【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面１６を有する基板１２と、前記主面１２上に配置された溝部（第１の溝部２４、第２の溝部２６）と、前記基板１２上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部（第１の固定電極指７８、第２の固定電極指８０）と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部５４、５６が設けられ、前記凸部５４、５６は接合面（端面８２）を有し、該接合面側に配線（第１の配線３０、第２の配線３６）が配置され、前記配線を介して前記基板１２と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出でき、かつ、加速度検知素子の小型化および低背化を実施してもセンサ感度を維持できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた第１の錘部２３と、支持枠部２４と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒｘ２１，Ｒｘ２２等とを備え、前記支持枠部内に一対の梁状可撓部の中心軸に関して略対称で平行な一対の薄肉部２７，２７′，２８，２８′，２９，２９′，３０，３０′を設けることにより、第２、第３、第４、第５の錘部３１〜３４を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は、少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、感圧素子層１００は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに極性の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、一対の接続部のうちの何れか一方の接続部の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第１引出し電極１０９と、該引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続する側面電極１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】長寿命化、歩留率の向上を実現する。
【解決手段】本体１は前記一面が開口した箱状の枠体部１ａとその側壁部１ａ１内側に位置する可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは当該可動体部１ｂ両側と枠体側面部１ａの内側とを接続する一対のビーム１ｃを回動軸として回動可能に設けられており、可動体部１ｂの第一の固定基板２側には可動電極６が設けられており、第一の固定基板２には平面視で前記回動軸を挟んだ両側となる部分に第一および第二の固定電極４Ａ，４Ｂが可動電極６に対向するように設けられており、平面視において第一の固定電極４Ａと第二の固定電極４Ｂに挟まれた第一の固定基板２の領域を間隔部分７Ａとし、間隔部分７Ａと対向する可動体部１ｂの領域を間隔対向部分７Ｂとした場合において、間隔部分７Ａと間隔対向部分７Ｂの少なくともいずれか一方に凹部８を設けた。 （もっと読む）

【課題】電子部品と実装基板の電気的な接続信頼性を低下させることなく実装基板上の電子部品に加わる熱応力の影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の電子部品は、ＭＥＭＳチップの一種である加速度センサチップである。この加速度センサチップは、ガラス基板を用いて形成された底板部４、シリコン半導体基板を用いて形成された枠体部５、ガラス基板を用いて形成された蓋板部６からなるチップ本体２と半田実装パッド３とからなる。
本実施形態によれば方形の底面部を有する電子部品を半田実装する場合においても、熱膨張、熱集収縮が生じた際に対角線方向に加わる熱応力由来のストレスを減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Ｒと、ホールとホールの最短距離Ｓのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面にホール４を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板１の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞６を形成する際に、前記ホール４の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体１は枠体部１ａと可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは枠体部１ａの内側にビーム１ｃを介して設けられており、第一の固定基板２には固定電極４が可動体部１ｂ側表面に設けられており、第二の固定基板３にはダミー電極５が可動体部１ｂ側表面に設けられており、可動体部１ｂは第一の固定基板２と可動体部１ｂとの距離の変化を測定するための可動電極６を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部１ｂには当該可動体部１ｂが固定電極４またはダミー電極５に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部７が固定電極４側とダミー電極５側に設けられており、固定電極４上とダミー電極５上の少なくともいずれかには可動体部１ｂが近接した際に第一接触部７と接触する第二接触部８が対向して設けられており、第一接触部７と第二接触部８の材料は絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ１の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第１保護壁120は、放電防止用配線部25，26と可動電極4A，4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25，26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25，26の切断部分Ｘの金属材料Ｙは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25，26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第１の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第１および第２の膜支持材料層は、同様に第１の領域を囲む第２の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも１個の第１の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第２の膜支持材料層が第１の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 （もっと読む）