【課題】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種８０（例えば、量子井戸）を含む。パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク７４（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の側から第１導電型の第１導電型層と、光を発する活性層１５と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層とを有する発光部１０と、支持基板２０と発光部１０との間に設けられ、光を発光部１０の側に反射する反射部４０と、反射部４０と発光部１０との間に設けられ、光を透過し、電気絶縁性を有する絶縁層５０と、絶縁層５０と発光部１０との間の一部に設けられる界面電極６０と、第２導電型層の活性層１５の反対側の表面に設けられ、界面電極６０の直上とは異なる領域に設けられる第１電極７２と、第１電極７２が設けられる側に第１電極７２とは別に設けられ、第１電極７２が接触している第２導電型層とは異なる発光部１０の部分、又は界面電極６０に電気的に接続する第２電極７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、透明基板１と、配線層３１と、透明基板１と配線層３１との間に設けられる半導体発光素子構造部２０と、を有し、半導体発光素子構造部２０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、透明絶縁膜１１と、透明導電層８の透明絶縁膜１１に覆われるように設けられる金属反射層９と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２と、を有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部２２は、第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ系化合物の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板（１０）上に順次に積層されたｎ型半導体層（１２）、ｎ型半導体層
の第１領域上に形成された活性層（１４）、及び活性層上に形成されたｐ型半導体層（１
６）と、ｐ型半導体層上に形成されたｐ型電極（２０）と、ｎ型半導体層上で第１領域と
離れた第２領域上に形成されたｎ型電極（３０）と、ｐ型半導体層、活性層及びｎ型半導
体層の側壁に形成された誘電層（５２）と、誘電層上に形成された反射層（５４）とを備
えることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】高偏光比、及び、高発光効率を有し、低コストで製造可能な半導体発光素子を実現することができる。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子１００は、屈折率の異なる複数の層の積層構造を有する多重干渉反射層１２０と、多重干渉反射層１２０上に形成された、電子及び正孔が注入された場合に発光する活性層１３２を含む光導波層１３０とを備え、光導波層１３０と多重干渉反射層１２０とに形成される光導波路１８０内を、活性層１３２で発光した光であり、ブラッグの反射条件に基づいて伝搬する光の積層方向からの傾斜角θは、多重干渉反射層１２０のブリュースター角度に略等しい。 （もっと読む）

【課題】発光層内部での光吸収が低減され、上方への光反射率が高められた発光素子を提供する。
【解決手段】第１の反射器４０を有する支持体８と、第１および第２の発光部６０ａ，６０ｂと、第２の反射器６４と、を備えた発光素子が提供される。第１および第２の発光部は、前記支持体の上に設けられ、発光層２２ａ，２２ｂを有し、前記発光層からの放出光のうち下方に向かう光が前記第１の反射器により上方に向かって反射可能とされている。第２の反射器は、前記第１および第２の発光部の間に挟まれ前記支持体の上に設けられ、かつ下方に向かって拡幅する断面形状を有し、側面に設けられた側面金属層６４ａを有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上し、安全性及び信頼性の向上した発光素子を提供すること。
【解決手段】実施例の発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８は、第１側面１０７と、第１側面１０７に平行な第２側面１０９と、を有し、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、利得領域１８０を構成し、利得領域１８０は、第１側面１０７側に設けられた第１端面１４０と、第２側面１０９側に設けられた第２端面１４２と、を有し、平面的に見て、第１端面１４０から第２端面１４２まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって延びており、第２端面１０９は、平面的に見て、利得領域１８０の延びている方向に対して直交し、第２端面１０９には、反射部１５０が設けられ、利得領域で生じる光１０の一部は、第２端面１４２に設けられた反射部１５０において反射して、第１端面１４０から出射される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、反射部２１０が複数のペア層を有し、第１の半導体層２１０ａが、光のピーク波長をλ_ｐ、第１の半導体層２１０ａの屈折率をｎ_Ａ、第２の半導体層２１０ｂの屈折率をｎ_Ｂ、第１クラッド層２２０の屈折率をｎ_Ｉｎ、光の入射角をθとした場合に、式（１）で定められる厚さＴ_Ａ１を有し、第２の半導体層２１０ｂが式（２）で定められる厚さＴ_Ｂ１を有し、ペア層が４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）及び式（２）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａ及び第２の半導体層２１０ｂを含み、４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａと式（２）で規定される厚さの第２の半導体層２１０ｂとからなるペア層を含む。 （もっと読む）