【課題】発光層の面積を減少させることなく、点状または線状の光源を得ることができ、発光方向を制御することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３の端面１４に反射層１６を形成する。ｎ型半導体層１３および反射層１６上に中央部にピンホール１７ａを有するｎ側電極１７を形成する。ｎ側電極１７上に集光レンズ１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ；０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光光度を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる第１半導体層５、活性層６、及び第２半導体層７からなる発光層１３と、基板２と発光層１３との間に設けられるＤＢＲ（Distribution Bragg Reflector）層４と、基板２の下面に設けられる下部電極１０と、発光層１３上に設けられる上部電極１１とを有し、発光層１３上にＤＢＲブロック１２を設け、ＤＢＲブロック１２を覆うように上部電極１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１０と、第２導電型の第２半導体層２０と、第１半導体層１０と第２半導体層２０との間に設けられた発光層３０と、第１半導体層１０の発光層３０とは反対側に設けられ、第１半導体層１０よりも不純物濃度が低く、第１半導体層１０の一部を露出させる開口部を有する第３半導体層１５と、開口部１８を介して第１半導体層１０に接する第１電極４０と、を備え、第３半導体層１５は、第１半導体層１０とは反対の側の面に設けられ、発光層３０から放射される発光光のピーク波長の第３半導体層１５における波長よりも大きい凹凸１７ｐを有する粗面部１７をさらに有することを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板側ヘ向かう放出光の反射率を高め、光取り出し効率の改善が可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた第１の接合金属層と、第１コンタクト層および第１クラッド層を含む第１導電型層と、第２クラッド層を含む第２導電型層と、前記第１導電型層と前記第２導電型層との間に設けられた発光層と、を有する半導体層と、前記第１の接合金属層と接合された第１の面と、段差を有する第２の面と、を有し、前記段差の上面は前記第１コンタクト層の一部と接触した第２の接合金属層と、前記段差の底面と、前記第１導電型層と、の間に設けられ、前記発光層から放出される光に対する反射率が前記第２の接合金属層よりも高い第１誘電体多層膜と、前記第２導電型層の上に設けられたパッド電極と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの光取り出し効率を高める。
【解決手段】ＬＥＤ１００は、サブマウント１２０上に配置される多層積層体１２２を含み、多層積層体はシリコン添加（ｎ型）ＧａＮ層１３４を含み、このＧａＮ層は複数の開口１５０から成るパターンをその上側表面１１０に有し、多層積層体はまた、接着層１２４、銀層１２６、マグネシウム添加（ｐ型）ＧａＮ層１２８、複数のＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井戸により形成される光発生領域１３０、及びＡｌＧａＮ層１３２を含み、ｎ側コンタクトパッド１３６は層１３４の上に配置され、そしてｐ側コンタクトパッド１３８は層１２６の上に配置され、封止材（屈折率が１．５のエポキシ）１４４は層１３４とカバースリップ１４０と支持体１４２との間に設けられており、複数の開口１５０によって領域１３０において生成される光がＬＥＤ１００から表面１１０を通して放出される効率を高くする。 （もっと読む）

【課題】素子の光取り出し効率をさらに向上させることのできる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１において、第１導電型層、発光層２５及び第２導電型層をこの順で有する半導体積層体と、第１導電型層上に形成され酸化物からなる透明電極３０と、半導体積層体において透明電極３０と同じ側に形成される第２導電型層上の第２導電型層用電極４０と、第１導電型層と透明電極３０の間に形成され発光層２５から発せられる光の反射率が透明電極３０よりも高い第１反射層６０と、第２導電型層と第２導電型層用電極４０の間に形成され第１反射層６０と同じ材料からなり発光層２５から発せられる光の反射率が第２導電型層用電極４０よりも高い第２反射層６２と、を備える。 （もっと読む）

半導体積層体（２）を備えた発光ダイオードチップを開示する。半導体積層体は、電磁放射を生成するのに適している活性層（３）を有し、発光ダイオードチップ（１）は、表側に放射出口領域（４）を有する。発光ダイオードチップ（１）は、放射出口領域（４）とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層（５）を有する。ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは、ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である機能層（６）が、ミラー層（５）の上に配置されており、機能層（６）を形成している材料がミラー層（５）全体に分布している。機能層（６）の材料は、ミラー層（５）の中で濃度勾配を有し、ミラー層（５）内の機能層（６）の材料の濃度が、機能層（６）から、半導体積層体（２）に向かう方向に減少していく。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに製造できる高出力、かつ順方向電圧が低い発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１は、半導体基板１０と、発光部２０と、反射部２１０と、電流分散層２４０と、表面電極３０と、裏面電極３５とを備え、反射部２１０がペア層を複数有して形成され、第２の電流分散層２４４が、第１の電流分散層２４２のキャリア濃度又は不純物濃度より高いキャリア濃度又は不純物濃度を有すると共に表面に凹凸部２５０を有し、表面電極３０が、複数の表面電極層を有し、複数の表面電極層のうち、第２の電流分散層２４４に接する表面電極層が、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子において、基板の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面と、基板の裏面側に形成され回折面にて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面と、を備えるようにした。 （もっと読む）