【課題】Ｓｉ単結晶を下地基板として用いた場合の、リーク電流低減と電流コラプス改善が、効果的に達成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板Ｗの一主面上に窒化物からなる複数のバッファ層Ｂを介して窒化物半導体の活性層Ｃが形成されている窒化物半導体基板であって、バッファ層Ｂは少なくとも活性層Ｃと接する層５０の炭素濃度が１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１Ｅ＋２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であること、バッファ層Ｂと活性層Ｃの界面領域８０において全転位密度に対するらせん転位密度の比が０．１５以上０．３以下であること、さらにバッファ層Ｂと活性層Ｃの界面領域８０における全転位密度が１５Ｅ＋９ｃｍ^−２以下である窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】耐圧を高めた窒化物半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】第１の窒化物層３１と該第１の窒化物層３１の材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第２の窒化物層３３とが異種接合され、該接合界面寄りに２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルが形成された窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上にオーミック接触されるソース電極５０とドレイン電極６０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間の窒化物半導体層３０上に形成され、ソース電極５０から所定距離だけ離間された第１の側壁からドレイン側へ長く形成された多数のＰ型窒化物半導体セグメント８０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間でソース電極５０に近く形成され、多数のＰ型窒化物半導体セグメント８０間の窒化物半導体層３０上及びＰ型窒化物半導体セグメント８０上に接触されるゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】裏面電極と導通したパッドを破ることなく、複数のバイアホールの検査を短時間で実施できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、該基板の裏面に形成された裏面電極と、該基板を貫通するＮ個（Ｎは２以上の整数）のバイアホール１６のそれぞれを経由して該裏面電極と電気的に接続されるように該基板の表面に形成されたＮ個のパッドと、該Ｎ個のパッドのそれぞれに電気的に接続されたＮ個のエピ抵抗３０とを有する。そして、該Ｎ個のエピ抵抗を介して該Ｎ個のパッドと接続された配線３４と、該配線と接続された検査用パッド３６と、該Ｎ個のパッド、及び該Ｎ個のバイアホールを経由して該裏面電極に電流を流すように該基板の表面に形成された電流印加用パターンと、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子移動度を低下させることなく、電子密度を高くできる高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｓi基板１００上に形成されたバッファ層１０と、バッファ層１０上に形成されたＧaＮ層１１と、ＧaＮ層１１上に形成されたＡlＧaＮ層１２と、ＡlＧaＮ層１２内に形成されると共に、互いに間隔をあけて形成されたソース電極１３とドレイン電極１４と、ＡlＧaＮ層１２上かつソース電極１３とドレイン電極１４との間に形成されたゲート電極１５と、ソース電極１３とドレイン電極１４およびゲート電極１５が形成されたＡlＧaＮ層１２の一部を覆うように形成された絶縁膜１６とを備える。上記絶縁膜１６中にＣsの原子が２×１０^１３ｃｍ^−２以上存在する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体積層構造上の絶縁膜に所期の微細な開口を形成するも、リーク電流を抑止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２上にパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６の電極形成予定位置をドライエッチングにより薄化し、パッシベーション膜６の薄化された部位６ａをウェットエッチングにより貫通して開口６ｂを形成し、この開口６ｂを電極材料で埋め込むように、パッシベーション膜６上にゲート電極７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、チャネル層１４よりもバンドギャップエネルギーの大きい第１窒化物半導体層１６と、を順次形成する工程と、第１窒化物半導体層１６上であって、ゲート電極２６を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第１窒化物半導体層１６上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層１４のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第２窒化物半導体層１８を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第１窒化物半導体層１６上にゲート電極２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高電圧動作時においても電流コラプス現象を十分に抑制し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】ＨＥＭＴは、化合物半導体層２と、開口を有し、化合物半導体層２上を覆う保護膜と、開口を埋め込み、化合物半導体層２上に乗り上げる形状のゲート電極７とを有しており、保護膜は、酸素非含有の下層絶縁膜５と、酸素含有の上層絶縁膜６との積層構造を有しており、開口は、下層絶縁膜５に形成された第１の開口５ａと、上層絶縁膜６に形成された第１の開口５ａよりも幅広の第２の開口６ａとが連通してなる。 （もっと読む）

【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成され、貫通口６ａを有するパッシベーション膜６と、貫通口６ａを埋め込むようにパッシベーション膜６上に形成されたゲート電極７とを有しており、ゲート電極７は、相異なる結晶配列の結晶粒界１０１が形成されており、結晶粒界１０１の起点が貫通口６ａから離間したパッシベーション膜６の平坦面上に位置する。 （もっと読む）

【課題】高い障壁を有し、かつ高品質のバッファ層及びチャネル層を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられ、ＡｌＮからなる下地層１２と、下地層１２上に設けられ、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮからなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に設けられ、厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＧａＮからなるチャネル層１６と、チャネル層１６上に設けられ、ＡｌＧａＮからなる電子供給層２０と、電子供給層２０上に設けられたソース電極２６、ドレイン電極２８及びゲート電極３０と、を具備し、バッファ層１４のＡｌの組成ｘは、下地層１２側の領域において０．３≦ｘ≦０．５であり、チャネル層１６側の領域において０．９≦ｘ≦１．０である。 （もっと読む）