【課題】従来構造よりも低コストで高輝度な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板１上に、第一導電型のクラッド層２、アンドープ活性層３、第二導電型のクラッド層４からなる発光部１０１が積層された半導体発光素子１００において、発光部１０１の一部である第一導電型のクラッド層２中に、互いに組成が異なる２層の半導体層５ａ，５ｂを一対とする多層膜からなるクラッド側光反射層５が具備されたものである。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】透光性を有する成長基板上に、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層の各層が積層されて成る半導体発光素子において、光取出し効率を向上する。
【解決手段】透光性を有するｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層が積層され、発光層からの光の取出し面とは反対側に反射膜を備え、反射膜は、透明層と、透明層の、発光層とは反対側に積層され、光を反射する金属層とを備え、透明層から見て発光層の側に設けられた層は、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のうちのいずれかであり、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層のうち透明層から見て発光層の側に設けられた層と、透明層との間には、透明層から見て発光層の側に設けられた層とオーミックコンタクトすると共に透明な第１の電極層が積層され、透明層の一部には、透明層を貫通して第１の電極層と金属層とを電気的に導通させる金属部が設けられ、金属層は、第２の電極層として用いられる。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを含み、活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域を構成し、利得領域に生じる光の波長帯において、活性層の第１側面１４０の反射率は、第１側面と対向する活性層の第２側面１４２の反射率よりも高く、利得領域は、少なくとも２つの利得領域の対１６０を成し、利得領域の対の一方の第１利得領域１８０は、平面的に見て、第１側面から第２側面まで、第１側面の垂線に対して傾いた一の方向に向かって設けられ、複数の利得領域の対の他方の第２利得領域１９０は、平面的に見て、第１側面から第１側面と第２側面との間に設けられた反射面１７９まで、一の方向とは異なる他の方向に向かって設けられた第１部分１９２と、反射面から第２側面まで、一の方向に設けられた第２部分１９４と、を構成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層４０と、反射金属層を有する第１電極２０と、開口部を有する絶縁層９０と、第１導電形層３７と、第２導電形層５０と、第２電極６０とを有し、第１導電形層は、第１電極の上であり発光層の下に設けられ、発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層３２、組成傾斜層３１、および第１クラッド層２９、を含む。第２導電形層は、発光層と第２電極との間に設けられ、電流拡散層５４および第２コンタクト層５６を有する。第２電極は、パッド部６０ａと、パッド部から外方に向かい第２コンタクト層の上に延在する細線部６０ｂ、とを有する。上方からみて、絶縁膜の開口部と、第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備える。 （もっと読む）

【課題】実装性が高く、動作特性が良好で、光取り出し効率が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ側電極と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ側電極と、前記ｎ側電極が設けられていない領域において前記ｎ型半導体層に接して設けられ、前記発光層から放出される光に対する反射率が前記ｎ側電極の前記光に対する反射率よりも高い高反射絶縁層と、前記ｎ側電極の少なくとも一部と、前記高反射絶縁層の少なくとも一部と、に接して設けられ、前記ｎ側電極に電気的に接続された金属層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１の面１１ａから第２の面１１ｂ側に向かって略垂直に延在する第１の領域１１ｃ１と第１の領域１１ｃ１から第２の面１１ｂ側に向かって末広がり状に傾斜した第２の領域１１ｃ２を有する側面１１ｃを備えている。第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１２が基板１１の第１の面１１ａに形成されている。反射膜１５が基板１１の第２の面１１ｂに形成されている。 （もっと読む）