【課題】集合化の必要性を無くすか減じた単一チップのＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】ＬＥＤランプのチップは、上面１３と、所定の屈折率ｎ_s を有する活性領域１０を備え、互いに積層されたｎ導電型半導体層６並びにｐ導電型半導体層７を有する。これら半導体層は、前記屈折率ｎ_s よりも少なくとも２０％小さい屈折率ｎ_b を有する透明の基板５上に設けられており、また、前記チップは、互いに離間した複数の発光素子を形成するように前記半導体層の少なくとも１つに夫々形成され、中に導電性のトラック１６を有する複数の発光溝を有する。さらに、これら発光素子の少なくとも２つは、一体となって駆動するように互いに接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１領域１６０と第２領域１６２とは、第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１６０と第３領域１６４とは、第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６２と第３領域１６４とは、出射面となる第１層１０６の側面１３１に接続され、第１領域１６０は、第１領域１６０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、第２領域１６２と第３領域１６４とは、同じ傾きで傾いて第１面１３１と接続され、第１領域１６０、第２領域１６２、および第３領域１６４の少なくとも１つと、第４領域１６６と、の間の距離は、エバネッセント結合が生じる距離であり、第４領域１６６は、共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１領域１５０と第２領域１６０とは、第１層の側面１３２に設けられる第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１５０と第３領域１７０とは、第１層の側面１３３に設けられる第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６０と第３領域１７０とは、出射面となる第１層の側面１３１に接続され、第１領域１５０は、第１領域１５０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、出射面１３１において第２領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３１において第３領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】凹凸部の凹凸の均一化を図り、半導体発光素子間での発光出力のばらつきを抑える。
【解決手段】半導体基板の上に、第１半導体層及び第２半導体層を１つのペアとする複数のペア層３３を積層して光反射部３０を形成する工程と、光反射部３０の上に、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、をこの順に積層して発光部４０を形成する工程と、発光部４０の上に、電流分散層を形成する工程と、電流分散層の表面に凹凸部６１を形成する工程と、を有し、凹凸部６１を形成する工程の前に、電流分散層の表面をＯ_２プラズマに曝す工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術において、順方向電圧（Ｖｆ）の上昇を抑制し、且つ発光出力（Ｐｏ）を増大させる。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び当該第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の半導体層が積層された積層半導体層と、前記第１の半導体層と接続する第１の電極と、前記第２の半導体層の表面に設けた第２の電極と、を備え、前記第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し且つ前記発光層から出射する光に対して透過性の透明導電層と、前記透明導電層上に積層され且つ当該透明導電層より低屈折率の絶縁層と、前記絶縁層上に積層され且つ導電性の金属反射層と、前記絶縁層を通して設けられ、一端が前記透明導電層の前記膜厚部に電気的に接続され且つ他端が前記金属反射層と電気的に接続される導体部と、を含むことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化された第一型導電層１２３と、該第一型導電層の下面側に配置された発光層１２２と、該第一型導電層とで該発光層を挟むように配置された第二型導電層１２１と、を含む積層部１２０を備えたＧａＮ系半導体膜に、少なくとも該第一型導電層の一部を除去することによって平坦化領域１２３Ｂが形成され、ＴＣＯ膜からなる透光性電極１４０が該平坦化領域上から上記積層部上にかけて連続するように設けられており、該平坦化領域の上方には、該透光性電極に接続された電極金属膜１５０と、上記発光層で生じる光に対して該電極金属膜よりも高い反射率を有する反射金属膜１３０とが、該透光性電極を挟んで対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】反射層に混入する酸素濃度を低減し、半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に低屈折率層と高屈折率層とを複数ペア積層して設けられる反射層３０と、反射層３０上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を積層して設けられる発光層４０と、を有する半導体発光素子１において、バッファ層２０は、酸素吸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、成長基板上の一部に、リフトオフ層を介して、半導体層からなる素子領域を形成する素子領域形成工程と、ケミカルリフトオフ工程において除去されない材料で構成された犠牲部を、成長基板上の素子領域の周囲に形成する犠牲部形成工程と、成長基板及び半導体層を覆い、素子領域から離れた領域におけるその表面の高さが発光層表面よりも低くなるように、被覆層を形成する被覆工程と、半導体層上における被覆層と犠牲部表面における被覆層とを除去する窓形成工程と、被覆層表面及び半導体層表面に反射層を形成する反射層形成工程と、反射層上にめっきを施すことによって支持部を形成するめっき工程と、を具備する。 （もっと読む）