【課題】量子標準として適切な出力を持つ電流源は提案されていない。
【解決手段】島電極に非断熱パルスをポンピングパルスとして印加すると共に、ドレイン電極のバイアス電圧を選択設定しておくことにより、クーパー対を１個ずつ、ソース電極から前記島電極に注入し、更に、島電極からドレイン電極に転送するクーロン対ポンプが得られる。 （もっと読む）

電気的に作動するデバイスが、第１の電極、第２の電極並びに当該第１及び第２の電極間に堆積させた活性領域を備えている。当該デバイスは、ｉ）第１の電極と活性領域との界面、又はｉｉ）第２の電極と活性領域との界面、又はｉｉｉ）活性領域と第１及び第２の電極のそれぞれとの各界面で局在化された、少なくとも１つのドーパント導入剤又はドーパントをさらに含む。
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【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】数層のグラフェンを用いた実用的なデバイスを提供する。
【解決手段】段差部１０２を備えた基板１０１と、段差部１０２を含めた基板１０１の上に形成されたグラフェン層１０３と、所定の接触圧でグラフェン層１０３に接触してこの上を移動可能とされているプローブ１０５と、グラフェン層１０３に接続する共通電極１０４とを備える。グラフェン層１０３においては、段差部１０２の凹部の側の平坦部１３１と、段差部１０２の凹部より平坦部１３１の側に形成されるバリア領域１３２と、段差部１０２に形成される注入領域１３３と、段差部１０２の凸部の側の平坦部１３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力される信号を補正して出力する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０と、半導体層１０の一方の面に形成され、信号が入力される入力端子となる複数の第１の導電体１２と、半導体層１０の他方の面に、第１の導電体１２よりも多数かつ高密度に形成される第２の導電体１８と、第２の導電体１８と半導体層１０との界面の半導体層１０側に設けられる高濃度不純物領域２０と、他方の面上に形成される絶縁層２４と、絶縁層２４上に形成され、信号を処理して出力する出力端子となる複数の第３の導電体２６とを備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓを含む半導体膜１０と、半導体膜１０上に設けられた酸化ガリウム膜２０と、酸化ガリウム膜２０上に設けられた導電性膜３０と、を具備し、酸化ガリウム膜２０は、半導体膜１０および導電性膜３０の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】トンネル効果とは異なる原理による、直線性の良い負性抵抗２端子素子を提供する。
【解決手段】磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性ナノワイヤを用いたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】基本的には，π電子系を有する有機化合物からなるナノワイヤに所定量の磁場を印加することで，ナノワイヤの伝導性を著しく変化させることができるという知見に基づく。スイッチング素子１は，２本の電極３，４と，ナノワイヤ５と，磁場印加手段６と，磁場制御手段７とを具備する。ナノワイヤは，π電子系を有する有機化合物からなる。そして，磁場制御手段は，ナノワイヤに印加する磁場を制御する。すると，スイッチング素子に含まれるナノワイヤの導電性が制御され，スイッチＯＮとＯＦＦを切り替ることができる。 （もっと読む）

Sb化合物ベースのバックワードダイオードミリ波検波器のための例示的な方法及び装置が開示されている。開示されている例示的なバックワードダイオードは、不均一なドーピングプロファイルの第1面に隣接するカソード層、及び、スペーサ層の第2面に隣接するSb化合物のトンネルバリア層を有する。
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本発明は、量子力学トンネル効果に基づくトリプルゲート又はマルチゲート素子に関する。本素子は、電子がトンネリング可能なギャップによって隔てられた少なくとも二つのトンネル電極を基質上に有する。本発明による素子は、ギャップに電界を印加して、その電界による偏向によって、トンネル電極の間をトンネリングする電子の経路を延ばすための手段を有する。一般的に、トンネル電極の間のトンネル電流の方向に対して垂直で、かつ基質に対して平行に延びる電界成分を有する電界をギャップに印加するための手段を配備することができる。トンネル電極の間のトンネル電流は、電子がギャップ内を進む経路長に対して指数関数的に依存するので、そのような電界は、トンネリング確率に対して、、そのため制御すべきトンネル電流に対して大きな逆増幅率を有する。そのような素子は、例えば、大きな増幅率の非常に速いスイッチングトランジスタとして動作することができ、そのため半導体であってはならない。
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