【課題】１本の棒状素子が破壊しても、他の棒状素子が正常に動作し、正常動作を続けるトランジスタ装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ装置は、基板５と、この基板５上に配置された２本の棒状素子１とを有する。このため、一方の棒状素子１が破壊しても、他方の棒状素子１が正常に動作し、トランジスタ装置は、正常動作を続ける。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮからなる半導体表面上に設けられると共に向上されたトランジスタ特性を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】５×１０^７ｃｍ^−２以下の転位密度を有しＡｌＮからなる半導体表面２１ａ上に、第１のエピタキシャル半導体層１３はコヒーレントに設けられる。第２のエピタキシャル半導体層１５は、第１のエピタキシャル半導体層１３にヘテロ接合２３ａを成すように第１のエピタキシャル半導体層１３上に設けられる。第１のエピタキシャル半導体層１３がこの半導体表面２１ａへのコヒーレントな成長により、第１のエピタキシャル半導体層１３は、半導体表面２１ａの格子定数に合わせて歪んであり、緩和していない。ＡｌＮに対してコヒーレントに設けられた第１のエピタキシャル半導体層１３により、III族窒化物半導体電子デバイス１１のトランジスタ特性が向上可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、半導体層１２、絶縁膜１７、ゲート電極２２、ドレイン電極１９およびソース電極２０、を具備する。半導体層１２は、半絶縁性半導体基板１１上に形成され、表面に、側壁が傾いたテーパ状のリセス領域１８を有する。半導体層１２は、活性層１４を含む。絶縁膜１７は、半導体層１２上に形成されたものであり、リセス領域１８を全て露出する貫通孔２１を有する。貫通孔２１は、側壁がリセス領域１８の側壁の傾き角θ１より小さい角度θ２で傾いたテーパ状である。ゲート電極２２は、リセス領域１８および貫通孔２１を埋めるように形成されたものである。ドレイン電極１９およびソース電極２０は、半導体層１２上のうち、リセス領域１８を挟む位置に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第２エピタキシャル層２００は、第１エピタキシャル層１００上にエピタキシャル成長している。第１エピタキシャル層１００は、エピタキシャル成長層１１０及び欠陥層１２０を有している。欠陥層１２０は、エピタキシャル成長層１１０の上、かつ、第１エピタキシャル層１００の表層に位置している。欠陥層１２０の欠陥密度は、５×１０^１７ｃｍ^−２以上である。欠陥層１２０を突き抜けた欠陥は、第２エピタキシャル層２００の内部でループを形成している。 （もっと読む）

【課題】オフ角を有するＳｉ基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】（１１１）結晶方位面に対して２．０°以上６．０°以下のオフ角を有するＳｉ基板Ｗと、Ｓｉ基板Ｗ上に形成されＡｌＮ単結晶層２０ａ上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶層（０＜ｘ＜１）２０ｂが積層された第一バッファ領域Ａと、第一バッファ領域Ａ上に形成され厚さが３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）からなる第１単層３０ａと厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）からなる第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第二バッファ領域Ｂと、第二バッファ領域Ｂ上に形成された窒化物半導体活性層５０と、からなる窒化物半導体基板Ｚ。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体を含む基板上に形成され、二次元電子ガスチャネルとデプリーション領域とを備えるチャネル層と、二次元電子ガスチャネルに対応するように、チャネル層上に形成された第１チャネル供給層と、チャネル層のデプリーション領域及び第１チャネル供給層の一部の領域上に形成されたデプリーション層と、第１チャネル供給層上に形成され、デプリーション領域を挟んで対向するソース及びドレイン電極と、デプリーション層上に形成されたゲート電極と、を備え、第１チャネル供給層より分極率が小さい第２チャネル供給層を、チャネル層のデプリーション領域及び第１チャネル供給層の一部の領域上に備え、デプリーション層が第２チャネル供給層上に備えられる、高電子移動度トランジスタである。 （もっと読む）