【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型半導体層２１、発光層２２及びｎ型半導体層２３が積層され、ｐ型半導体層及び発光層２２の一部が除去されてｎ型半導体層２１の一部が露出したＧａＮ半導体層２０と、ＧａＮ半導体層２０の上に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５及びｎ側第１絶縁膜開口部５６を備えて積層される第１反射層５０と、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通じて、ｐ型半導体層２３にキャリアを注入するためのｐ側透明配線電極層４０と、ｐ側透明配線電極層４０の上方に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５の少なくとも一部を覆うように積層され、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通過した光を発光層２２側に反射する第２反射層６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分な発光量を確保しつつ小型化が図れ、且つ良好な生産性・歩留りを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、基板３０と、基板３０上に配設される金属配線層３１と、金属配線層３１上に設けられる半導体発光素子１０と、を有し、半導体発光素子１０は、１辺が４５０μｍ以上であり、基板３０側から順に、第１半導体層５、活性層４、第２半導体層３を備えた半導体発光層６と、半導体発光層６の基板３０側に設けられる透明絶縁膜７と、透明絶縁膜７の基板３０側に離間領域１８，１９を介して設けられ、金属配線層３１と電気的に接続される第１電極部１６及び第２電極部１７と、を有し、第１電極部１６は、透明絶縁膜７を貫通して設けられる第１コンタク卜部１２により第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１７は、透明絶縁膜７、第１半導体層５、及び活性層４を貫通して設けられる第２コンタクト部１１により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】大電流で長時間操作される場合でも、活性層で発生した熱が反射層を損なわないＬＥＤ構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ構造は、基板２００と、発光エピタキシャル構造２０４，２１０，２１２と、第１の導電型接触層２１４と、第２の導電型接触層２１６と、透明絶縁層２１８と、第１の反射層２２６と、第２の反射層２３０と、第１の障壁層２２８と、第２の障壁層２３２と、第１の導電型電極２３４と、第２の導電型電極２３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細なリッジ構造におけるエバネッセント光の干渉現象を利用し、光の外部への取出し効率を改善した半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第２導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、前記半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、前記リッジ構造の平坦面の横幅Ｗが２λ（λ：発光波長）以下で、かつ前記活性層の中心Ｃ（リッジ構造の中心線と活性層との交点）からの光が前記傾斜面において全反射が起こる最短の地点（傾斜面の法線方向からθ_Ｃ＝ｓｉｎ^−１（１／ｎ）[ｎ：半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Ｃから傾斜面に向かう線（平坦面に近い側）と傾斜面との交点）から平坦面までの距離Ｌがλ（λ：発光波長）以下である。 （もっと読む）

【課題】高い光取り出し効率を維持すると共に、外光反射率を低減することが可能となる発光素子を提供する。
【解決手段】励起源により発光層を励起して発光させ、該発光層から外部に光を取り出す発光素子であって、
発光層からの光の取り出し側と反対側に裏面層を備え、
裏面層は、発光層側から順に、発光層の有効屈折率よりも小さい有効屈折率を有する誘電体層と、入射する光との相互作用により該入射する光の波長に応じて反射率の大きさを変化させる金属微細構造と、が設けられて構成され、
裏面層は、発光層と誘電体層との界面の全反射条件により求まる臨界角以上の角度で誘電体層に入射した光に対する裏面層の反射率が、
臨界角よりも小さい角度で誘電体層に入射した光に対する裏面層の反射率よりも低い反射率となる構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の取得歩留りを向上させ、かつ、コストを低減可能な貼り合わせウエハを提供する。
【解決手段】外周部にベベリング部２ａ，３ａを有する半導体ウエハ２，３を、接合層４を介して接合した貼り合わせウエハにおいて、半導体ウエハ２，３は、接合面が同じ大きさに形成され、半導体ウエハ２，３の接合面側のベベリング部２ａ，３ａの曲率半径を１５０μｍ以下とし、かつ、接合層４の厚さを９００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満とするか、あるいは、２枚の半導体ウエハ２，３の接合面側のベベリング部２ａ，３ａの曲率半径を１２５μｍ以下とし、かつ、接合層４の厚さを８００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満としたものである。 （もっと読む）

【課題】付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流拡大を伴うＧａＮを基礎とする発光ダイオードチップを開発し、この種のチップを有する発光ダイオード構造素子の製造法を提供する。
【解決手段】ｐ型接触層がｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している。次の処理工程：エピタクシャル成長させる工程、ｐ型接触層をエピタクシー連続層のｐ側に施す工程、基板をエピタクシー連続層から取り除く工程、接触金属化部をエピタクシー連続層の主要面の部分領域に施す工程、発光ダイオードチップをＬＥＤケーシングのチップ取付け面、ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレームの上にチップ取付け面に向かって結合能力を有するｐ型接触層と一緒に施す工程を有する。 （もっと読む）

【課題】厚み方向の一面側からの光取り出し効率の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有するとともに、ｎ形窒化物半導体層３に接触するｎ電極６と、ｐ形窒化物半導体層５に接触するｐ電極７とを有し、ｐ形窒化物半導体層５が、発光層４よりもバンドギャップが小さくｐ電極７との接触がオーミック接触となるｐ形コンタクト層５ｂを備えている。ｐ形窒化物半導体層５における発光層４とは反対側の表面に、ｐ電極７の形成領域を避けて凹部８が形成され、凹部８の内底面８ａに、発光層４から放射される紫外光を反射する反射膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は偏光性を有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】半導体発光素子４０は、第１導電型半導体層４４、活性層４６及び第２導電型半導体層４８が積層された半導体構造物を含む半導体発光素子において、上記半導体構造物は上記第２導電型半導体層から少なくとも活性層に至るまでの深さを有するように一定方向に沿って配列された複数の溝領域により形成された複数の光ガイド部Ｇを含み、上記複数の光ガイド部は長さ方向に該当する偏光成分が選択的に放出されるようにその幅より大きい長さを有する。 （もっと読む）

【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含む。 （もっと読む）