレメントにショートさせるソース接点とを含み、ＯＮ状態中にＴＦＥＴ構造のチャネル領域内にトンネリングするために十分なキャリア濃度をコア・エレメントのソース領域に導入するように外装が構成される。 （もっと読む）

【課題】 量子ビットを、環境温度よりも十分に低い温度へと冷却する方法を提供すること。
【解決手段】本実施形態の量子ビットの冷却方法は、予め定められた温度にて熱平衡状態にある量子計算に用いられる量子ビットＡと異なる３つ以上の量子ビットＢを準備する準備工程と、量子ビットＡと量子ビットＢに、物理的な状態を変化させるための所定の状態変化処理、例えば、所定のタイミング、所定の期間および所定の振動数にて光パルスの照射を実行することによって、量子ビットＡを冷却する冷却工程と、を含み、状態変化処理としては、第１状態と第２状態を入れ替える物理的な処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度に、確率的な動作を実行する。
【解決手段】２Ｄ−ＴＪＡ１４は、ソース領域１２とドレイン領域１３とを接続する抵抗線網である。２Ｄ−ＴＪＡ１４では、複数のドット２０が形成されている。ゲート電極Ｇ１、Ｇ２は、２Ｄ−ＴＪＡ１４の複数のドット２０各々と容量結合されている。２Ｄ−ＴＪＡ１４は、ドット２０間を接続する抵抗線網によって微小トンネル接合が形成されている。ドット２０のサイズは実質的に均一であり、微小トンネル接合のサイズも実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】トンネル絶縁膜中に挿入する微粒子層における粒径の微小化でエネルギーバリアを高くして記憶保持を改善しても、低電圧／低電界書き込み・消去時にける低いエネルギーバリアによる書き込み・消去の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板１００のチャネル領域１０１上にトンネル絶縁膜１１０を介して電荷蓄積層１３０を形成した不揮発性半導体メモリであって、トンネル絶縁膜１１０中に、第１の導電性微粒子を含む第１の微粒子層１２１をチャネル側に、第１の導電性微粒子よりも平均粒径が大きい複数の第２の導電性微粒子を含む第２の微粒子層１２２を電荷蓄積層側に設け、第１の導電性微粒子における電子１個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔＥ₁ を、第２の導電性微粒子の電子１個の帯電に必要なエネルギーの平均値ΔＥよりも小さくし、ΔＥ₁ とΔＥとの差を熱揺らぎのエネルギー（ｋ_BＴ）よりも大きくした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の機能を製造後に設定・変更することで、後天性機能が付与された半導体素子を実現する。
【解決手段】 両極性を備えた有機半導体層上に互いに離間して設けた少なくとも２つの電極と、絶縁膜を挟んで有機半導体層と反対側に設けたバックゲートと、を備えた有機半導体素子において、バイアスストレス効果が生じる第１の温度下でゲート電圧を有機半導体素子に印加して前記有機半導体層に正電荷あるいは負電荷を生成させ、バイアスストレス効果により前記生成した正電荷あるいは負電荷をトラップさせ、前記ゲート電圧を印加した状態で、前記有機半導体素子をバイアスストレス効果が凍結される第２の温度以下の温度まで冷却して前記トラップされた正電荷あるいは負電荷を固定し、前記ゲート電圧の印加を除去することで、前記固定された正電荷あるいは負電荷と逆の電荷をキャリアとして前記有機半導体層に注入させる。 （もっと読む）

【課題】測定のための回路部品を減じるとともに入力する周波数の帯域を広くして、単電子トランジスタのインピーダンスを高感度に求めることができる単電子素子インピーダンス測定装置を提供する。
【解決手段】単電子素子インピーダンス測定装置が、単電子の帯電エネルギーが動作温度における熱エネルギーと同程度またはそれ以上となるような微小伝導領域である微小島と当該微小島にトンネル障壁を介して接合する電極である入力電極とを有する単電子トランジスタと、微小島と静電的に結合されているポイント接合と、ポイント接合に接合する一方の電極および入力電極に広帯域周波数の位相可変高周波電圧信号が入力信号として独立して入力され、当該入力信号によって誘起される微小島と入力電極との間の時間的な電荷移動に伴う単電子トランジスタのインピーダンス変分を、ポイント接合に接合する他方の電極からの信号により位相検波する電荷検出計とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。
【解決手段】炭素系の膜を抵抗変化層として用いた不揮発性半導体メモリであって、基板１１上に設けられた下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた、窒素を含み炭素を主成分とする膜からなるバッファ層１３と、バッファ層１３上に設けられた、炭素を主成分とする膜からなり、電圧印加又は通電によって電気抵抗率が変化する抵抗変化層１４と、抵抗変化層１４上に設けられた上部電極１６とを備えた。 （もっと読む）